本实用新型公开了一种硅高频低噪声晶体三极管，包括底座，底座的上表面固定安装有管帽，管帽内安装有三极管芯片，三极管芯片的侧边引出三个电极，左边为基极，中间为发射极，右边为集电极，电极上均焊接有引脚，引脚从管帽内伸出至底座的外边沿，底座上对...

本实用新型公开了一种用于智能功率集成电路的功率半导体器件，包括半导体衬底和功率芯片，半导体衬底的顶部掩埋有多级场板，功率芯片焊接在多级场板的上表面，功率芯片与多级场板之间采用高熔点焊片连接；功率芯片的下表面连接有欧姆接触电极，上表面连接...

本实用新型公开了一种基于硅通孔技术的三维集成电路箱，它包括机箱与基板，所述基板设置在机箱内，所述基板上端设置有支撑杆，所述支撑杆上设置有电路板卡槽，所述电路板卡槽内设置有三维集成电路板，所述三维集成电路板两端连接有互联导线，所述互联导线...

本实用新型公开了一种低压大功率平面稳压二极管，它包括陶瓷壳体，所述陶瓷壳体内设置有N结，所述N结内设置有P结，所述N结下端设置有底衬层，所述N结左右两端设置有扩展层，所述N结上端设置有掺杂渗透层，所述掺杂渗透层上端设置有顶端扩散层，所述...

本实用新型公开了一种新型功率半导体器件及其边缘终端结构，包括多段浮空场板和功率芯片，多段浮空场板的下表面焊接有底板，功率芯片包括结型场效应晶体管和结型势垒肖特基二极管，结型场效应晶体管包括P型沟道区、N型漂移区和阴极P型体区，P型沟道区...

本实用新型公开了一种基于介电润湿效应的液体场效应管，包括本体，所述本体内设置有电离子层和沟道，所述沟道与电离子层呈垂直分布，所述电离子层内包括有电解质溶液层和探针，所述探针共有两个且均与电解质溶液层顶部相连接，所述本体上端设置有疏水介质...

本实用新型公开了一种硅基大倍数红外光敏三极管，包括衬板，衬板的上表面固定安装有外壳，衬板的中间有凸台，凸台上镶嵌有管芯，所述衬板的下端粘接有绝缘层，管芯的底端焊接有引脚；外壳上对应管芯的位置安装有玻璃凸镜；管芯包括衬底，衬底的上端为集电...

本实用新型公开了一种高性能小分子有机光敏场效应管，包括本体，还包括有机介质区和增强区，所述增强区和有机介质区均设置在本体内且为上下间隔分布，所述增强区内包括有小分子层和载流子集中块，所述载流子集中块与小分子层相连接，所述本体上端连接有透...