一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管技术

本申请提供一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管，其中，所述发光二极管外延结构制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、第一型非故意掺杂层、第一型导电层、非掺杂层以及第二型导电层；刻蚀非掺杂层和第二型导电层，形成纳米柱结构；再次外延生长多量子阱层和电子阻挡层、第二型导电层。采用纳米柱结构替代传统的V‑pits结构，由于纳米柱结构晶体质量好，且能够将第一型导电层和第二型导电层隔离，从而解决V‑pits容易引起漏电而导致器件失效的问题。

Light emitting diode epitaxial structure and its manufacturing method and led

The invention provides a light emitting diode epitaxial structure and its manufacturing method, light emitting diode, wherein the light emitting diode epitaxial structure manufacturing method includes providing a substrate; the substrate sequentially on the epitaxial growth of the buffer layer, the first type of unintentionally doped layer, the first conductive layer, non doped layer and a second conductive layer; etching of undoped layer and the second conductive layer, forming nano pillar structure; again the epitaxial growth of multi quantum well layer and electron barrier layer, second conductive layer. The nano pillar structure to replace the V traditional pits structure, the crystal nanorod structure is of good quality, and can be the first conductive layer and the second conductive layer of isolation, so as to solve the V pits easily lead to leakage due to device failure problems.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管
本专利技术涉及光电子器件
，尤其涉及一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。发光二极管通常由III-IV族半导体化合物组成，大部分蓝绿光发光二极管在衬底上外延多层氮化镓系材料薄膜，形成PN结，电子和空穴在有源区复合从而发光。发光二极管的发光效率和内量子效率关系很大，且内量子效率又与载流子注入效率有直接联系。但在氮化镓材料体系中P型Mg掺杂的激活效率很低，有效空穴浓度仅有1-5E17/cm3，远低于N型GaN中Si掺杂的激活效率和有效电子浓度5E18/cm3-2E19/cm3，因此空穴的注入效率是限制发光效率提高得一大瓶颈。由于空穴注入效率比电子低，极易造成电子泄露，一般情况下表现为仅有最靠近P型GaN的1-2个量子阱贡献主要发光，其他量子阱发光极弱。多量子阱采用V-Pits结构能有效改善以上问题。但由于V-Pits结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管外延结构制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次外延生长缓冲层、第一型非故意掺杂层、第一型导电层、第一纳米柱层和第二纳米柱层，所述第一纳米柱层为非掺杂层，所述第二纳米柱层为第二型导电层；刻蚀所述第一纳米柱层和所述第二纳米柱层至所述第一型导电层表面，形成纳米柱结构；在所述第一型导电层表面及所述纳米柱结构表面依次外延生长多量子阱层、电子阻挡层和所述第二型导电层，其中，沿垂直于所述衬底的方向上，相对于所述第一型导电层背离所述衬底的表面，所述纳米柱结构的高度大于或等于所述多量子阱层和所述电子阻挡层的厚度之和。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延结构制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次外延生长缓冲层、第一型非故意掺杂层、第一型导电层、第一纳米柱层和第二纳米柱层，所述第一纳米柱层为非掺杂层，所述第二纳米柱层为第二型导电层；刻蚀所述第一纳米柱层和所述第二纳米柱层至所述第一型导电层表面，形成纳米柱结构；在所述第一型导电层表面及所述纳米柱结构表面依次外延生长多量子阱层、电子阻挡层和所述第二型导电层，其中，沿垂直于所述衬底的方向上，相对于所述第一型导电层背离所述衬底的表面，所述纳米柱结构的高度大于或等于所述多量子阱层和所述电子阻挡层的厚度之和。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构制作方法，其特征在于，所述衬底为图形化蓝宝石衬底。3.根据权利要求2所述的发光二极管外延结构制作方法，其特征在于，所述纳米柱结构的个数与所述图形化蓝宝石衬底的凸起个数相同。4.根据权利要求3所述的发光二极管外延结构制作方法，其特征在于，所述纳米柱结构的位置与所述图形化蓝宝石衬底上的凸起位置一一对应设置。5.根据权利要求1-4任意一项所述的发光二极管外延结构制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一纳米柱层和所述第二纳米柱层至所述第一型导电层表面，形成纳米柱结构，具体包括：采用感应耦合等离子蚀刻技术刻蚀所述第一纳米柱层和所述第二纳米柱层至所述第一型导电层表面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，李俊贤，卓祥景，汪洋，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35