用于交替的封装功能的微电子衬底制造技术

本公开内容涉及被制造为具有重叠的连接区的微电子衬底，例如插入器、主板、测试平台等，以使得不同的微电子设备(例如微处理器、芯片组、图形处理设备、无线设备、存储器设备、专用集成电路等)可以交替地连接到微电子衬底，以形成功能的微电子封装。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2012年6月4日、专利技术名称为“用于交替的封装功能的微电子衬底”的专利申请201280027841.0的分案申请。专利技术背景本公开内容通常涉及微电子设备封装的领域，且特别是涉及用于使微电子设备互连以形成功能的微电子封装的微电子衬底的制造。附图说明本公开内容的主题被特别指出并在说明书的总结部分中被清楚地要求。根据结合附图所做出的以下描述和所附权利要求，本公开内容的前述和其它特征将变得更加明显。应理解，附图只描绘根据本公开内容的几个实施例，并且因此不应被考虑为其范围的限制。将通过使用附图额外具体和详细地描述本公开内容，以便可更容易地确定本公开内容的优点，其中：图1示出根据本说明书的一个实施例的衬底的侧截面图，该衬底具有连接到其的第一微电子设备。图2示出根据本说明书的一个实施例的衬底的侧截面图，该衬底具有连接到其的第二微电子设备。图3示出说明本说明书的衬底的实施例的图2的插图A的侧截面图。图4示出说明根据本说明书的衬底的一个实施例的沿着图1或图2的线4-4的顶部平面图。图5示出根据本说明书的衬底的另一实施例的顶部平面图。图6示出根据本说明书的衬底的又一实施例的顶部平面图。图7示出插置在第二微电子设备上的第一微电子设备的实施例的顶部平面示意图，其示出其间的公共微电子元件。图8示出根据本说明书的一个实施例的衬底的侧截面图，其中衬底被示为具有焊接型外部互连的插入器。图9示出根据本说明书的一个实施例的衬底的侧截面图，其中衬底被示为具有管脚型外部互连的插入器。图10示出根据本说明书的实施例的便携式电子设备的实施例。图11示出根据本说明书的实施例的计算机系统的实施例。具体实施方式在下面的详细描述中，参考附图，其通过说明的方式示出特定的实施例，其中所要求的主题可被实践。这些实施例被足够详细地描述，以使本领域中的技术人员能够实践本主题。应理解，各种实施例虽然是不同的，但并不必需是相互排他的。例如，在不偏离所要求的主题的精神和范围的情况下，在本文结合一个实施例描述的特定特征、结构或特性可在其它实施例中实现。在这个说明书中对“一个实施例”或“实施例”的引用意指结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在包含在本专利技术中的至少一个实现中。因此，短语“一个实施例”或“在实施例中”的使用并不必需指同一实施例。此外，应理解的是，在不偏离所要求的主题的精神和范围的情况下，在每个公开的实施例内的单独元件的位置或布置可被修改。下面的详细描述因此不应在限制的意义上理解，且主题的范围连同所附权利要求享有权利的等效形式的全部范围仅由被合适说明的所附权利要求来限定。在附图中，相似的数字在数副视图中始终指相同的或类似的元件或功能，以及其中描绘的元件不必需彼此成比例，更确切地，单独的元件可被放大或减小，以便在本说明书的上下文中更容易理解该元件。在本说明书的各种实施例中，微电子衬底被制造有重叠的连接区，以使得不同的微电子设备可以交替地连接到微电子衬底以形成功能的微电子封装。在微电子封装的生产中，通常将一个或多个微电子设备安装在微电子衬底上用于封装目的。如本领域技术人员将理解的，微电子衬底可以是适于期望目的的任何衬底，包括但不限于插入器、主板、测试平台等。微电子设备可包括但不限于微处理器、芯片组、图形处理设备、无线设备、存储器设备、专用集成电路等。微电子衬底可包括核心，其具有在其一个表面上形成的至少一个迹线网络。迹线网络可包括多层介电材料、导电迹线和通过介电材料层的通孔，微电子芯片、微电子设备和/或微电子部件可电连接到该介电材料层。迹线网络可实现其上安装的微电子芯片、微电子设备和/或微电子部件之间的互连，并且也可连接到外部互连，例如用于与外部部件电通信的焊球或管脚。外部互连可以形成在微电子衬底的第一表面上，或微电子衬底的相对的第二表面上。图1-3示出根据本说明书的一个实施例的微电子衬底100的侧截面视图。如图1-3所示，微电子衬底100可包括具有第一迹线网络104的核心(core)102，该第一迹线网络104形成在衬底核心102的第一表面106上。衬底核心102可以是任何合适的材料(包括但不限于bismaleimine三嗪树脂、阻燃第四级材料、聚酰亚胺材料、玻璃加强环氧树脂基质材料等)，以及层压材料或其多层。如本领域中的技术人员将理解的，第一微电子设备110(参见图1)或第二微电子设备120(参见图2)(例如微处理器、芯片组、存储器设备、ASIC等)可通过从在第一微电子设备110上的焊盘(未示出)延伸的多个互连122(参见图1)或通过从在第二微电子设备120上的焊盘(未示出)延伸的多个互连124(参见图2)至在第一迹线网络104中或上的其相应的接触连接盘108而连接到第一迹线网络104，以在其间产生电接触。底层填料材料(未示出)可分散在第一微电子设备110(参见图1)或第二微电子设备120(参见图2)与微电子衬底100之间，以提供机械支持、污染保护，并提高封装可靠性。图3(图1的插图A)示出第一迹线网络104的实施例，该第一迹线网络104包括在衬底核心的第一表面106上形成的至少一个介电层(被示为元件1121-1124)与在各种介电层1121-1124上并穿过各种介电层1121-1124而形成的多个导电迹线114。虽然示出四个介电层1121-1124，然而可形成任何合适数量的层。介电层1121-1124可以是任何合适的介电材料，包括但不限于二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化硅(Si3N4)、填充硅石的环氧树脂材料等，其可通过本领域中已知的任何已知技术(包括但不限于化学气相沉积(“CVD”)、物理气相沉积(“PVD”)、原子层沉积(“ALD”)等)来形成。导电迹线114可以是任何合适的导电材料，包括但不限于金属，例如铜、金、银、铝、其合金等，并可由本领域中已知的任何技术(包括形成穿过单独的介电层1121-1124(例如通过激光消融、离子消融和光刻蚀刻)的通孔、沉积导电材料层、以及通过本领域中的任何已知技术(包括光刻法)来图案化导电材料层)来形成，其中光刻胶材料在导电材料层上被图案化，且其部分使用光刻胶材料作为对蚀刻剂的遮蔽而被蚀刻掉。如另外在图3中所示的，多个接触连接盘108可例如通过沉积和石印图案化技术形成在最外面的介电层(被示为元件1124)上或中。接触连接盘108可被形成为穿过最外面的介电层(被示为元件1124)延伸，以每个接触至少一个导电迹线114。阻焊层116可以在最外面的介电层(被示为元件1124)上被图案化，该最外面的介电层具有穿过其的多个开口118以暴露每个接触连接盘108的一部分。阻焊层116可以是任何合适的材料，例如聚合材料，并可用于确保多个图1的第一微电子设备互连122或图2的第二微电子设备互连124中的每个保持在期望的区域中，如本领域中的技术人员将理解的。图4示出根据本说明书的一个实施例的微电子衬底100的顶部平面图，其示出适于容纳不同功能的微电子设备以形成功能微电子封装的接触连接盘的配置。如图4所示，微电子衬底100可包括被示为元件1081和108c的多个接触连接盘。为了清楚起见加阴影的接触连接盘108c是关于第一微电子设备110(参见图1)和第二微电子设备120(参见图2)的公共连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微电子装置，包括：衬底，其具有第一表面；多个接触连接盘，其形成在所述衬底的第一表面上；第一接触区，所述多个接触连接盘中的一部分被限定在所述第一接触区中；第二接触区，所述多个接触连接盘中的至少一部分被限定在所述第二接触区中，其中第一接触区与所述第二接触区的至少一部分重叠，其中至少一个接触连接盘在所述多个接触连接盘中的在所述第一接触区中的所述部分与所述多个接触连接盘中的在所述第二接触区中的所述部分之间是公共的，并且其中所述多个接触连接盘中的在所述第一接触区中的所述部分内限定的至少一个接触连接盘与所述多个接触连接盘中的在所述第二接触区中的所述部分是非公共的；以及第一微电子设备或第二微电子设备，其中所述第一微电子设备连接到所述多个接触连接盘中的在所述第一接触区中的所述部分内的所有接触连接盘，所述第二微电子设备连接到所述多个接触连接盘中的在所述第二接触区中的所述部分内的所有接触连接盘。

【技术特征摘要】
2011.06.06 US 13/153,6081.一种微电子装置，包括：衬底，其具有第一表面；多个接触连接盘，其形成在所述衬底的第一表面上；第一接触区，所述多个接触连接盘中的一部分被限定在所述第一接触区中；第二接触区，所述多个接触连接盘中的至少一部分被限定在所述第二接触区中，其中第一接触区与所述第二接触区的至少一部分重叠，其中至少一个接触连接盘在所述多个接触连接盘中的在所述第一接触区中的所述部分与所述多个接触连接盘中的在所述第二接触区中的所述部分之间是公共的，并且其中所述多个接触连接盘中的在所述第一接触区中的所述部分内限定的至少一个接触连接盘与所述多个接触连接盘中的在所述第二接触区中的所述部分是非公共的；以及第一微电子设备或第二微电子设备，其中所述第一微电子设备连接到所述多个接触连接盘中的在所述第一接触区中的所述部分内的所有接触连接盘，所述第二微电子设备连接到所述多个接触连接盘中的在所述第二接触区中的所述部分内的所有接触连接盘。2.如权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一接触区所具有的在所述多个接触连接盘中的在所述第一接触区中的所述部分内的接触连接盘的数量大于所述多个接触连接盘中的在所述第二接触区中的所述部分内的接触连接盘的数量；并且其中，所述多个接触连接盘中的在所述第二接触区中的所述部分中的所有接触连接盘与所述多个接触连接盘中的在所述第一接触区中的所述部分是公共的。3.如权利要求1所述的微电子装置，其中所述衬底包括：衬底核心；以及第一迹线网络，其形成在所述衬底核心的第一表面上，其中所述多个接触连接盘形成在所述第一迹线网络中或形...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·侯赛因，C·C·李，D·W·布朗宁，I·M·派因斯，B·P·凯利，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US