旺宏电子股份有限公司专利技术

旺宏电子股份有限公司共有2426项专利

  • 本发明公开了一种半导体元件,包括一基板和一存储器结构,该存储器结构设置于基板上。该存储器结构包括:一底电极,设置于基板上方;一势垒层,设置于底电极上;一电阻转换层,设置于底电极上且位于势垒层上方;以及一顶电极,设置于电阻转换层上,并覆盖...
  • 一种存储器的数据管理方法及存储器装置。存储器包括多个存储器页面,各存储器页面包括多个存储单元,各存储单元包括第一存储位及第二存储位。各存储单元具有第一逻辑状态、第二逻辑状态、第三逻辑状态及第四逻辑状态。数据管理方法包括以下步骤:接收对应...
  • 一种编程非易失性存储器的方法及一种存储器系统。非易失性存储器的多个存储单元的每一存储单元存储具有至少2位的数据。此方法包括以下步骤。提供至少一编程脉冲以编程多个存储单元的一目标存储单元。提供至少一编程验证脉冲以验证目标存储单元是否为编程...
  • 本发明公开了一种集成电路,包含存储器阵列,存储器阵列包含多个存储单元,存储单元配置在多条第一存取线及多条第二存取线的对应的交叉点处。被选存储单元具有设置状态的第一阈值电压Vth(S)及复位状态的第二阈值电压Vth(R)。控制电路被配置以...
  • 本发明公开了一种编程非易失性存储器的方法及存储器系统,编程非易失性存储器的方法包括下列步骤:对于非易失性存储器的存储单元执行编程及编程验证操作,其中编程及编程验证操作包括施加序列增量阶跃脉冲至存储单元;在存储单元通过编程及编程验证操作后...
  • 一种立体(three dimensional,3D)存储器元件,包括:基材、多层叠层结构(multi‑layers stack)以及介电材质。基材具有至少一个凹陷部,由基材表面沿第一方向延伸进入基材。多层叠层结构包括多个导电层和多个绝缘...
  • 本发明公开了一种半导体结构的处理方法,包括:提供具有多个存储器元件的半导体结构;进行一形成工艺,以初始化存储器元件的操作;对半导体结构进行一形成热处理;以及在进行形成热处理之后,存储数据至存储器元件。
  • 一种半导体结构包括一基板、一叠层、一孔洞、和一有源结构。叠层设置在基板上。叠层由彼此交替的多个导电层和多个绝缘层构成。所述导电层包括一第i层导电层和设置在第i层导电层上方的一第j层导电层,第i层导电层具有厚度ti,第j层导电层具有厚度t...
  • 一种半导体存储元件,包括基底、多个第一隔离结构以及多个第二隔离结构。基底包括周边区与阵列区。第一隔离结构位于周边区的基底中。第二隔离结构位于阵列区的基底中。第一隔离结构的材料与第二隔离结构的材料不同。各第一隔离结构的宽度大于各第二隔离结...
  • 一种存储器装置的管理系统,用以管理一存储器装置。存储器装置具有多个子芯片。各子芯片包括一容纳区块与一数据区块。管理系统包括一处理器以及一热数据追踪装置。处理器耦接至存储器装置。处理器依据子芯片的个别温度从子芯片中选择一目标子芯片。热数据...
  • 一种半导体结构,包括一基板、一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一通道掺杂区、和一栅极结构。第一源极/漏极区设置于基板中。第一源极/漏极区包括一第一区和一第二区,第二区位于第一区下。第二源极/漏极区设置于基板中。第二源极/漏极区与第...
  • 本发明公开了一种三维存储器元件,包括:基材、多层叠层结构(multi‑layers stack)、至少一个存储器结构以及刻蚀阻挡结构(etching stop structure)。基材具有一个凹槽(trench)。多层叠层结构包括一个...
  • 一种列译码器及应用其的存储器系统。该译码器包括多条地址线、第一选择电路以及第二选择电路。第一选择电路耦接该些地址线并具有栓锁(latch)功能,用以致能并栓锁第一选择信号,以选择第一存储单元阵列中的第一字线。第二选择电路耦接该些地址线并...
  • 一种电压调节器,通过一输出节点以提供一调节电压。电压调节器包括一二级放大器及一反馈电路,二级放大器控制包括输出节点的一输出支路,反馈电路介于输出节点及放大器电路的一输入端之间。第一级连接至一第一电源供应电路,第一电源供应电路连接至一第一...
  • 一种三维叠层半导体结构的制造方法及其制得的结构。实施例的制造方法中,形成一多层叠层于一基板上方,多层叠层包括多个氮化层和多个多晶硅层交替叠层而成。形成垂直于基板的多个通道孔。图案化多层叠层而形成线性间距于通道孔之间且垂直于基板,其中所述...
  • 本发明公开了一种N位数字‑模拟转换器及其制造方法。N位数字‑模拟转换器(DAC)是基于:第一级,包括与数字输入的较高阶位对应的第一组电阻器;以及第二级,包括与所述数字输入的较低阶位对应的第二组电阻器。多个传送晶体管被配置成将根据数字输入...
  • 本发明公开了一种内连线结构,其包括第一介电层、第一导体层、第二导体层、覆盖层以及介层窗。第一介电层具有第一沟道及第二沟道。第一导体层位在第一沟道中。第二导体层位于第二沟道中,且第二导体层的顶面低在第一介电层的顶面。覆盖层覆盖第一介电层、...
  • 本发明公开了一种存储器装置的数据管理方法与系统,存储器装置的数据管理方法包括:计数一系统时间;当第一次存取或第一次更新或第一次编程该存储器装置的一第一区块的至少一部份时,或者每当该存储器装置的该第一区块整体被存取或更新或编程时,指定该区...
  • 本发明公开了一种提供调节电压的电路及方法,用以提供一调节电压至一具有快速改变的电流负载的目标电路。一电压调节器提供此调节电压至一输出节点。电压调节器包括一晶体管,此晶体管具有一栅极、连接至一电源供应终端的一第一终端及连接至电压调节器的输...
  • 一种半导体元件及其制造方法,其中所述半导体元件包括具有凹槽的基底与刻蚀停止层。刻蚀停止层位于基底中,环绕包覆凹槽的底面及部分侧壁。
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