本发明专利技术提供能抑制因钕成分的再附着而导致的异常形状的导电图案形成方法、半导体装置、以及电子设备。本发明专利技术的导电图案形成方法的一方式的特征在于，具有：在基材上形成铝钕合金膜的工序；在铝钕合金膜上形成具有铝钕合金膜的厚度的1/4倍以上的厚度的导电膜的工序；以及采用干法蚀刻对铝钕合金膜和导电膜进行图案化的工序。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及导电图案形成方法、半导体装置、以及电子设备。
技术介绍
例如，如专利文献1所示，提出了使用铝钕合金(AINd合金)作为层叠布线的金属层的结构。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2012-103698号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题以往，在通过图案化而形成包含上述那样的用AINd合金形成的金属层的层叠布线时，大多使用湿法蚀刻。但是，在湿法蚀刻中，AINd合金膜比其它导电层更容易被蚀刻，存在不易形成层叠布线的问题。另一方面，在使用干法蚀刻的情况下，由于AINd合金膜的钕成分的蒸气压低，从而钕成分容易重新附着于蚀刻面。由此，所形成的布线图案的形状容易成为异常形状，在使用了层叠布线的半导体装置等的制造中，导致了成品率降低的问题。用于解决技术问题的方案本专利技术是鉴于上述问题点而完成的，可提供能抑制因钕成分的再附着而导致的异常形状的导电图案形成方法、具备使用这样的导电图案形成方法而形成的导电图案的半导体装置、以及具备这样的半导体装置的电子设备。本专利技术所涉及的一导电图案形成方法的特征在于，具有:在基材上形成铝钕合金膜的工序；在所述铝钕合金膜上形成具有所述铝钕合金膜的厚度的1/4倍以上的厚度的导电膜的工序；以及采用干法蚀刻对所述铝钕合金膜和所述导电膜进行图案化的工序。根据该方法，在图案化工序中，能够抑制因被蚀刻的铝钕合金膜的钕成分重新附着于蚀刻面而发生的异常。所述导电膜优选由钛或氮化钛构成。根据该方法，能够容易地形成导电膜。优选，在形成所述铝钕合金膜的工序之前，还具有在所述基材上形成第二导电膜的工序，在形成所述铝钕合金膜的工序中，所述铝钕合金膜形成在所述第二导电膜上。根据该方法，能够抑制铝钕合金膜扩散到基材。所述第二导电膜优选由钛构成。根据该方法，能够进一步抑制铝钕合金膜扩散到基材。本专利技术所涉及的一半导体装置优选具备使用上述的导电图案形成方法而形成的导电图案。根据该构成，由于具备使用上述导电图案形成方法而形成的导电图案，从而能够得到一种可抑制成品率降低的半导体装置。本专利技术所涉及的一半导体装置的特征在于，具备导电图案，所述导电图案具备:铝钕合金膜；以及导电膜，所述导电膜层叠于所述铝钕合金膜上，并具有所述铝钕合金膜的厚度的1/4倍以上的厚度。根据该构成，由于能够选择上述的导电图案形成方法作为导电图案的形成方法，从而能够得到可抑制成品率降低的半导体装置。优选，所述导电图案构成栅极布线和源极布线中的至少一种布线。根据该构成，能够抑制栅极布线和源极布线中至少一方成为异常形状，从而能够抑制层叠在栅极布线上或者源极布线上的布线短路。本专利技术所涉及的一电子设备的特征在于，具备上述的半导体装置。根据该构成，能够抑制成品率降低。【附图说明】图1是示出本实施方式的液晶装置的俯视图。图2是示出本实施方式的液晶装置的图，其是图1中的I1-1I剖面图。图3是示出本实施方式的元件基板的部分的剖面图。图4是示出本实施方式的栅极电极的剖面图。图5的(a)?⑷是示出本实施方式的元件基板的制造方法的一部分步骤的剖面图。图6的(a)?⑷是示出本实施方式的元件基板的制造方法的一部分步骤的剖面图。图7是示出本实施方式的电极的形成方法的流程图。图8是示出本实施方式的电子纸的立体图。图9是示出本实施例的栅极电极的电子显微镜照片。图10是示出比较例的栅极电极的电子显微镜照片。图11是示出比较例的栅极电极的剖面图。附图标记说明13、14、15…栅极电极(导电图案)；43、73…阻挡金属膜(第二导电膜)；71...盖金属膜(导电膜)；72…AINd合金膜(铝钕合金膜)；80…层叠部件(基材)；200…电子纸(电子设备)【具体实施方式】以下，参照附图，说明本专利技术的实施方式所涉及的导电图案的形成方法、半导体装置、以及电子设备。需要说明的是，本专利技术的范围并非局限于以下的实施方式，可在本专利技术的技术思想的范围内任意作出变更。另外，在以下的附图中，为了容易理解各构成，有时会使各结构中的比例、数量等与实际的结构不同。(半导体装置)在本实施方式中，作为半导体装置的一个例子，对液晶装置进行说明。图1是示出本实施方式的液晶装置100的概略构成的一个例子的俯视图。图2是图1中的I1-1I剖面图。作为一个例子，本实施方式的液晶装置100是VA(VerticalAlignment，垂直配向)模式的液晶装置。液晶装置100例如是透射型的液晶装置。如图1及图2所示，液晶装置100具备元件基板10和对置基板90。元件基板10与对置基板90经由俯视观察时大致呈矩形框状的密封材料52而相互贴合。在密封材料52上形成有用于注入液晶的开口部55。用密封剂54密封开口部55。在被密封材料52及密封剂54包围的区域内封入有液晶层50。沿着密封材料52及密封剂54的内周侧形成有在俯视观察时呈矩形框状的边框53，边框53的内侧的区域成为图像显示区域11。需要说明的是，在以下的说明中，将图像显示区域11的外侧的区域称为外围区域。在图像显示区域11的内侧矩阵状地设置有多个像素12。像素12构成图像显示区域11的最小显示单位。在密封材料52的外侧的区域中，沿着元件基板10的一条边(图1中的下侧的边)形成有数据线驱动电路101和外部电路安装端子102，沿着与该一条边相邻的两条边分别形成有扫描线驱动电路104而构成外围电路。在元件基板10的剩下的一条边(图1中的上侧的边)设置有连接图像显示区域11两侧的扫描线驱动电路104之间的多条布线105。另外，在对置基板90的各角部处，配设有用于建立元件基板10与对置基板90之间的电导通的基板间导通材料106。图3是元件基板10的局部放大剖面图。在图3中，示出了图像显示区域11与外围区域的剖面图。在图3中，省略了第一取向层17的图示。如图2及图3所示，元件基板10具备透明基板1、绝缘层2、栅极绝缘膜6、多个薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)、存储电容33、第一层间绝缘膜20、第二层间绝缘膜26、布线25、像素电极9、第一取向层17、未图示的数据线(源极布线)、未图示的扫描线(栅极布线)、以及未图示的电源布线。如图3所示，透明基板1例如是由玻璃等构成的支撑基板。在透明基板1的上表面形成有绝缘层2。在绝缘层2的上表面设置有多个TFT。在图3所示的例子中，设有设于外围区域的N型的N沟道TFT 30 (NchTFT)和P型的P沟道TFT 32 (PchTFT)、以及设于图像显示区域11的N型的N沟道TFT 31 (NchTFT)作为多个TFT。设于图像显示区域11的N沟道TFT 31是对应每个像素12而设置的开关元件。N沟道TFT 31具备高浓度源极区域5a、低浓度源极区域5c、高浓度漏极区域5b、低浓度漏极区域5d、源极电极23、漏极电极24以及栅极电极(导电图案)14。源极电极23经由接触孔21当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种导电图案形成方法，其特征在于，具有：在基材上形成铝钕合金膜的工序；在所述铝钕合金膜上形成具有所述铝钕合金膜的厚度的1/4倍以上的厚度的导电膜的工序；以及采用干法蚀刻对所述铝钕合金膜和所述导电膜进行图案化的工序。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：世良博，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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