高频通信用基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种高频通信用基板及其制造方法。该高频通信用基板(10)包括：基材(11)，其具有低介电常数(Dk)和低介质损耗因子(Df)；和离子注入层(13)，其位于基材(11)的表面(12)下方。制造高频通信用基板的方法包括：对基材的表面进行前处理，该基材具有低介电常数(Dk)和低介质损耗因子(Df)；和通过离子注入将导电材料注入到经前处理后的基材的表面下方，形成离子注入层。

【技术实现步骤摘要】
201510750173

【技术保护点】
一种高频通信用基板，包括：基材，其具有低介电常数(Dk)和低介质损耗因子(Df)；和离子注入层，其位于所述基材的表面下方。

【技术特征摘要】
1.一种高频通信用基板，包括：基材，其具有低介电常数(Dk)和低介质损耗因子(Df)；和离子注入层，其位于所述基材的表面下方。2.根据权利要求1所述的高频通信用基板，其特征在于，所述基材的介电常数(Dk)小于3.5。3.根据权利要求1所述的高频通信用基板，其特征在于，所述基材的介质损耗因子(Df)小于0.01。4.根据权利要求1所述的高频通信用基板，其特征在于，所述高频通信用基板用于频率为5GHz以上的信号传输。5.根据权利要求1所述的高频通信用基板，其特征在于，所述基材为LCP基材、PP基材、PEEK基材、BT基材、环氧树脂基材、CE基材、PPE基材、PTFE基材、或者它们的改性基材。6.根据权利要求1所述的高频通信用基板，其特征在于，所述离子注入层位于所述基材的表面下方1-500nm的深度内，并且在其中，导电材料与所述基材形成稳定的掺杂结构。7.根据权利要求1所述的高频通信用基板，其特征在于，所述离子注入层包括邻近所述基材的Ni或Ni-Ti合金层、和注入所述Ni或Ni-Ti合金层中的Cr离子层。8.根据权利要求1所述的高频通信用基板，其特征在于，所述高频通信用基板还包括附着于所述离子注入层上的等离子体沉积层，所述等离子体沉积层由导电材料组成，具有1-10000nm的厚度。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的高频通信用基板，其特征在于，组成所述离子注入层和/或所述等离子体沉积层的导电材料包括Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它们之间的合金中的一种或多种。10.根据权利要求1所述的高频通信用基板，其特征在于，所述高频通信用基板还包括附着于所述离子注入层上的导体加厚层，其具有0.01-1000μm的厚度，并由Cu、Mn、Ni、Fe、Ti、Cr、Co以及它们之间的合金中的一种或多种组成。11.根据权利要求10所述的高频通信用基板，其特征在于，所述导体加厚层与所述基材之间的接合面具有0.4μm以下的表面粗糙度，所述导体加厚层与所述基材之间的结合力为0.5N/mm以上。12.根据权利要求11所述的高频通信用基板，其特征在于，所述导体加厚层与所述基材之间的接合面具有0.001-0.1μm的表面粗糙度，所述导体加厚层与所述基材之间的结合力为0.8N/mm以上。13.根据权利要求8所述的高频通信用基板，其特征在于，所述高频通信用基板还包括附着于所述等离子体沉积层上的导体加厚层，其具有0.01-1000μm的厚度，并由Cu、Mn、Ni、Fe、Ti、Cr、Co以及它们之间的合金中的一种或多种组成。14.根据权利要求8或13所述的高频通信用基板，其特征在于，所述等离子体沉积层与所述基材之间的接合面具有0.4μm以下的表面粗糙度，所述等离子体沉积层与所述基材之间的结合力为0.5N/mm以上。15.根据权利要求14所述的高频通信用基板，其特征在于，所述等离子体沉积层与所述基材之间的接合面具有0.001-0.1μm的表面粗糙度，所述等离子体沉积层与所述基材之间的结合力为0.8N/mm以上。16.一种制造高频通信用基板的方法，包括：对基材的表面进行前处理，所述基材具有低介电常数(Dk)和低介质损耗因子(Df)；和通过离子注入将导电材料注入到经前处理后的所述基材的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志建，白四平，吴香兰，杨志刚，张金强，程文则，
申请(专利权)人：珠海市创元开耀电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44