【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及低压纳米氧化锌薄膜压敏电阻的制备工艺。
技术介绍
压敏电阻是一种限压型保护器件，具有大电流处理和能量吸收能力，在保护电力设备安全、保障电子设备正常稳定工作方面起着重要作用，广泛应用于航空、航天、电力、邮电、铁路、汽车、家用电器等领域。目前，制备ZnO陶瓷薄膜压敏电阻中，所使用的薄膜膜厚一般为数十至数百nm，因膜厚过小，压敏性能及其稳定性就比较差，使得压敏电阻很难达到实际应用要求。要使其性能优化需增大膜厚，而膜厚增大容易出现裂纹，使薄膜性能降低。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足，本专利技术提供了低压纳米氧化锌薄膜压敏电阻的制备工艺，具体技术方案如下：低压纳米氧化锌薄膜压敏电阻的制备工艺，具体步骤为：1)先在ZnO溶胶中，掺入铋离子Bi3+、锑离子Sb3+、锰离子Mn2+、铬离子Cr3+和钴离子Co3+，升温混合搅拌，加入锆球和无水乙醇，行星式球磨6～8小时；2)然后在60～80℃环境下干燥，直至完全烘干，即得到ZnO纳米粉体；3)将步骤2)中烘干的粉体用研钵碾碎，加入质量浓度为5％的聚乙烯醇水溶液，造粒，然后在80～100℃烘箱中烘焙，得造粒粉料；4)将步骤3)所得粉料压制成重量为0.98～1.05g的生坯体，再进行烧结；5)将烧结好的瓷片印银、还原、焊接、包封。所述步骤1)中锆球、无水乙醇的重量比为1:3～5:1。所述步骤2)中ZnO纳米粉体粒径在30nm～70nm之间。所述步骤3)中聚乙烯醇水溶液的重量占烘干粉体总重量的20～30％。所述步骤3)中造粒粉料的含水率为0.45～0.55％。所述步骤4)中烧结温度为1200～1300℃。本专...
【技术保护点】
低压纳米氧化锌薄膜压敏电阻的制备工艺，其特征在于，具体步骤为：1)先在ZnO溶胶中，掺入铋离子Bi3+、锑离子Sb3+、锰离子Mn2+、铬离子Cr3+和钴离子Co3+，升温混合搅拌，加入锆球和无水乙醇，行星式球磨6～8小时；2)然后在60～80℃环境下干燥，直至完全烘干，即得到ZnO纳米粉体；3)将步骤2)中烘干的粉体用研钵碾碎，加入质量浓度为5％的聚乙烯醇水溶液，造粒，然后在80～100℃烘箱中烘焙，得造粒粉料；4)将步骤3)所得粉料压制成重量为0.98～1.05g的生坯体，再进行烧结；5)将烧结好的瓷片印银、还原、焊接、包封。
【技术特征摘要】
1.低压纳米氧化锌薄膜压敏电阻的制备工艺，其特征在于，具体步骤为：1)先在ZnO溶胶中，掺入铋离子Bi3+、锑离子Sb3+、锰离子Mn2+、铬离子Cr3+和钴离子Co3+，升温混合搅拌，加入锆球和无水乙醇，行星式球磨6～8小时；2)然后在60～80℃环境下干燥，直至完全烘干，即得到ZnO纳米粉体；3)将步骤2)中烘干的粉体用研钵碾碎，加入质量浓度为5％的聚乙烯醇水溶液，造粒，然后在80～100℃烘箱中烘焙，得造粒粉料；4)将步骤3)所得粉料压制成重量为0.98～1.05g的生坯体，再进行烧结；5)将烧结好的瓷片印银、还原、焊接、包封。2.根据权利要求1所述的低压纳米氧化锌薄膜压敏电阻的...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫宁，
申请(专利权)人：西安立伟电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。