【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子设备
,具体为一种基于硅通孔技术的三维集成电路箱。
技术介绍
穿透硅通孔技术,一般简称硅通孔技术,它是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。由于硅通孔技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小,可以有效地实现这种3D芯片层叠,制造出结构更复杂、性能更强大、更具成本效率的芯片,成为了目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。随着集成度不断提高,每片上的器件单元数量急剧增加,芯片面积增大,单元间连线的增长既影响电路工作速度又占用很多面积,严重影响集成电路进一步提高集成度和工作速度。于是产生三维集成的新技术思路。做法是:先在硅片表面做第一层电路,再在做好电路的硅片上生长一层绝缘层,在此绝缘层上再低温生长一层多晶硅,用再结晶技术使这层多晶硅变成单晶硅,至此单晶硅膜上做出第二层电路。这样依次往上做,就形成三维立体多层结构的集成电路。现在很多的三维集成电路都是电路板结构,由于三维集成电路为多层电路,工作的时候会发出很大热量,因此设计了一种基于硅通孔技术的三维集成电路箱。
技术实现思路
针对以上问题,本技术提供了一种基于硅通孔技术的三维集成电路箱,通过硅通孔技术很好的降低电路工作的损耗,三维集成电路使得电路箱具有了更高的集成度,使得电路箱体积减小了许多,便于同时对多层电路进行检测,有效的保证了电路工作的散热,值得推广。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种基于硅通孔技术的三维集成电路箱,它包括机箱与基板,所述基板设置在机箱内,所述基板上端设置有支撑杆,所述支撑杆上设置有电路板卡槽,所述电路板卡槽内设置有三 ...
【技术保护点】
一种基于硅通孔技术的三维集成电路箱,它包括机箱(1)与基板(2),所述基板(2)设置在机箱(1)内,其特征在于:所述基板(2)上端设置有支撑杆(3),所述支撑杆(3)上设置有电路板卡槽(4),所述电路板卡槽(4)内设置有三维集成电路板(5),所述三维集成电路板(5)两端连接有互联导线(6),所述互联导线(6)连接有集成芯片(7),所述集成芯片(7)设置在基板(2)上,所述基板(2)底端设置有散热片(8),所述机箱(1)下端设置有散热孔(9),所述散热片(8)穿过散热孔(9),所述电路板卡槽(4)包括卡槽主体(10),所述卡槽主体(10)内设置有电路板接口(11),所述卡槽主体(10)内设置有两个海绵缓冲垫(12)。
【技术特征摘要】
1.一种基于硅通孔技术的三维集成电路箱,它包括机箱(1)与基板(2),所述基板(2)设置在机箱(1)内,其特征在于:所述基板(2)上端设置有支撑杆(3),所述支撑杆(3)上设置有电路板卡槽(4),所述电路板卡槽(4)内设置有三维集成电路板(5),所述三维集成电路板(5)两端连接有互联导线(6),所述互联导线(6)连接有集成芯片(7),所述集成芯片(7)设置在基板(2)上,所述基板(2)底端设置有散热片(8),所述机箱(1)下端设置有散热孔(9),所述散热片(8)穿过散热孔(9),所述电路板卡槽(4)包括卡槽主体(10),所...
【专利技术属性】
技术研发人员:詹创发,
申请(专利权)人:深圳市快星半导体电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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