一种提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术适用于计算机领域，提供了一种提高EEPROM使用寿命的方法，应用于微控制单元，所述微控制单元的输入端连接过零检测电路的输出端，所述微控制单元的输出端连接电可擦可编程只读存储器，所述方法包括：接收所述过零检测电路的输出端输出的信号；判断所述信号是否为过零信号；如果所述信号不是过零信号，则控制所述电可擦可编程只读存储器立即进行写操作，通过所述电可擦可编程只读存储器的写操作记录当前工作状态数据以备下次上电时使用。本发明专利技术还提供一种提高EEPROM使用寿命的装置。本发明专利技术提供的技术方案能减少擦写次数，进而提高EEPROM使用寿命。

Method and device for improving service life of electrically erasable programmable read-only memory

The invention is applicable to the computer field, provides a method for improving the service life of EEPROM, applied to the micro control unit, the micro control unit is connected to the input end of the zero crossing detection circuit and the output end of the output of the micro control unit is connected electrically erasable programmable read-only memory, wherein the method comprises the following steps: after receiving the signal of zero detection output the output end of the circuit; judging whether the signal is zero signal; if the signal is not zero signal, control the EEPROM write operation immediately, through the electrically erasable write data to record the current working state by using the next power when programming read-only memory. The invention also provides a device for improving the service life of EEPROM. The technical scheme provided by the invention can reduce the endurance, and improve the service life of EEPROM.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于计算机领域，尤其涉及一种提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法及装置。
技术介绍
电可擦可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EEPROM)是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息并重新编程。相比可擦写可编程只读存储器(ErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EPROM)，EEPROM不需要用紫外线照射，也不需取下就可以用特定的电压来抹除芯片上的信息，以便写入新的数据。随着智能化电器的普及，很多方面需要用到EEPROM来存储掉电之前的数据，以便使用者在下次上电之后无需重新设置参数，机器便可按照之前设定的参数工作，而不论是外挂EEPROM，还是微控制单元(MicrocontrollerUnit，MCU)内部自带的EEPROM，其使用寿命都是有限的，一般擦写次数在十万次左右。因此，亟需提供一种提高EEPROM使用寿命的方法。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法及装置，旨在解决如何在有限的擦写次数的情况下提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的问题。本专利技术实施例是这样实现的，一种提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法，应用于微控制单元，所述微控制单元的输入端连接过零检测电路的输出端，所述微控制单元的输出端连接电可擦可编程只读存储器，所述方法包括：接收所述过零检测电路的输出端输出的信号；判断所述信号是否为过零信号；如果所述信号不是过零信号，则控制所述电可擦可编程只读存储器立即进行写操作，通过所述电可擦可编程只读存储器的写操作记录当前工作状态数据以备下次上电时使用。本专利技术实施例还提供一种提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的装置，包括依次顺序连接的过零检测电路、微控制单元以及电可擦可编程只读存储器，其中，所述过零检测电路的输入端连接交流电，用于检测交流电的通断并将通断信息发送给所述微控制单元；所述微控制单元的输入端连接所述过零检测电路的输出端，用于在检测到交流电断开时控制所述电可擦可编程只读存储器立即进行写操作，通过所述电可擦可编程只读存储器的写操作记录当前工作状态数据以备下次上电时使用。本专利技术提供的技术方案，通过检测是否有过零信号来检测是否有交流输入，进而判断机器是否掉电，从而决定是否将当前机器的工作状态数据写入电可擦可编程只读存储器中以备下次上电时使用，进而大大减少了电可擦可编程只读存储器的擦写次数，有效的延长了电可擦可编程只读存储器的使用寿命，提高了程序的执行效率。附图说明图1是本专利技术实施例提供的提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法流程图；图2是本专利技术实施例提供的提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的装置的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的过零检测电路11的电路结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的电源电路14的电路结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。以下将对本专利技术所提供的一种提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法进行详细说明。请参阅图1，为本专利技术实施例提供的提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法流程图。在本实施方式中，提供的一种提高电可擦可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EEPROM)使用寿命的方法应用于微控制单元(MicrocontrollerUnit，MCU)，所述微控制单元的输入端连接过零检测电路的输出端，所述微控制单元的输出端连接EEPROM。在步骤S1中，接收所述过零检测电路的输出端输出的信号。在本实施方式中，所述过零检测电路的输入端连接交流电的火线或者零线，所述过零检测电路用于从所述交流电接收信号，并判断接收到的信号是否是过零信号，如果是过零信号，则表明所述交流电为正常接通，并将过零信号输出至所述微控制单元；如果不是过零信号，则表明所述交流电为断开，并输出高电平信号至所述微控制单元；如果所述过零检测电路输出的信号一直是低电平信号，则表明所述过零检测电路出现故障。在本实施方式中，当所述过零检测电路的输出端输出的信号为高电平或者低电平时，微控制单元还会对高电平或者低电平分别计时。在步骤S2中，判断所述信号是否为过零信号。如果所述信号不是过零信号，则在步骤S3中，控制所述电可擦可编程只读存储器立即进行写操作，通过所述电可擦可编程只读存储器的写操作记录当前工作状态数据以备下次上电时使用。如果所述信号是过零信号，则在步骤S4中，不用对所述电可擦可编程只读存储器进行写操作。在本实施方式中，所述微控制单元的另一输入端还连接电源电路，所述电源电路连接交流电，用于将交流电变为直流电进而向所述微控制单元供电。在本实施方式中，如果所述微控制单元接收到过零信号，则表明所述交流电为正常接通，此时所述微控制单元不用对所述电可擦可编程只读存储器进行写操作；如果所述微控制单元未接收到过零信号，则表明所述交流电为断开，此时，所述微控制单元立即将交流供电模式切换至直流供电模式，即立即接收所述电源电路的直流供电，并在直流供电的时间内完成写操作记录当前工作状态数据。本专利技术实施例提供的提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法，通过检测是否有过零信号来检测是否有交流输入，进而判断机器是否掉电，从而决定是否将当前机器的工作状态数据写入电可擦可编程只读存储器中以备下次上电时使用，进而大大减少了电可擦可编程只读存储器的擦写次数，有效的延长了电可擦可编程只读存储器的使用寿命，提高了程序的执行效率。以下将对本专利技术所提供的一种提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的装置进行详细说明。请参阅图2，所示为本专利技术实施例提供的提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的装置的结构示意图。在本实施方式中，提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的装置10主要包括过零检测电路11、微控制单元12、电可擦可编程只读存储器13和电源电路14。在本实施方式中，过零检测电路11、微控制单元12以及电可擦可编程只读存储器13依次顺序连接。在本实施方式中，过零检测电路11的输入端连接交流电，用于检测交流电的通断并将通断信息发送给微控制单元12。在本实施方式中，过零检测电路11如图3所示。请参阅图3，所示为本专利技术实施例提供的过零检测电路11的电路结构示意图。在本实施方式中，过零检测电路11包括第一电阻R1、第一二极管D1、光电耦合器以及第二电阻R2，其中，插片端子连接交流电的火线L或者零线N。在本实施方式中，第一电阻R1的输入端连接交流电的火线L或者零线N，第一电阻R1的输出端连接光电耦合器的第一输入端。在本实施方式中，第一电阻R1的电阻值为150K欧姆，光电耦合器的型号为PC817，光电耦合器包括发光源和受光器两部分，并把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离，其中，发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端，发光源为发光二极管，受光器为光敏二极管。在本实施方式中，第一二极管D1的正极接地，第一二极管D1的负极连接第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法，其特征在于，应用于微控制单元，所述微控制单元的输入端连接过零检测电路的输出端，所述微控制单元的输出端连接电可擦可编程只读存储器，所述方法包括：接收所述过零检测电路的输出端输出的信号；判断所述信号是否为过零信号；如果所述信号不是过零信号，则控制所述电可擦可编程只读存储器立即进行写操作，通过所述电可擦可编程只读存储器的写操作记录当前工作状态数据以备下次上电时使用。

【技术特征摘要】
1.一种提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法，其特征在于，应用于微控制单元，所述微控制单元的输入端连接过零检测电路的输出端，所述微控制单元的输出端连接电可擦可编程只读存储器，所述方法包括：接收所述过零检测电路的输出端输出的信号；判断所述信号是否为过零信号；如果所述信号不是过零信号，则控制所述电可擦可编程只读存储器立即进行写操作，通过所述电可擦可编程只读存储器的写操作记录当前工作状态数据以备下次上电时使用。2.如权利要求1所述的提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法，其特征在于，所述方法还包括：如果所述信号是过零信号，则不用对所述电可擦可编程只读存储器进行写操作。3.如权利要求1所述的提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的方法，其特征在于，所述微控制单元的另一输入端还连接电源电路，所述电源电路连接交流电，用于将交流电变为直流电进而向所述微控制单元供电。4.一种提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的装置，其特征在于，所述装置包括依次顺序连接的过零检测电路、微控制单元以及电可擦可编程只读存储器，其中，所述过零检测电路的输入端连接交流电，用于检测交流电的通断并将通断信息发送给所述微控制单元；所述微控制单元的输入端连接所述过零检测电路的输出端，用于在检测到交流电断开时，控制所述电可擦可编程只读存储器立即进行写操作，并通过所述电可擦可编程只读存储器的写操作记录当前工作状态数据以备下次上电时使用。5.如权利要求4所述的提高电可擦可编程只读存储器使用寿命的装...

【专利技术属性】
技术研发人员：程荣刚，武永强，
申请(专利权)人：深圳拓邦股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44