本发明公开了一种紫外LED及其制作方法，本发明技术方案中，设置p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于...

本发明提供了一种LED芯片电极结构及其制造方法，该LED芯片电极包括：外延层、透明导电层、电流阻挡层以及电极，其中，外延层置于衬底之上，透明导电层设置在外延层上。电流阻挡层设置在透明导电层上，电极设置在电流阻挡层上，且，电极的面积大于电...

本申请提供了一种LED倒装芯片、制备方法及LED晶片，其中，该LED倒装芯片包括：衬底，依次形成于所述衬底上的外延结构和反射层，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述外延结构包括多个暴露所述N型层的接触孔，所...

本发明公开了一种LED芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底为双折射衬底，其中，第一方向平行于衬底的晶圆定位边，第二方向垂直于衬底的晶圆定位边，且第一方向的折射率大于第二方向的折射率；在衬底上形成外延层结构；将形成完外延层结构...

本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构；其中，外延结构分为多个LED原胞；外延结构的四周侧壁具有侧壁沟槽，侧壁沟槽用于降低光线在所述LED原胞内的全发射；相邻两个LED原胞之间具有原胞沟槽...

本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管在外延结构表面通过设置重掺杂第二型电流扩展层、多个电流阻挡层和透明导电层的方式，在透明导电层中形成多个电阻大小相当的电流路径，从而实现了发光二极管的立体电流扩展的目的，提升了发...

本发明公开了一种Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法，该Micro LED阵列器件的生长衬底远离所述发光二极管结构一侧具有磁性材料层，发光二极管结构上方具有粘结层。该Micro LED阵列器件拾取装置包括承载板及...

本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，其中阵列基板上制作具有二维电子气层的开关管和LED形成的发光单元，通过给开关管的第三电极层施加电压，控制二维电子气层的夹断或打开，从而控制开关管的第一电极层和第二电极层的断开或导通...

本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂层、第一掺杂层、第一重掺杂层、第一欧姆接触层、第一高掺杂层、第一隔离层、第二掺杂层、第一电流阻挡层、有源区、第二电流阻挡层、第三掺杂层、第二欧姆接触层、透明导电层以及...

本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域...

本申请提供一种发光二极管及其制作方法，在临时衬底上依次外延第一缓冲层、切割剥离层和基板层，后续再制作发光二极管外延结构层，通过制作切割道，所述切割道至少贯穿基板层，最后再去除切割剥离层，从而将发光二极管芯片切割分离为多个独立的发光二极管...

本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底，及依次设置的缓冲层、多个碳纳米管、形成于多个碳纳米管之间的非故意掺杂层和第一掺杂层，碳纳米管的高度大于非故意掺杂层的厚度，且小于非故意掺杂层和第一掺杂层的厚度之和，第一掺杂层包括上表面...

本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片制备方法在对衬底进行隐形切割之前，首先在衬底背离外延单元一侧表面形成ODR介质层，以避免全角度反射镜的ODR反射层对隐形切割激光的反射导致的隐形切割工艺无法进行的问题；然后再进...

本申请提供一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管，其中，所述发光二极管外延结构制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、第一型非故意掺杂层、第一型导电层、非掺杂层以及第二型导电层；刻蚀非掺杂层和第二型导电层，形成纳米柱...

本申请提供一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro LED阵列基板，其中，Micro LED芯片采用垂直结构，将第一电极和第二电极分别制作在不同侧，通过在隔离层上设置网格结构的电极网，只需设置一个第二电极与电极网形成电连接，即...

本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片的制备方法在制备反射层之前，在所述外延结构表面形成了一层包括多个绝缘单元的绝缘层，每个所述绝缘单元覆盖一个所述外延结构的多量子阱的侧壁，避免了在制备反射层的过程中，反射层材料污...

本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。

本申请提供了一种发光二极管的外延生长方法，其包括：提供衬底；在所述衬底上外延生长非故意掺杂GaN层；其中，所述非故意掺杂GaN层外延生长若干个生长周期，每个生长周期包括：第一生长阶段和第二生长阶段；在所述第一生长阶段，镓前驱源的流量为第...

本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构，外延结构包括依次设置的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；外延结构的预设区域具有凹槽，凹槽用于露出部分N型半导体层；P型半导体层具有第一区域...

本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：半导体堆叠结构，半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，半导体堆叠结构自电流扩展层至衬底方向具有开槽，且开槽底部裸露...