有机光电材料以及包括该有机光电材料的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种有机光电材料以及包括该有机光电材料的有机电致发光器件，有机光电材料由下述式Ⅰ所示，其中Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自碳原子数为6～36的芳基、碳原子数为6～40的芳胺基以及含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基中的一种，X选自O原子或S原子，Ar1、Ar2和Ar3中的至少一者选自碳原子数为6～40的芳胺基或者含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基。该有机光电材料具有高的热稳定性和高的玻璃化温度，易于形成良好的无定形薄膜，可应用于有机电致发光器件中，尤其是作为空穴注入材料应用在有机电致发光器件中，从而能够使得有机电致发光器件实现高亮度，高的量子效率、高的电流效率、高的功率效率以及低的驱动电压的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种有机光电材料以及包括该有机光电材料的有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件(organic light emitting diode,简称为OLED)的相关研究始于19世纪60年代，直到80年代末OLED才蓬勃发展起来。由于OLED具有全固态、低压驱动、主动发光、响应快速、宽视角、发光面积大、发光波长覆盖整个可见光区以及色彩丰富等优点，从而在实现全色大面积显示领域具有很大的优势，成为极具前景的平板显示器件。有机电致发光器件的发光亮度正比于空穴和电子的浓度以及激子的复合概率的乘积，想要获得较高的发光效率，不仅需要空穴和电子能够有效注入、传输及复合，而且要求空穴和电子注入达到平衡。因此，在有机电致发光器件中，有机层之间及有机层与两电极的能带匹配对器件复合发光非常重要。为了优化和平衡OLED的各项性能,人们引入了多种不同作用的功能层,例如空穴注入层、空穴阻挡层等。在氧化铟锡(简称为ITO)为阳极材料的阳极层和空穴传输层之间加入空穴注入层的作用主要表现在降低界面势垒、增加空穴传输层与ITO电极的黏附能力、提高其稳定性以及平衡电子和空穴注入等方面。根据有机电致发光器件所包含的膜层种类，用于制备有机电致发光器件所用到的材料大致为如下几种：空穴注入材料，空穴传输材料，发光材料，电子传输材料和电子注入材料。然而，在现有技术中，电子传输材料、空穴注入材料以及空穴传输材料是阻挡OLED技术全面实用化的较大障碍，其直接限制了OLED的发光效率、使用寿命及操作电压等。目前除三芳胺衍生物或咔唑衍生物以外，可用作空穴注入材料主要为六氮杂三亚苯衍生物，尤其需要指出的空穴注入材料是氰基取代物(HaT-CN，具体参见WO 01/049806)，但其使用寿命、效率及操作电压等还需一直改善。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种有机光电材料，由下述式Ⅰ所示，该有机光电材料具有高的热稳定性和高的玻璃化温度，易于形成良好的无定形薄膜，可应用于有机电致发光器件中，尤其是作为空穴注入材料应用在有机电致发光器件中，从而能够使得有机电致发光器件实现高亮度，高的量子效率、高的电流效率、高的功率效率以及低的驱动电压的效果。在上述式Ⅰ中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自碳原子数为6～36的芳基、碳原子数为6～40的芳胺基以及含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基中的一种，X选自O或S，Ar1、Ar2和Ar3中的至少一者选自碳原子数为6～40的芳胺基或者含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基。当Ar1、Ar2和Ar3中只有一者选自碳原子数为6～40的芳胺基或者含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基，则剩余的两者可为相同的取代基，也可为不同的取代基。当Ar1、Ar2和Ar3中有两者均选自碳原子数为6～40的芳胺基或者含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基，则上述两者可为相同的取代基，也可为不同的取代基。在上述式Ⅰ中，取代基Ar1、Ar2和Ar3如下所述。碳原子数为6～36的芳基，例如苯基、苯烷基、至少含有一个苯基的芳基如联苯基、三联苯基等均可，还可举出稠环芳烃基如萘基、蒽基、菲基等均可，此外联苯基和稠环芳烃基还可被烷基或是芳基如苯基所取代。优选地，选择碳原子数为6～25的芳基，进一步优选地，选择碳原子数为6～20的芳基，更进一步优选地，选择碳原子数为6～18的芳基。作为芳基的实例，具体可以举出如下各式所示的基团：更具体地，作为芳基的实例，具体可以举出如下各式所示的基团：碳原子数为6～40的芳胺基，其中可由例如氨(NH3)上的氢被芳基如苯基取代后形成，形成的基团中，与其他基团键合的单键优选位于芳基上，芳基的取代个数可为1个、2个或3个，其中芳基优选上述所提及芳基，故此不再赘述。优选地，选择碳原子数为6～30的芳胺基，更进一步优选地，选择碳原子数为20～30的芳胺基，最优选碳原子数为24～30的芳胺基。类似的，含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基，则可由氨(NH3)上的至少一个氢被芳族杂环基例如咔唑基所取代后所形成，形成的基团中，与其他基团键合的单键优选位于芳基或者芳族杂环基上，优选与其他基团键合的单键位于芳基上，另外同样的，被取代的氢原子的个数可为1个、2个或3个。芳族杂环基优选含有N原子，N原子的个数并不受到具体的限制，例如可为1个、2个、3个、4个或5个。在芳族杂环基中，优选碳原子的个数为6～25，进一步优选地，碳原子的个数为10～25，更进一步优选地，碳原子的个数为18～22。芳族杂环基的实例可包括稠合杂环基、单环芳族杂环基和多环芳族杂环基等，其中稠合杂环基，可由单环芳族或非芳族杂环(杂环可以不同)缩合而得到。在所述芳族杂环基中，杂原子上还可以键合取代基例如烷基、芳基如苯基或者烯基，此外，单环芳族杂环基上的氢还可被其他基团例如芳基或者芳族杂环基所取代。优选地，选择碳原子数为6～38的含有芳族杂环基的芳胺基，进一步优选地，选择碳原子数为20～35的含有芳族杂环基的芳胺基，更进一步优选地，选择碳原子数为30～34的含有芳族杂环基的芳胺基。作为芳族杂环基的实例，具体可以举出：更具体地，可举出如下实例：优选地，所述芳胺基、含有芳族杂环基的芳胺基依次由下述式Ⅱ、式Ⅲ所示，也就是说，Ar1、Ar2和Ar3中的至少一者可由下述式Ⅱ或式Ⅲ所示：在上述式Ⅱ以及式Ⅲ中，Ar41和Ar51各自独立地选自碳原子数为6～15的亚芳基，Ar42和Ar43各自独立地选自碳原子数为6～25的芳基，Ar52和Ar53各自独立地选自碳原子数为6～25的芳基或者碳原子数为6～25的芳族杂环基，且Ar52和Ar53中的至少一者为芳族杂环基。在上述式Ⅱ以及式Ⅲ中，取代基Ar41、Ar51、Ar42、Ar43、Ar52和Ar43如下所述。碳原子数为6～15的亚芳基，例如可为亚苯基、亚苯烷基、至少含有一个苯基的亚芳基例如亚联苯基、亚稠环芳烃基，其中在亚联苯基和亚稠环芳烃基上的碳可以键合烷基和/或烯基。亚芳基中碳原子数优选的上限值可为7、8、9、10、12、14，优选的下限值可为6、7、8、9。作为亚芳基的实例，具体可以举出如下基团：碳原子数为6～25的芳基，例如苯基、苯烷基、至少含有一个苯基的芳基如联苯基、三联苯基等均可，还可举出稠环芳烃基如萘基、蒽基、菲基等均可，此外联苯基和稠环芳烃基还可被烷基或是芳基如苯基所取代。优选地，选择碳原子数为6～20的芳基，进一步优选地，选择碳原子数为6～18的芳基。作为芳基的具体实例在前述中已经提到，故此不再一一赘述。碳原子数为6～25的芳族杂环基，优选含有N原子，N原子的个数并不受到具体的限制，例如可为1个、2个、3个、4个或5个。优选地，芳族杂环基的碳原子的个数为10～25，进一步优选地，芳族杂环基的碳原子的个数为18～22。芳族杂环基的实例可包括稠合杂环基、单环芳族杂环基和多环芳族杂环基等，其中稠合杂环基，可由单环芳族或非芳族杂环(杂环可以不同)缩合而得到。在所述芳族杂环基中，杂原子上还可以键合取代基例如烷基、芳基如苯基或者烯基，此外，单环芳族杂环基上的氢还可被其他基团例如芳基或者芳族杂环基所取代。作为芳族杂环基的实例如前所述，故此不再赘述。作为芳胺基的实例，具体可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机光电材料，其特征在于，由下述式Ⅰ所示：其中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自碳原子数为6～36的芳基、碳原子数为6～40的芳胺基以及含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基中的一种，X选自O或S，Ar1、Ar2和Ar3中的至少一者选自碳原子数为6～40的芳胺基或者含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基。

【技术特征摘要】
1.一种有机光电材料，其特征在于，由下述式Ⅰ所示：其中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自碳原子数为6～36的芳基、碳原子数为6～40的芳胺基以及含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基中的一种，X选自O或S，Ar1、Ar2和Ar3中的至少一者选自碳原子数为6～40的芳胺基或者含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基。2.根据权利要求1所述的有机光电材料，其特征在于，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自碳原子数为6～25的芳基、碳原子数为6～30的芳胺基以及含有具有氮原子的芳族杂环基且碳原子数为6～38的芳胺基中的一种。3.根据权利要求1所述的有机光电材料，其特征在于，所述芳胺基、含有芳族杂环基的芳胺基依次由下述式Ⅱ、式Ⅲ所示：其中，Ar41和Ar51各自独立地选自碳原子数为6～15的亚芳基，Ar42和Ar43各自独立地选自碳原子数为6～25的芳基，Ar52和Ar53各自独立地选自碳原子数为6～25的芳基或者碳原子数为6～25的芳族杂环基，且Ar52和Ar53中的至少一者为芳族杂环基。4.根据权利要求3所述的有机光电材料，其特征在于，Ar41和Ar51各自独立地选自碳原子数为6～12的亚芳基，Ar42和Ar43各自独立地选自碳原子数为6～18的芳基，Ar52和Ar...

【专利技术属性】
技术研发人员：付文岗，孙虎，杨福山，林存生，胡葆华，孟凡民，
申请(专利权)人：中节能万润股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37