【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种砷化镉半导体纳米簇的制备方法,利用砷化物与无机酸反应制取AsH3气体,并同时将制得的AsH3气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中,在50℃~120℃温度下进行反应,生成Cd3As2纳米簇化合物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:解仁国,李冬泽,杨文胜,
申请(专利权)人:吉林大学,
类型:发明
国别省市:吉林;22
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