本公开提供了一种存储器装置、错误位元侦测器及其错误位元侦测方法，该错误位元侦测器包括电流产生器、电流镜以及比较器。电流产生器根据参考数码以产生第一电流。电流镜通过镜射第一电流以在电流镜的第二端产生第二电流。比较器比较第一输入端上的第一电...

本公开提供了一种存储器装置及其管理方法，该存储器装置包括：控制器以及至少一个存储器通道。存储器通道包括至少一个存储器芯片。至少一个存储器芯片共同通过中断信号线以耦接至控制器，其中至少一个存储器芯片产生至少一个区域中断信号，并使至少一个区...

本公开提供一种用于处理逻辑单元的状态信息的系统、方法以及包括计算机可读取记录介质的装置。在一方面，提出一种信息处理装置，包括半导体装置与控制器，半导体装置包括一个或多个逻辑单元以及通报总线，控制器耦接至半导体装置且被配置为储存一个或多个...

本公开提供了一种具有页缓冲器的开关装置的存储器装置及其擦除方法，该存储器装置包括：多个开关单元，耦接于存储单元阵列与所述页缓冲器的感测放大电路之间。所述多个开关单元中的每一个开关单元还包括：高压元件与低压元件，所述高压元件与所述低压元件...

本公开提供了一种存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括：堆叠结构、通道柱、第一导电柱、第二导电柱、电荷存储结构、第一导电层、第二导电层以及绝缘衬层。堆叠结构位于介电基底上，且包括彼此交替堆叠的多个栅极层与绝缘层。通道柱延伸穿过堆叠结构...

本公开提供了一种静电放电防护电路。该静电放电防护电路包括N型区、P型部件、P型区、N型元件、第一导电端、二导电端、电源钳位电路与导电垫。P型部件在N型区中。N型元件在P型区中。第一导电端电性连接至N型区。第二导电端电性连接至P型区与N型...

本公开提供了一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括接地层、堆叠结构以及导电柱。接地层包括下部半导体材料层、回填半导体材料层及上部导电层。堆叠结构设置于接地层上，且包括沿着第一方向交替堆叠的绝缘层及多个导电层。导电柱沿着第一方向贯穿...

本公开提供用于管理存储器装置中的集成电路的系统、方法、电路、以及设备。在一实施例中，该系统包括用于存储数据的半导体装置以及与半导体装置通讯耦接的控制器。控制器用于传送要求传送数据的指令至半导体装置；响应于判断在传送指令后已过默认时间长度...

本公开提供了一种存储器装置及其编程方法。编程方法包括：根据步阶值，基于增量步阶脉冲程序方式，针对选中存储页执行多次编程动作；在设定模式下，对应编程动作以分别执行多个编程验证动作，并分别产生多个通过位数；在设定模式下，计算两个编程动作对应...

本公开提供一种用于存储器内运算的运算方法、存储器装置和运算单元。运算方法包括：储存多个权重值于串联的多个运算单元，这些运算单元包括第一运算存储单元与第二运算存储单元，这些运算单元的这些第一运算存储单元彼此串联成第一运算存储单元串，这些运...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一基板、一元件层、一第一介电层、一第二介电层、一第二基板和一电路层。元件层设置在第一基板上。第一介电层设置在元件层上。第二介电层设置在第一介电层上。第二基板设置在第二介电层上。电...

本公开提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括栓塞与在栓塞上的通孔。栓塞包括钨栓塞与在钨栓塞上的导电层。钨栓塞与导电层包括不同材料。钨栓塞具有在横方向上的第一宽度。导电层具有在横方向上的第二宽度。第二宽度大于等于第一宽度。通孔电性...

本公开提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：基底与接垫结构。接垫结构位于基底上。接垫结构包括多个材料对与多个接垫。多个材料对堆叠在基底上而形成阶梯结构。每个材料对包括导电层以及位于导电层上的介电层。每个接垫包括导电柱与接垫层。导电柱嵌...

本公开提供一种存储装置及其操作方法，该操作方法包括：在一擦除操作中，一开关电压施加至一选定区块的一选定子区块的一串行选择线和一接地选择线中的至少一个，一栅极控制电压施加至选定子区块的多个选定字线，一擦除电压施加至选定子区块的多个位线和一...

本公开提供了一种具备耦接至位线的页缓冲器单元的页缓冲器的存储器及操作方法，例如3D NAND阵列，该存储器包括耦接至字线的搜索字输入，例如搜索字缓冲器。提供电路，例如字符串选择栅极以将阵列中的被选定存储器单元组连接至页缓冲器。页缓冲器包...

本发明公开了一种具有PUF及随机数产生器的电路及其操作方法，可应用于单个封装式集成电路或多芯片上的器件。该电路包括多个非易失性存储器存储单元、以及用于使用物理不可复制功能来生成初始密钥并将初始密钥存储于多个非易失性存储器存储单元中的一组...

本公开提供一种存储器装置及其运算方法，该存储器装置包括：存储器阵列，用于处理模型运算。该存储器阵列包括至少一个存储器子阵列及至少一个运算单元，该至少一个存储器子阵列包括：多个存储单元，及多条第一信号线、多条第二信号线与多条第三信号线，多...

本公开提供了一种存储器装置及其操作方法，该存储器装置包括一存储器控制器、一缓冲器及一存储器阵列。缓冲器耦接至存储器控制器或者内嵌于存储器控制器。缓冲器的储存空间被存储器控制器配置以包括多个组。存储器阵列耦接至存储器控制器，且包括多个存储...

本公开提供了一种存储器装置、纠错装置及其纠错方法，该纠错装置包括第一纠错译码器以及第二纠错译码器。第一纠错译码器针对数据块执行至少一次循环的第一纠错动作，计算至少一次循环的第一纠错动作所产生的特征状态值等于设定逻辑值的计数数量，并根据计...

本公开提供了一种存储器(例如3D AND Flash)，包括：存储器阵列、用于选择TCAM单元的集合中的一个电路、用于将输入搜索字应用于所选择的TCAM单元的集合中的TCAM单元的电路，以及用于基于搜索字的大于一个位的不匹配或可能不匹配...