本申请涉及集成的熔丝器件。熔丝器件由与集成电路的其他部分电绝缘的PN结半导体区域形成。熔丝器件包括具有P型导电性的第一半导体区以及具有N型导电性的第二半导体区，第一半导体区与第二半导体区在PN结处相接触。第一和第二导电接触区分别被提供在...

本公开涉及掩蔽数据的保护。一种设备包括存储器和耦合到存储器的密码处理电路系统。存储器在操作中存储一个或多个查找表。密码处理电路系统在操作中处理掩蔽数据，并且保护掩蔽数据的处理免受侧信道攻击。保护包括使用一个或多个查找表中的查找表将掩蔽二...

本公开涉及一种过温保护电路，过温保护电路被形成在表面覆盖有氮化镓层的单片半导体衬底的内部和顶部，包括：第一电阻器，具有第一正温度系数并且被布置在所述氮化镓层中；以及第二电阻器，具有不同于第一系数的第二温度系数。

本公开涉及一种电子设备，电子设备被形成在表面覆盖有氮化镓层的单片半导体衬底的内部和顶部，包括至少一个e模式型HEMT功率晶体管以及模拟电路，至少一个e模式型HEMT功率晶体管适于接收电子设备的漏极与源极之间的650V的最大电压，模拟电路...

本公开涉及一种电压调节电路，电压调节电路被形成在表面覆盖有氮化镓层的单片半导体衬底的内部和顶部，包括：第一端子与第二端子之间的第一电阻器和第一d模式型HEMT晶体管；以及第一端子与第三端子之间的第二d模式型HEMT晶体管；其中第一电阻器...

本公开涉及一种电子设备，具体涉及一种第一e模式型HEMT功率晶体管的驱动器，该驱动器适用于接收第一e模式型HEMT功率晶体管的漏极与源极之间的650V的最大电压，电路被形成在表面覆盖有氮化镓层的单片半导体衬底的内部和顶部，并且包括至少一...

本公开涉及包括至少一个肖特基二极管的半导体器件和电子系统。半导体器件包括衬底上的肖特基二极管。肖特基二极管包括多晶硅层，该多晶硅层被设置在衬底内的电介质层上，电介质层被配置为将多晶硅层与衬底电绝缘。多晶硅层包括与未掺杂的第二阳极区域相邻...

本公开涉及用于对电子电路通电的方法和电路。本公开涉及一种方法，该方法包括：通过控制电路将由连续的第一电压脉冲组成的第一脉冲信号施加到为电路的电容性负载供电的功率晶体管的栅极，第一脉冲信号的脉冲彼此分开第一等待时间；进一步对于第一信号的一...

本公开涉及具有以二进制量化的至少一个单位单元的人工神经元网络。人工神经网络包括单位单元。单位单元包括第一二进制二维卷积层，其被配置为接收输入张量并生成第一张量。第一批量归一化层被配置为接收第一张量并生成第二张量。级联层被配置为通过级联输...

本公开涉及管理存储器器件的消耗的方法和对应系统。一种用于管理存储器器件的消耗的方法包括在存储器器件的第一存储器区域的第一部分中执行数据的第一读取。在同一存储器存取期间，从存储器器件的第二存储器区域的第二部分读取纠错码校验位。纠错校验位包...

本公开涉及集成电路和片上系统。一种集成电路，包括：可编程逻辑阵列，具有数据输入；以及信号调节器，包括：输入端；边沿检测器；以及第一多路复用器，具有与所述边沿检测器的输出耦合的第一输入和与所述可编程逻辑阵列的所述数据输入耦合的输出。利用本...

一个实施例提供了一种数模转换器，包括输出放大器，该输出放大器被配置为使用可控电源电压和接地参考电压供电。输出放大器被配置为生成具有以共模电压为中心的动态范围的模拟输出信号。输出放大器包括共模适配电路，该共模适配电路被配置为根据电源电压的...

本公开的各实施例涉及主机设备与外围设备之间的配对方法。第一主机设备与第一外围设备之间的配对方法包括：由第一主机设备的用户输入验证值，以及由第一外围设备在验证值和第一外围设备的存储器中存储的第一秘密值之间进行比较。当验证对应于第一秘密值时...

本公开的实施例涉及具有“分压”类型架构的EEPROM存储器类型的设备。非易失性存储器设备具有“分压”架构，并且包括由存储器单元组在每个行上形成的存储器字列。针对存储器字的存储器单元的所有状态晶体管由控制元件进行栅控。同一行的所有控制元件...

本公开的实施例涉及配置为用于超宽带通信的无线通信设备。无线通信设备包括电池以及由电池供电的平台，其中平台包括处理器。设备还包括：电压调节器，由电池供电；超宽带通信单元，在平台被通电时，经由平台由电压调节器供电；以及近场通信单元，由电池直...

本公开涉及生成更新文件的方法及对应服务器设备、更新方法及对应客户端设备、更新方法及对应系统。服务器构建更新文件以更新软件。服务器编译软件的更新后的版本的源代码，从而生成软件的更新后的版本的二进制文件。基于软件的先前版本的二进制文件的部分...

本公开涉及包含诱饵结构的集成电路。一种集成电路包括衬底、互连部分、和位于衬底与互连部分之间的隔离区域。诱饵结构位于隔离区域内，并且包括与衬底电隔离的硅化区段。

本公开涉及制造肖特基二极管的方法以及对应的集成电路。半导体器件包括衬底上的肖特基二极管。肖特基二极管包括多晶硅层，该多晶硅层被设置在衬底内的电介质层上，电介质层被配置为将多晶硅层与衬底电绝缘。多晶硅层包括与未掺杂的第二阳极区域相邻的N型...

本公开涉及传送数据的方法以及相应的片上系统。片上系统至少包括被配置为由第一重新初始化信号重新初始化的第一数字域、第二数字域和接口电路。接口电路包括第一数字域中的启动寄存器，第二数字域中的目的寄存器和第一数字域中的同步电路。接口电路被配置...

本公开涉及电子设备供电。根据一个实施例，一种用于管理电子模块的电源的电路包括：第一状态机，其被配置为接收用于禁用所述模块的第一命令，并且验证所述第一命令在第一最小时间段内保持相同；以及第二状态机，其被配置为当所述第二状态机从所述第一状态...