利用电可擦可编程只读存储器的缺陷表制造存储器模块的方法技术

本发明专利技术是一种利用电可擦可编程只读存储器的缺陷表制造存储器模块的方法，通过焊接部份良好动态随机存取存储器芯片于存储器模块基板以制造存储器模块。部份良好动态随机存取存储器芯片具有数量低于检测阈值（例如１０％）的缺陷存储器单元。已封装动态随机存取存储器芯片经过随意地预先筛选后，当发现缺陷的数目少于前述检测阈值时，则视为通过检测。在检测期间，产生缺陷表并将其写入至存储器模块上的串行存在检测电可擦可编程只读存储器。于开机时，借助目标系统检测器读取缺陷表，存储器模块于目标系统检测器上做最后检测，并将存储器存取缺陷表所识别的缺陷存储器位置重新导向。存储器可通过烧制或于不同温度及电压下检测以增加可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体而言涉及存储器模块的制造。更具体而言，本专利技术涉及通过部份良好存储器芯片制造存储器模块。
技术介绍
存储器模块广泛地应用于各种电子系统，特别是应用于个人计算机中。存储器模 块是遵照工业标准制定的规则所构建，以确保广大潜在的市场。高容量生产及竞争已大幅 地降低模块的成本，因而使各种电子系统的购买者受益。 存储器模块可制造成多种不同的尺寸及容量，例如旧型30支接脚(pin)及72支 接脚的单列存储器模i央(single-inline memory module, SIMM)以及新型168支接脚、184 支接脚及240支接脚的双列存储器模块(dual inline memory module, DIMM)。这些接脚是 自模块边缘所延伸的原始接脚，具有金属触板或引线，如今，大多数的模块是无引线的。小 尺寸的模块的长约为3至5英寸，高约为1至1. 5英寸。 模块包含小型印刷电路板(printed-circuit board, PCB)基板，尤其是指具 有玻璃纤维绝热体(fiberglass insulation)及铝箔的交互迭层或金属互连层的多层 板(multi-layer board)。模块表面上安装的组件，例如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)芯片及电容，是被焊接于基板的其中一表面或双面。 图1描绘出全缓冲存储器模块。存储器模块10包含基板，例如多层印刷电路板， 基板的前表面或侧边则安装表面贴装动态随机存取存储器芯片22，如图1所示，较多的动 态随机存取存储器芯片22，则被安装至机板的后侧或后表面(图未绘示)。存储器模块10 可为全缓冲双列存储器模块(fully-bufferd dual-inlinememory module,FB-DI匪)，通过 存储器模块10上的先进存储器缓冲(AdvancedMemory Buffer, AMB)芯片(图未绘示)来 达到全缓冲。先进存储器缓冲芯片使用差分信号及数据包来达到高速率传输数据。 同样地，不具有先进存储器缓冲芯片的存储器模块也会被制造。这种不具有缓冲 的存储器模块通过触板12直接将地址、数据及控制信号从母板传递至动态随机存取存储 器芯片22。有些存储器模块使用简单缓冲来缓冲或锁存部份信号，而不使用全缓冲双列存 储器模块中较为复杂的串行数据包接口。 金属触板12沿着模块前后两面的底部边缘安置，金属触板12与模块插座相抵触， 使得模块电气连接至个人计算机的母板。孔16会出现在某些种类的模块上，以确保模块正 确地被安置在插座内。缺口 14也用于确保模块正确地插入。安装于基板表面的电容或其 它分离的组件则用于过滤来自于动态随机存取存储器芯片22的杂讯。 某些存储器模块在存储器模块基板上包含串行存在检测电可擦可编程只读存储 器(serial-presence-detect electrically-erasable programmable read-onlymemory， SPD-EEPROM)。用于存储器模块的配置信息存储于串行存在检测电可擦可编程只读存储器 130中，例如速率、深度及存储器模块上的存储器配置。 动态随机存取存储器芯片可具有较大的容量，例如512百万位(Mbits)或一半的 10亿位(giga-bit)。大量的存储器单元、个别存储单元的小型化及整体大.面积的动态随 机存取存储器芯片(die)导致某些常见的制造缺陷。动态随机存取存储器芯片在未切割及 封装前，于晶片上检测，但晶片拣选检测无法发现全部的缺陷。使用探针卡接触晶片上的各 个芯片则会使检测环境相当嘈杂。因此晶片拣选检测限制住检测速度，而阻碍发现更多缺 陷的较详尽检测。 如此一来，某些已封装动态随机存取存储器芯片是含有缺陷的。成本有效地快速 执行进一步检测已封装动态随机存取存储器芯片，将可在已封装动态随机存取存储器芯片 中识别出缺陷动态随机存取存储器芯片并丢弃。然而，丢弃已封装动态随机存取存储器芯 片是有点浪费的，因为通常只有一个单独的缺陷出现。例如一个缺陷可能只会导致五亿分 之一个存储器单元失效。几乎五亿个存储器单元正确地工作于具有一缺陷的动态随机存取 存储器芯片上，然而此芯片通常是被丢弃的。 某些动态随机存取存储器芯片是可修复的。于晶片拣选检测期间，芯片上的熔丝 可通过激光熔化或其它方法。尝试并执行这种修复，以决定哪个动态随机存取存储器芯片 是良好的以及哪个是不良的，且修复可以是一个分离的步骤。当修复成功时，通常使存储器 全部面积得以作用。例如修复512百万位动态随机存取存储器上不良的存储器单元可让 整个512Mbit得以作用，这是因为不良的存储器单元于修复期间被多余的存储器单元所取 代。 除了修复芯片，某些芯片制造业者会降低动态随机存取存储器芯片的容量，例如 可将部份良好、已封装且具有缺陷的10亿位动态随机存取存储器芯片作为512百万位动态 随机存取存储器售出。 存储器模块的制造业者可以购买经过多种层次检测的已封装动态随机存取存储 器。成本将因购买未经过全面检测已封装动态随机存取存储器而降低。存储器模块的制造 业者可将这些购入的动态随机存取存储器芯片做更完整的检测，以移除具有单一缺陷的动 态随机存取存储器芯片。 图2A-图2B呈现位于部份良好动态随机存取存储器芯片上的缺陷。图2A中，动 态随机存取存储器芯片具有高地址位A13，高地址位A13将存储器分为二个半等份Hl， H2。 二个半等份Hl， H2可为逻辑上的二等份而非动态随机存取存储器芯片上的分离实体阵列。 当地址A13二 1时，半等份H2被选定，而当A13二0时，半等份H1被选定。当A13 = 1时， 缺陷56出现且位于H2半等份552。因为当A13 = 0时，所有位皆是良好的，故Hl半等份 554是可用于存储器模块的良好等分。 有时候会有二个或更多的缺陷出现。当缺陷出现在二个半等份552,554时，二个 半等分皆不能使用。然而，动态随机存取存储器芯片可更进一步分成四个象限。图2B中， 高地址位A12， A13具有新增的四等份562，564，566，568的四个可能值，并标记Q4， Q3， Q2， Ql。举例来说，当存储器单元地址为A13 = 1且A12 = O，则Q3象限564被选定。 当缺陷出现在四个象限中的其中的二个象限，剩余的二个象限可组合成一半大小 的动态随机存取存储器。举例来说，当缺陷出现在Q3及Q2象限564，566，剩余的Q4及Ql 象限562,568可作为一半大小的存储器使用。 图3描绘出先前技术在制造存储器模块的芯片制程流程。动态随机存取存储器芯片在工厂或晶片制程厂制造，且检测及封装成动态随机存取存储器芯片22。某些晶片拣选 检测可被执行，以决定哪个芯片需封装以及决定哪个芯片需丢弃。 已封装动态随机存取存储器芯片22被放入检测插座用以初步检测，检测插座连 接至自动检测设备(automated-test-equipment,ATE)的自动检测设备检测头(head) 102。 自动检测设备相当昂贵，通常是百万美元的机器。于自动检测设备检测头102上通过检测 的动态随机存取存储器芯片22插入至存储器芯片预烧板106上的检测插座。当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过部份良好存储器芯片制造部份良好存储器模块的制造方法，其特征在于包含：接收部份已检测存储器芯片，其中所述部份已检测存储器芯片是未经过全面检测探测出全部缺陷的封装片；通过运用于所述部份已检测存储器芯片的初步检测模式，预先检测所述部份已检测存储器芯片，其中所述初步检试模式是用于检测缺陷存储块；计数于预先检测时通过初步检测模式探测出的缺陷存储块数量；丢弃预先检测时缺陷存储块数量大于检测阈值的存储器芯片；将预先检测时缺陷存储块数量小于检测阈值的存储器芯片视为部份良好存储器芯片；对于所述部份良好存储器芯片，将所述部份良好存储器芯片焊接至存储器模块基板上，形成部份良好存储器模块；将非挥发性存储器芯片焊接至所述部份良好存储器模块；通过模块检测模式检测所述部份良好存储器模块定位缺陷存储器位置；创建缺陷表，所述缺陷表用于表示通过模块检测模式由所述部份良好存储器模块中定位的缺陷存储器位置；将所述缺陷表编程到所述非挥发性存储器芯片，形成已编程部份良好存储器模块；将所述已编程部份良好存储器模块插入到目标检测系统上的模块检测插座；以及通过将所述非挥发性存储器芯片的缺陷表初步复制到所述目标检测系统及通过于所述目标检测系统上初步执行检测程序，所述目标系统检测所述可编程部份良好存储器模块，所述检测程序于所述非挥发性存储器芯片产生存取访问，所述目标检测系统重新导向存取访问，以通过所述缺陷表识别所述缺陷存储器位置；藉此，部份良好存储器芯片组成所述部份良好存储器模块，目标系统从所述部份良好存储器模块上的非挥发性存储器芯片读取所述缺陷表。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：RS柯，M陈，D孙，
申请(专利权)人：金士顿科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]