本公开的实施例涉及电子芯片。电子芯片包括密封环，其形状被包含在矩形内，所述矩形具有等于所述电子芯片的最大宽度的宽度和等于所述电子芯片的最大长度的长度；以及至少一个测试焊盘，至少部分地布置在所述矩形中的位置处；其中所述测试焊盘被至少一个其...

本公开的实施例涉及电源开关，一种电源开关器件，包括：第一端子，用于连接到第一电源电位的源；第二端子，被配置为提供第二电位；以及第三端子，用于连接到第三电源电位的第二源。所述器件包括：第一PMOS晶体管，其具有连接到第二端子的源极和连接到...

本公开涉及与双线总线相关的时间条件的检测。测量表示总线上的同步信号的低状态的持续时间的值，并且然后将其与阈值进行比较。阈值存储在存储器中，并且所测量的值在第一比较中表示同步信号的低状态的最长持续时间。中表示同步信号的低状态的最长持续时间...

本公开的实施例涉及被配置用于近场通信的天线和电子器件。一种被配置用于近场通信的天线，包括：第一线圈，用于发射和接收具有第一频率的信号；以及第二线圈，用于发射和接收具有大于所述第一频率至少两倍的第二频率的信号。第一和第二线圈以大于0.5的...

本公开的实施例涉及一次性可编程存储器单元，其包括与电容器耦联的晶体管。晶体管包括至少一个第一导电栅极元件，其被布置在形成于半导体衬底中的至少一个第一沟槽中；以及至少一个第一沟道部分，其被掩埋在衬底中、并且在至少一个第一导电栅极元件的至少...

本公开涉及存储器单元及存储器。在实施例中，存储器单元包括与第二导电类型的第二掺杂阱接触的第一导电类型的第一掺杂阱，第二导电类型与第一导电类型相反，与第一导电类型的第四掺杂阱接触的第二导电类型的第三掺杂阱，与第二阱和第四阱接触的第一壁，第...

本公开的实施例涉及存储器单元和电子设备，其中存储器单元晶体管，包括：至少一个第一导电栅极元件，被布置在形成于半导体衬底中的至少第一沟槽中；以及至少第一沟道部分，被掩埋在所述半导体衬底中并且与所述至少一个第一导电栅极元件的至少一个第一侧表...

本公开的实施例涉及由加密算法处理的数据的保护。本公开涉及一种由处理器执行的用于保护应用于加密算法的第一数据项的方法，其中所述算法是每轮次算法，每个轮次处理第一，第二和第三寄存器的内容，第二寄存器的内容在第一奇偶校验轮次期间由第四寄存器的...

本公开的各实施例总体上涉及电子设备供电。在一个实施例中，一种电子设备包括第一近场通信模块、至少一个第二通信模块、易失性存储器的至少一部分、至少一个寄存器、以及被配置为激活近场通信模块的至少一个第一电路，其中至少一个第二通信模块被配置为当...

本公开的实施例涉及NFC天线。一种被配置用于近场通信的天线，包括：第一线圈，用于发射和接收具有第一频率的信号；以及第二线圈，用于发射和接收具有大于所述第一频率至少两倍的第二频率的信号。第一和第二线圈以大于0.5的耦合系数磁耦合。的耦合系...

本公开的实施例涉及电子芯片。电子芯片包括其形状包含在矩形内的密封环，该密封环的宽度等于电子芯片的最大宽度，长度等于电子芯片的最大长度。至少一个测试焊盘至少部分地布置在矩形内。所述测试焊盘与至少一个其它相邻的电子芯片共享。电子芯片共享。电...

一些实施例涉及电源电路、对应的设备和方法。电压调节器被嵌入在第一节点(耦接到电池)和第二节点(向外部存储器供电)之间的电路中。电压调节器在第一操作模式中可激活以用于启动，在此期间，向第二节点施加向着电源阈值增加的电压。响应于第二节点处的...

本公开的实施例涉及集成电路和半导体设备。电可擦除且可编程类型的非易失性存储器的集成电路包括存储器单元，每个存储器单元具有：状态晶体管，包括栅极结构，该栅极结构包括布置在半导体阱的面上的控制栅极和浮置栅极；以及在半导体阱中的源极区域和漏极...

本公开涉及开关模式电源(SMPS)。在一个实施例中，开关电源包括电压斜坡发生器，该电压斜坡发生器包括至少一个输出电容器，其中该发生器被配置为使得输出电容器在第一操作模式的第一操作周期期间具有第一值，并且在第一操作模式的后续操作周期期间具...

公开了包括至少一个双极晶体管的集成电路和相应的制造方法。双极晶体管，包括公共集电极区，所述公共集电极区包括掩埋半导体层和环形阱。阱区被环形阱围绕，并被掩埋半导体层所界定。第一基极区和第二基极区由阱区形成，并通过垂直栅结构彼此隔开。在第一...

本公开涉及一种包括近场通信控制器的近场通信设备。近场通信控制器包括至少一个第一解调器，其适用于对根据第一或第二类调制进行调制的第一信号施加第一类解调；和至少一个第二解调器，其适用于对第一信号施加第二类解调。调。调。

本公开的实施例涉及射频标识以及Qi无线功率设备。提供一种包括频率解调器和幅度解调器的装置。该设备被配置为在第一模式下并行使用频率解调器和幅度解调器，并基于所述解调器提供的结果激活射频标识(RFID)卡模式或Qi充电器模式。电器模式。电器...

本公开的实施例涉及包括EEPROM型非易失性存储器的集成电路以及对应制造方法。电可擦除且可编程类型的非易失性存储器的集成电路包括存储器单元，每个存储器单元具有：状态晶体管，包括栅极结构，该栅极结构包括布置在半导体阱的面上的控制栅极和浮置...

本公开的实施例涉及包括至少一个电容元件的集成电路及对应的制造方法。电容元件包括由轮廓界定的第一导电层和覆盖第一导电层的低压电介质层。第二导电层覆盖低压电介质层并且包括：第一部分，位于第一导电层的中心区域之上，形成第一电容器电极；以及第二...

本公开涉及沟槽存储器中位可擦嵌入式选择。在实施例中，存储器单元包括与第二导电类型的第二掺杂阱接触的第一导电类型的第一掺杂阱，第二导电类型与第一导电类型相反，与第一导电类型的第四掺杂阱接触的第二导电类型的第三掺杂阱，与第二阱和第四阱接触的...