一种低压大功率平面稳压二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低压大功率平面稳压二极管，它包括陶瓷壳体，所述陶瓷壳体内设置有N结，所述N结内设置有P结，所述N结下端设置有底衬层，所述N结左右两端设置有扩展层，所述N结上端设置有掺杂渗透层，所述掺杂渗透层上端设置有顶端扩散层，所述P结上端设置有金属接头，所述金属接头两端设置有绝缘钝化层，所述金属接头连接有阳极引线，所述N结下端连接有阴极引线,平面型的二极管相比于传统的二极管能通过较大的电流，在大功率电路内能保持较低的电压，使得电路内不会因电压过高导致的元件损伤，提高了二极管的稳压特性，延长了二极管的使用寿命，可以很好的利用与低压大功率的电路内，值得推广。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元器件设备
，具体为一种低压大功率平面稳压二极管。
技术介绍
稳压二极管，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件，在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压，平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。现在的很多的稳压二极管在使用的时候，如果电路功率过大，会导致二极管反向击穿状态失衡，导致二极管损坏，使得电路内电压过大，进而使得电路不能正常运行，严重时甚至会导致电路短路烧毁，因此设计了一种低压大功率平面稳压二极管。
技术实现思路
针对以上问题，本技术提供了一种低压大功率平面稳压二极管，平面型的二极管相比于传统的二极管能通过较大的电流，在大功率电路内能保持较低的电压，使得电路内不会因电压过高导致的元件损伤，提高了二极管的稳压特性，延长了二极管的使用寿命，可以很好的利用与低压大功率的电路内，值得推广。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种低压大功率平面稳压二极管，它包括陶瓷壳体，所述陶瓷壳体内设置有N结，所述N结内设置有P结，所述N结下端设置有底衬层，所述N结左右两端设置有扩展层，所述N结上端设置有掺杂渗透层，所述掺杂渗透层上端设置有顶端扩散层，所述P结上端设置有金属接头，所述金属接头两端设置有绝缘钝化层，所述金属接头连接有阳极引线，所述N结下端连接有阴极引线。作为本技术一种优选的技术方案，所述阳极引线与阴极引线上均设置有防折橡胶套。作为本技术一种优选的技术方案，所述阳极引线上设置有识别环，所述识别环上设置有荧光层。作为本技术一种优选的技术方案，所述陶瓷壳体两端设置有玻璃纤维防火层。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术通过底衬层很好的支撑住N结，N结两端设置的扩展层使得PN结内部电子扩散速度变大，通过上端的掺杂渗透层增加了PN结的结构稳定性，使得二极管能承受更大的电流，平面型的二极管相比于传统的二极管能通过较大的电流，在大功率电路内能保持较低的电压，使得电路内不会因电压过高导致的元件损伤，提高了二极管的稳压特性，延长了二极管的使用寿命，可以很好的利用与低压大功率的电路内，值得推广。附图说明图1为本技术结构示意图；图中：1-陶瓷壳体，2-N结，3-P结，4-底衬层，5-扩展层，6-掺杂渗透层，7-顶端扩展层，8-金属接头，9-绝缘钝化层，10-阳极引线，11-阴极引线，12-防折橡胶套，13-识别环，14-荧光层，15-玻璃纤维防火层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例：请参阅图1，本技术提供一种技术方案：一种低压大功率平面稳压二极管，它包括陶瓷壳体1，陶瓷壳体1内设置有N结2，N结2内设置有P结3，N结2下端设置有底衬层4，N结2左右两端设置有扩展层5，N结2上端设置有掺杂渗透层6，掺杂渗透层6上端设置有顶端扩散层7，P结3上端设置有金属接头8，金属接头8两端设置有绝缘钝化层9，金属接头8连接有阳极引线10，N结2下端连接有阴极引线11，阳极引线10与阴极引线11上均设置有防折橡胶套12，阳极引线10上设置有识别环13，识别环13上设置有荧光层14，陶瓷壳体1两端设置有玻璃纤维防火层15。通过底衬层很好的支撑住N结，N结两端设置的扩展层使得PN结内部电子扩散速度变大，通过上端的掺杂渗透层增加了PN结的结构稳定性，使得二极管能承受更大的电流，平面型的二极管相比于传统的二极管能通过较大的电流，在大功率电路内能保持较低的电压，使得电路内不会因电压过高导致的元件损伤，提高了二极管的稳压特性，延长了二极管的使用寿命，可以很好的利用与低压大功率的电路内，值得推广。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低压大功率平面稳压二极管，它包括陶瓷壳体（1），其特征在于：所述陶瓷壳体（1）内设置有N结（2），所述N结（2）内设置有P结（3），所述N结（2）下端设置有底衬层（4），所述N结（2）左右两端设置有扩展层（5），所述N结（2）上端设置有掺杂渗透层（6），所述掺杂渗透层（6）上端设置有顶端扩散层（7），所述P结（3）上端设置有金属接头（8），所述金属接头（8）两端设置有绝缘钝化层（9），所述金属接头（8）连接有阳极引线（10），所述N结（2）下端连接有阴极引线（11）。

【技术特征摘要】
1.一种低压大功率平面稳压二极管，它包括陶瓷壳体（1），其特征在于：所述陶瓷壳体（1）内设置有N结（2），所述N结（2）内设置有P结（3），所述N结（2）下端设置有底衬层（4），所述N结（2）左右两端设置有扩展层（5），所述N结（2）上端设置有掺杂渗透层（6），所述掺杂渗透层（6）上端设置有顶端扩散层（7），所述P结（3）上端设置有金属接头（8），所述金属接头（8）两端设置有绝缘钝化层（9），所述金属接头（8）连接有阳极引线（10），所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹创发，
申请(专利权)人：深圳市快星半导体电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44