【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有应变沟道的半导体器件的制备方法，在一衬底之上依次设置有一掩埋氧化层及一SOI层，其特征在于，包括以下步骤：形成一绝缘层覆盖在SOI层之上；刻蚀绝缘层形成一开口；籍由开口刻蚀其下方的SOI层、掩埋氧化层并形成位于SOI层、掩埋氧化层中的一沟槽结构，并在沟槽结构中暴露出衬底；在由所述沟槽结构和所述开口对接形成的一栅极沟槽的底部形成一应变外延层；于应变外延层之上形成一栅极氧化层；在栅极沟槽的顶部形成一位于栅极氧化层之上的栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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