【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学气相沉积装置,具体地说是一种用于化学气相沉积装置的防跳电结构。
技术介绍
化学气相沉积(CVD,Chemical Vapor Deposition),是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中,很多薄膜都是采用CVD方法制备。如图1所示,是一种通过射频(RF)来实现SiO2的生成反应的化学气相沉积装置。当RF通过射频发生器1产生,通过匹配网2、配电网3和喷头5到达加热部件7后,会通过与加热部件7相连的一段导线从电容器9接地,图中序号6为被处理的晶圆,序号4表示气源通道。因为加热部件7会产生高达400℃的高温,会致使接地导线老化而导致接触不良,在此情况下,RF会穿透加热部件7进入交流回路8,进而导致化学气相沉积装置跳电甚至交流回路8的电源线烧毁。现有技术中,为了防止产生上述故障,采取的应对措施是对加热部件7接地端导线进行定期测量及更换。这种措施存在以下缺点:1、增加了保养内容,影响了保养效率;2、更换备件,提高了生产成本;3、对于突然发生的异常无法及时发现。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题,提供一种用于化学气相沉积装置的防跳电结构,该结构可及时发现异常,提高保养效率,降低生产成本。按照本专利技术的技术方案:一种用于化学气相沉积装置的防跳电结构,所述化学气相沉积装置包括控制单元与通过RF接地导线接地的加热部件,所述加热部件与交流回路相连,所述控制单元具有内连锁回路,所述交流回路上配置有热感应器,该热感应器还与所述内连锁回路相连,RF信号在所述 ...
【技术保护点】
一种用于化学气相沉积装置的防跳电结构,所述化学气相沉积装置包括控制单元与通过RF接地导线接地的加热部件,所述加热部件与交流回路相连,所述控制单元具有内连锁回路,其特征是:所述交流回路上配置有热感应器,该热感应器还与所述内连锁回路相连,RF信号在所述RF接地导线断路后进入所述交流回路并引起所述交流回路的温度变化,所述热感应器根据该温度变化控制所述内联锁回路的通断。
【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积装置的防跳电结构,所述化学气相沉积装置包括控制单元与通过RF接地导线接地的加热部件,所述加热部件与交流回路相连,所述控制单元具有内连锁回路,其特征是:所述交流回路上配置有热感应器,该热感应器还与所述内连锁回路相连,RF信号在所述RF接地导线断路后进入所述交流回路并引起所述交流回路的温度变化,所述热感应器根据该温度变化控制所述内联锁回路的通断。2.按照权利要求1所述的用于化学气相沉积装置的防跳电结构,其特征是:所述的所述热感应器根据该温度变化控制内联锁回路的通断,具体为,所述交流回...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴浩,
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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