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本发明主要涉及半导体器件，更确切地说，涉及一种具有应变Ge沟道的半导体器件及其制备方法。先形成一绝缘层覆盖在SOI层之上，并刻蚀绝缘层形成一开口，籍由开口刻蚀其下方的SOI层、掩埋氧化层并形成位于SOI层、掩埋氧化层中的一沟槽结构，刻蚀至在...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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