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本申请提供一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管，其中，所述发光二极管外延结构制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、第一型非故意掺杂层、第一型导电层、非掺杂层以及第二型导电层；刻蚀非掺杂层和第二型导电层，形成纳米柱结构...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。

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