一种高透光率电池用单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高透光率电池用单晶硅片，所述本体的左右两侧均设有设有反光镜，所述本体的上表面设置为第一减反光膜，所述第一减反光膜的底部设有透光层，所述透光层内设有半圆形透镜，所述透光层的底部设有第二减反光膜，所述第二减反光膜的底部设有超白钢化玻璃，所述超白钢化玻璃的底部设有P型硅片，所述P型硅片的下方设有N型硅片，所述P型硅片和N型硅片的中间设有空穴，所述P型硅片的一端接有正电极，所述N型硅片的一端接有负电极。该高透光率电池用单晶硅片，第一减反光膜和第二减反光膜的设置可以大大减少光线反射出去，半圆形透镜的设置，提高光线利用率，P型硅片和N型硅片的设置用于将光线转化成电能。

Monocrystalline silicon chip for high light transmittance battery

The utility model discloses a silicon wafer with high light transmittance of the battery, the body of the left and right sides are provided with a reflecting mirror, the body is arranged on the upper surface of the first anti reflective film, the first anti reflective film is arranged at the bottom of the euphotic layer, the transparent layer is provided with a semicircular lens, the the euphotic layer is arranged at the bottom of the second anti reflective film, reducing the reflection film second is arranged at the bottom of the ultra white glass, the bottom of the ultra white glass is provided with a P type silicon wafer, below the P type silicon with N type silicon wafer, the hole is provided with the P chip and N chip in. One end of the P type silicon wafer is connected with a positive electrode, wherein one end of the N chip is connected with the negative electrode. The use of silicon wafer with high light transmittance of battery, the first reduction of reflective film and reflective film second reduction can reduce the rays, semi circular lens set, improving the utilization rate of light, P type and N type silicon wafer arranged to convert light into electricity.

【技术实现步骤摘要】

本技术属于单晶硅片
，具体涉及一种高透光率电池用单晶硅片。
技术介绍
硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高透光率电池用单晶硅片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种高透光率电池用单晶硅片，包括本体，所述本体的左右两侧均设有设有反光镜，所述本体的上表面设置为第一减反光膜，所述第一减反光膜的底部设有透光层，所述透光层内设有半圆形透镜，所述透光层的底部设有第二减反光膜，所述第二减反光膜的底部设有超白钢化玻璃，所述超白钢化玻璃的底部设有P型硅片，所述P型硅片的下方设有N型硅片，所述P型硅片和N型硅片的中间设有空穴，所述P型硅片的一端接有正电极，所述N型硅片的一端接有负电极。优选的，所述N型硅片的底部设有散热片。优选的，所述超白钢化玻璃和P型硅片之间设有密封硅胶。优选的，所述正电极和负电极的表面均设有镀银层。本技术的技术效果和优点：该高透光率电池用单晶硅片，第一减反光膜和第二减反光膜的设置可以大大减少光线反射出去，提高光线利用率，超白钢化玻璃的设置，不仅透光性好，而且增加整个装置的坚韧度，半圆形透镜的设置，使光线在透光层连续反射，提高光线利用率，P型硅片和N型硅片的设置用于将光线转化成电能，散热片的设置用于将光电转化过程中产生的热量散发出去，提高转化效率。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的剖视结构示意图。图中：1本体、2反光镜、3正电极、4负电极、5第一减反光膜、6透光层、7半圆形透镜、8第二减反光膜、9超白钢化玻璃、10 P型硅片、11空穴、12 N型硅片、13散热片。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供了如图1和图2 所示的一种高透光率电池用单晶硅片，包括本体1，所述本体1的左右两侧均设有设有反光镜2，所述本体1的上表面设置为第一减反光膜5，所述第一减反光膜5的底部设有透光层6，所述透光层6内设有半圆形透镜7，所述透光层6的底部设有第二减反光膜8，所述第二减反光膜8的底部设有超白钢化玻璃9，所述超白钢化玻璃9的底部设有P型硅片，所述P型硅片10的下方设有N型硅片12，所述P型硅片10和N型硅片12的中间设有空穴11，所述P型硅片10的一端接有正电极3，所述N型硅片12的一端接有负电极4，所述N型硅片12的底部设有散热片13，所述超白钢化玻璃9和P型硅片10之间设有密封硅胶，所述正电极3和负电极4的表面均设有镀银层。工作原理：外界光从第一减反光膜5进入，经过透光层6，半圆形透镜7可以使光线在透光层6连续反射，提高光线利用率，再经过超白钢化玻璃9进入 P型硅片10，光子在空穴11内同电子碰撞形成电能，由正电极3和负电极4导出，散热片13的设置，可以将光电转化过程中产生的热量散发出去，提高转化效率。最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高透光率电池用单晶硅片，包括本体（1），其特征在于：所述本体（1）的左右两侧均设有设有反光镜（2），所述本体（1）的上表面设置为第一减反光膜（5），所述第一减反光膜（5）的底部设有透光层（6），所述透光层（6）内设有半圆形透镜（7），所述透光层（6）的底部设有第二减反光膜（8），所述第二减反光膜（8）的底部设有超白钢化玻璃（9），所述超白钢化玻璃（9）的底部设有P型硅片，所述P型硅片（10）的下方设有N型硅片（12），所述P型硅片（10）和N型硅片（12）的中间设有空穴（11），所述P型硅片（10）的一端接有正电极（3），所述N型硅片（12）的一端接有负电极（4）。

【技术特征摘要】
1.一种高透光率电池用单晶硅片，包括本体（1），其特征在于：所述本体（1）的左右两侧均设有设有反光镜（2），所述本体（1）的上表面设置为第一减反光膜（5），所述第一减反光膜（5）的底部设有透光层（6），所述透光层（6）内设有半圆形透镜（7），所述透光层（6）的底部设有第二减反光膜（8），所述第二减反光膜（8）的底部设有超白钢化玻璃（9），所述超白钢化玻璃（9）的底部设有P型硅片，所述P型硅片（10）的下方设有N型硅片（12），所述P型硅片（10）和N型硅片（...

【专利技术属性】
技术研发人员：周士杰，陈圣铁，
申请(专利权)人：温州隆润科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33