旺宏电子股份有限公司专利技术

旺宏电子股份有限公司共有2406项专利

  • 本发明公开了一种用以供应调节电压至目标电路的电路及方法,目标电路具有快速变化的电流负荷。该电路包含:电压调节器、电流负荷电路、以及逻辑。电压调节器供应调节电压至输出端。电流负荷电路连接至电压调节器的输出端。逻辑使得电流负荷电路在前负载(...
  • 本发明公开了一种半导体结构,包括一晶体管。晶体管包括一半导体基底、一第一源/漏极侧掺杂区、一第二源/漏极侧掺杂区及一栅结构。第一源/漏极侧掺杂区包括导电型相反于半导体基底的一下掺杂部分。第二源/漏极侧掺杂区包括一第一掺杂部分从半导体基底...
  • 本发明公开了一种电阻式随机存取存储器,包括一底电极、一电阻转换层、一顶电极、一金属层、以及一阻挡层。电阻转换层配置于底电极上。顶电极配置于电阻转换层上。金属层配置于顶电极上。阻挡层覆盖金属层。其中,阻挡层环绕金属层及顶电极。
  • 本发明公开了一种电阻式随机存取存储器,包括一第一介电层、一第一导电连接结构、及一电阻式随机存取内存单元。第一介电层配置于一基板上且覆盖位于基板上的一栅极氧化物结构。第一导电连接结构配置于基板上且穿过第一介电层。电阻式随机存取内存单元配置...
  • 一种存储器元件及其制造方法。所述存储器元件包括基底、浮置栅极、栅极绝缘层、栅间介电层以及控制栅极,所述控制栅极为三层以上的多层结构,且所述多层结构的至少一层为金属硅化物层。
  • 一种用于存储器系统的控制器,包括:一逻辑,配置用以执行主机端请求和存储器管理操作。存储器管理操作具有多个存储器指令周期。当存储器控制器的逻辑正在执行非主机端的存储器指令时,此时,主机端也在同一时间要求一个读取数据请求于存储器控制器。存储...
  • 一种存储器元件,包括:多层堆叠结构(multi‑layers stack)、电荷储存层、第一通道层以及串列选择(String Selection,SSL)开关。多层堆叠结构包括交错堆叠的多个导体层和绝缘层以及至少一个第一贯穿开口,贯穿这...
  • 一种半导体结构包括一底电极、一第一存储元件、一第二存储元件、及一顶电极。第一存储元件设置在底电极上。第一存储元件包括一第一氧化物材料。第二存储元件设置在第一存储元件上。第二存储元件包括不同于第一氧化物材料的一第二氧化物材料。顶电极设置在...
  • 一种集成电路,包括位于叠层区中的叠层及位于所述叠层区之外的区。设置于叠层之外的扶壁结构包括栅栏形电性无源元件,所述栅栏形电性无源元件被配置成反抗所述叠层区之外的材料在朝向所述叠层区的方向上的膨胀。
  • 本发明公开了一种立体存储器元件,包括多个具有一垂直通道和一个多层数据存储结构的垂直柱状体。此多层数据存储结构包括一个介电电荷俘获结构。一个具有介电衬里层的导电条带叠层,被位于叠层中的多个绝缘条带所隔离,且具有邻接于对应垂直柱状体的侧壁。...
  • 一种感测放大器包含第一位线驱动器以及第二位线驱动器。第一位线驱动器耦接至第一位线,设定所述第一位线进行快速传送写入(fast‑pass‑write;FPW)操作。第二位线驱动器耦接至第二位线,设定所述第二位线执行编程操作。其中,所述第一...
  • 在包括多条位线且具有N个用以平行连接多条位线的所选的一组N条位线的写入驱动器的存储器阵列中,写入逻辑耦接于这些写入驱动器,以在一写入操作中平行施加一写入脉冲。写入逻辑在写入程序中能动态地分配多个允许数量给多个循环,其中允许数量少于N。一...
  • 一种存储器操作方法及存储器操作装置。存储器操作方法包括以下步骤。执行一第一步进循环及执行一第二步进循环。在第一步进循环中,施加于一第一控制线的一第一控制电压由一第一起始值增加至一第一最终值,且施加于一第二控制线的一第二控制电压固定于一第...
  • 本发明提供一种操作具非易失性存储单元电路的方法及使用所述方法的电路,所述电路包括多个非易失性存储单元及逻辑,所述逻辑用以使用实体不可复制功能以产生密钥且将密钥存储于多个非易失性存储单元中的一组非易失性存储单元中。实体不可复制功能可使用衍...
  • 本发明公开了一种可应用于单个封装式集成电路或多芯片上的器件,包括多个非易失性存储器存储单元、以及用于使用物理不可复制功能来生成初始密钥并将初始密钥存储于多个非易失性存储器存储单元中的一组非易失性存储器存储单元中的逻辑。器件可包括用于使用...
  • 一种半导体结构,包括第一防护环与第二防护环。第一防护环位于基底中。第一防护环包括交替排列的多个第一掺杂区与多个第二掺杂区。第一掺杂区与第二掺杂区互为不同导电型。第二防护环位于第一防护环旁。第二防护环包括交替排列的多个第三掺杂区与多个第四...
  • 本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括一存储器阵列及一逻辑电路。逻辑电路耦接至存储器阵列,并用以响应来自一控制器的一操作指令,执行一对应操作。当一中断事件发生于对应操作期间,逻辑电路记录一存储器状态,且逻辑电路还用以响应...
  • 一种半导体结构包括一存储结构。该存储结构包括一存储元件、一第一阻障层、和一第二阻障层。存储元件包括氧氮化钛。第一阻障层包括硅和氧化硅之中至少一者。第一阻障层设置在存储元件上。第二阻障层包括钛和氧化钛之中至少一者。第二阻障层设置在第一阻障...
  • 一种半导体元件。半导体元件包括具有第一导电型的第一掺杂区与第二掺杂区以及具有第二导电型的第三掺杂区位于基底中。第三掺杂区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第二掺杂区位于第一掺杂区的一侧。第二掺杂区的俯视图案具有至少一凹部。第三掺杂区的俯视...
  • 一种存储器系统,包括第一闪存、第二闪存以及控制器。第一闪存包括存储器阵列,存储器阵列分成多个页。控制器耦接第一闪存以及第二闪存,并用以:在对该第一闪存中的一特定页作编程之前,控制该第二闪存记录该特定页的地址;以及在该特定页被编程之后,控...
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