本发明专利技术公开了一种HDI高密度复合电路板结构，包括设置于中心的双面板、以及分别设置在所述双面板正反两侧上的单面板，该两单面板各分别通过一复合层定位设置在所述双面板的正反两侧上；相较于传统结构，本发明专利技术中的HDI高密度复合电路板结构省去了覆盖膜或者单面板上的第二绝缘层，一方面大大降低了生产成本，另一方面还减少了生产工序，很好的降低了或避免了批量性质量问题风险，大大提高了生产效率和产品良率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路板
，具体提供一种HDI高密度复合电路板结构。
技术介绍
现用的多层复合电路板结构通常采用以下结构设计，以图1所示为例，其示出了一种多层复合电路板结构，包括位于中心的双面板、以及分别设置在所述双面板正反两侧上的单面板，其中，双面板由第一绝缘层和压合于第一绝缘层正反两侧的两个第一铜箔层组成，单面板由压合在一起的第二铜箔层和第二绝缘层组成，且该两第二绝缘层各分别通过复合层压合于该两第一铜箔层的外侧，另所述复合层由从外到内依次设置的半固化片(即为纯胶层)和覆盖膜(所述覆盖膜由压合在一起的绝缘层和纯胶层组成)组成。现有的多层复合电路板结构，需要通过较长时间来进行大批量的压合加工，这样很容易出现批量性的质量问题，从而影响产品良率以及生产效率。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本专利技术提供了一种HDI高密度复合电路板结构，该HDI高密度复合电路板结构不仅易于生产，提高了产品良率和生产效率；而且还降低了生产成本。本专利技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种HDI高密度复合电路板结构，包括设置于中心的双面板、以及分别设置在所述双面板正反两侧上的单面板，该两单面板各分别通过一复合层定位设置在所述双面板的正反两侧上。作为本专利技术的进一步改进，所述双面板由第一绝缘层和两个第一铜箔层组成，该两第一铜箔层的一侧分别固定压合在所述第一绝缘层的正反两侧上，并形成为一体。作为本专利技术的进一步改进，该两单面板各由压合在一起的第二绝缘层和第二铜箔层组成，该两复合层各由第一纯胶层组成，且该两第二绝缘层背向第二铜箔层的一侧各分别通过一所述第一纯胶层固定设置在该两第一铜箔层背向第一绝缘层的另一侧上。作为本专利技术的进一步改进，该两单面板各由第二铜箔层组成，该两复合层各由压合在一起的第一纯胶层和覆盖膜组成，其中，该两第二铜箔层分别固定粘接在该两第一纯胶层的外侧上，该两覆盖膜分别固定设置在该两第一铜箔层背向第一绝缘层的另一侧上。作为本专利技术的进一步改进，该两覆盖膜各由压合在一起的第三绝缘层和第二纯胶层组成，其中，该两第三绝缘层分别固定粘接在该两第一纯胶层的内侧上，该两第二纯胶层分别固定粘接在该两第一铜箔层背向第一绝缘层的另一侧上。本专利技术的有益效果是:本专利技术中的HDI高密度复合电路板结构省去了覆盖膜或者单面板上的第二绝缘层，相较于传统结构，一方面大大降低了生产成本；另一方面还减少了生产工序，很好的降低了或避免了批量性质量问题风险，大大提高了生产效率和产品良率。【附图说明】图1为现有技术中多层复合电路板的分解结构示意图；图2为本专利技术中所述HDI高密度复合电路板结构的第一实施例的分解结构示意图；图3为本专利技术中所述HDI高密度复合电路板结构的第二实施例的分解结构示意图。结合附图，作以下说明:I——双面板10——第一绝缘层11——第一铜箔层 2——单面板20——第二绝缘层 21——第二铜箔层3——复合层30——第一纯胶层31—第三绝缘层 32—第二纯胶层【具体实施方式】以下结合附图详细说明本专利技术的实施例。本专利技术所提供的一种HDI高密度复合电路板结构，包括设置于中心的双面板1、以及分别设置在所述双面板I正反两侧上的单面板2，该两单面板2各分别通过一复合层3定位设置在所述双面板I的正反两侧上。在本专利技术中，所述双面板I由第一绝缘层10和两个第一铜箔层11组成，该两第一铜箔层11的一侧分别固定压合在所述第一绝缘层10的正反两侧上，并形成为一体。实施例之一:图2示出了本专利技术的一种HDI高密度复合电路板结构的第一种结构，该两单面板2各由压合在一起的第二绝缘层20和第二铜箔层21组成，该两复合层3各由第一纯胶层30(即半固化片)组成，且该两第二绝缘层20背向第二铜箔层的一侧各分别通过一所述第一纯胶层30固定设置在该两第一铜箔层11背向第一绝缘层的另一侧上。实施例之二:图3示出了本专利技术的一种HDI高密度复合电路板结构的第二种结构，该两单面板2各由第二铜箔层21组成，该两复合层3各由压合在一起的第一纯胶层30 (即半固化片)和覆盖膜组成，其中，该两第二铜箔层21分别固定粘接在该两第一纯胶层30的外侧上，该两覆盖膜分别固定设置在该两第一铜箔层11背向第一绝缘层的另一侧上。在本实施例中，该两覆盖膜各由压合在一起的第三绝缘层31和第二纯胶层32组成，其中，该两第三绝缘层31分别固定粘接在该两第一纯胶层30的内侧上，该两第二纯胶层32分别固定粘接在该两第一铜箔层11背向第一绝缘层的另一侧上。【主权项】1.一种HDI高密度复合电路板结构，包括设置于中心的双面板(I)、以及分别设置在所述双面板(I)正反两侧上的单面板(2)，其特征在于:该两单面板(2)各分别通过一复合层(3)定位设置在所述双面板(I)的正反两侧上。2.根据权利要求1所述的HDI高密度复合电路板结构，其特征在于:所述双面板(I)由第一绝缘层(10)和两个第一铜箔层(11)组成，该两第一铜箔层(11)的一侧分别固定压合在所述第一绝缘层(10)的正反两侧上，并形成为一体。3.根据权利要求2所述的HDI高密度复合电路板结构，其特征在于:该两单面板(2)各由压合在一起的第二绝缘层(20)和第二铜箔层(21)组成，该两复合层(3)各由第一纯胶层(30)组成，且该两第二绝缘层(20)背向第二铜箔层的一侧各分别通过一所述第一纯胶层(30)固定设置在该两第一铜箔层(11)背向第一绝缘层的另一侧上。4.根据权利要求2所述的HDI高密度复合电路板结构，其特征在于:该两单面板(2)各由第二铜箔层(21)组成，该两复合层(3)各由压合在一起的第一纯胶层(30)和覆盖膜组成，其中，该两第二铜箔层(21)分别固定粘接在该两第一纯胶层(30)的外侧上，该两覆盖膜分别固定设置在该两第一铜箔层(11)背向第一绝缘层的另一侧上。5.根据权利要求4所述的HDI高密度复合电路板结构，其特征在于:该两覆盖膜各由压合在一起的第三绝缘层(31)和第二纯胶层(32)组成，其中，该两第三绝缘层(31)分别固定粘接在该两第一纯胶层(30)的内侧上，该两第二纯胶层(32)分别固定粘接在该两第一铜箔层(11)背向第一绝缘层的另一侧上。【专利摘要】本专利技术公开了一种HDI高密度复合电路板结构，包括设置于中心的双面板、以及分别设置在所述双面板正反两侧上的单面板，该两单面板各分别通过一复合层定位设置在所述双面板的正反两侧上；相较于传统结构，本专利技术中的HDI高密度复合电路板结构省去了覆盖膜或者单面板上的第二绝缘层，一方面大大降低了生产成本，另一方面还减少了生产工序，很好的降低了或避免了批量性质量问题风险，大大提高了生产效率和产品良率。【IPC分类】H05K1-14【公开号】CN104754870【申请号】CN201310752053【专利技术人】黄柏翰, 蓝国凡 【申请人】昆山意力电路世界有限公司【公开日】2015年7月1日【申请日】2013年12月31日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种HDI高密度复合电路板结构，包括设置于中心的双面板（1）、以及分别设置在所述双面板（1）正反两侧上的单面板（2），其特征在于：该两单面板（2）各分别通过一复合层（3）定位设置在所述双面板（1）的正反两侧上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄柏翰，蓝国凡，
申请(专利权)人：昆山意力电路世界有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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