一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro LED阵列基板技术

本申请提供一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro LED阵列基板，其中，Micro LED芯片采用垂直结构，将第一电极和第二电极分别制作在不同侧，通过在隔离层上设置网格结构的电极网，只需设置一个第二电极与电极网形成电连接，即可实现多个Micro LED子芯片独立发光，而无需通过每个Micro LED子芯片都设置第二电极进行发光控制，电极网设置在隔离层上，且电极网位置与隔离层位置相对设置，避免了电极网对有效发光区域的遮挡，从而极大地减小电极的挡光面积，对比现有技术，增加了Micro LED芯片的发光面积，有效提高了Micro LED芯片的发光效率。

Micro LED chip and its manufacturing method, Micro LED array substrate

This application provides a Micro LED chip and its manufacturing method, Micro LED array substrate, the Micro LED chip with vertical structure, the first and second electrodes are respectively arranged on different sides, through the electrode grid structure is arranged in the isolation layer, only need to set up a second electrode and the electrode forming network electrical connection, can achieve multiple Micro LED chip independent light, without going through each Micro LED chip set emission control second electrode, electrode net is arranged on the isolating layer, and the electrode position and the isolation layer position setting, avoid the electrode network on the effective light emitting area of the block, so the light blocking area reduced electrode, compared with the existing technology, increase the luminous area of Micro LED chip, can effectively improve the luminous efficiency of Micro LED chip.

【技术实现步骤摘要】
一种MicroLED芯片及其制作方法、MicroLED阵列基板
本专利技术涉及光电子
，尤其涉及一种MicroLED芯片及其制作方法、MicroLED阵列基板。
技术介绍
微发光二极体显示器(MicroLEDDisplay)为新一代的显示技术，结构是微型化LED阵列，也就是将LED结构设计进行薄膜化、微小化与阵列化，使其体积约为目前主流LED大小的1％，每一个像素都能定址、单独驱动发光，将像素点的距离由原本的毫米级降到微米级。承继了LED的特性，MicroLED优点包括低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、效率较高等，其功率消耗量约为LCD的10％、OLED的50％。而与同样是自发光显示的OLED相较之下，亮度比其高30倍，且分辨率可达1500PPI(像素密度)。但MicroLED的发光区损失严重，发光效率明显下降，对于目前主流的穿戴设备或手机等显示屏幕要求功耗小的设备而言，降低发光效率会导致功耗升高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种MicroLED芯片及其制作方法，以解决现有技术中MicroLED芯片的发光区损失严重，发光效率下降的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Micro LED芯片，其特征在于，包括：呈阵列排布且相互绝缘的多个第一电极；与所述第一电极一一电性连接的反射电极；位于所述反射电极表面的LED外延结构，所述LED外延结构至少包括依次设置的N型导电层、发光层、P型导电层和接触层；至少贯穿所述N导电型层、所述发光层和所述P型导电层的隔离层，所述隔离层将所述LED外延结构分割为多个独立的子LED外延结构，一个子LED外延结构对应一个所述反射电极；位于所述接触层背离所述发光层表面的电流扩展层；与所述隔离层位置对应设置的电极网，在所述发光层所在的表面上，所述电极网的投影位于所述隔离层的投影内部，或所述电极网的投影覆盖所述隔离层的投影；与所述电极网...

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED芯片，其特征在于，包括：呈阵列排布且相互绝缘的多个第一电极；与所述第一电极一一电性连接的反射电极；位于所述反射电极表面的LED外延结构，所述LED外延结构至少包括依次设置的N型导电层、发光层、P型导电层和接触层；至少贯穿所述N导电型层、所述发光层和所述P型导电层的隔离层，所述隔离层将所述LED外延结构分割为多个独立的子LED外延结构，一个子LED外延结构对应一个所述反射电极；位于所述接触层背离所述发光层表面的电流扩展层；与所述隔离层位置对应设置的电极网，在所述发光层所在的表面上，所述电极网的投影位于所述隔离层的投影内部，或所述电极网的投影覆盖所述隔离层的投影；与所述电极网电连接的一个第二电极；其中，所述电流扩展层为整层结构，所述电极网设置在所述电流扩展层的表面；或者，所述电极网设置在所述电流扩展层的内部，将所述电流扩展层分割为多个与所述子LED外延结构一一对应的子电流扩展层。2.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，当所述电极网设置在所述电流扩展层的内部，将所述电流扩展层分割为多个与所述子LED外延结构一一对应的子电流扩展层时；所述电极网还将所述接触层分割为多个与所述子LED外延结构一一对应的子接触层。3.根据权利要求2所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述隔离层还延伸至多个所述反射电极之间。4.根据权利要求1-3任意一项所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述LED外延结构中的所述发光层为多量子阱层，所述多量子阱层与所述P型导电层之间还包括电子阻挡层。5.根据权利要求4所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述N型导电层为N型GaN层，所述P型导电层为P型GaN层。6.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述电流扩展层包括氧化铟锡、氧化锌或石墨烯。7.一种MicroLED阵列基板，其特征在于，包括：权利要求1-6任意一项所述的MicroLED芯片；和与所述MicroLED芯片的第一电极电连接的控制电路。8.一种MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1所述的MicroLED芯片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，李俊贤，卓祥景，汪洋，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35