旺宏电子股份有限公司专利技术

旺宏电子股份有限公司共有2358项专利

  • 一种半导体元件,包括一可编程存储器阵列,包括多个存储器单元设置于一基板上方,该些存储器单元其中之一包括:一栅极设置于基板上方;一导电部与栅极相隔开来;和一介电层,接触导电部且与栅极相隔开来,介电层定义存储器单元的一临界电压,其中,至少两...
  • 一种半导体结构,包括一基板和多个次阵列结构,次阵列结构设置在基板上并通过多个沟槽彼此分离。此种半导体结构包括多个存储单元构成的一三维阵列。该些存储单元包括多个存储单元群,分别设置在次阵列结构中。此种半导体结构还包括多个支撑柱和多个导电柱...
  • 本发明为一种与非门闪存的读取方法,包括:准备要被读出的一次页数据;其中,当该次页的地址接续于一特定页时,自动地准备该次页数据,或者当该次页的地址未接续于该特定页时,根据一页读取指令以及一次页地址来准备该次页数据。
  • 一种适用于集成电路的固有信息产生装置,其包括多个源存储单元对以及比较电路。该些源存储单元对其中之一包括具有第一电性参数值的第一源存储单元以及具有第二电性参数值的第二源存储单元。比较电路耦接该些源存储单元对,用以产生集成电路的固有信息。比...
  • 一种半导体元件,包括:具有第一导电型的基底、具有第二导电型的第一阱区、具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的第二阱区、具有第一导电型的至少一第二掺杂区、具有第二导电型的至少一第三掺杂区以及具有第二导电型的第四掺杂区。第一阱区位于基...
  • 本发明公开了一种非易失性存储器与编程的相关方法。其中,编程方法适用于非易失性存储器,包括:在至少一遮蔽存储器串中的第一侧边存储器单元及第一通道存储器单元间设定至少一第一隔离存储器单元;在第一时间点,断开至少第一隔离存储器单元及提供预升压...
  • 一种低压差稳压装置,包括稳压器以及预充器。稳压器用以依据第一参考电压与反馈节点上的反馈电压之间的压差调节提供至输出节点的输出电压,其中该反馈节点耦接该输出节点。预充器电性连接该稳压器,该预充器与该反馈节点电性连接以进行电荷分享。
  • 本发明公开了一种电流平坦化电路、一种电流补偿电路与其相关的控制方法。电流平坦化电路电连接于一核心节点,且电流平坦化电路包含一参考电压调整器与电流补偿电路。参考电压调整器产生一参考电压,其中参考电压为恒定。电流补偿电路电连接于核心节点与参...
  • 一种互连结构,包括基底与导电图案。导电图案包括底部。导电图案的底部设置于基底上。导电图案在底部的两侧壁上各具有缺口。
  • 本发明公开了一种存储器装置及操作存储器装置的方法,存储器装置包含存储器阵列以及耦接至存储器阵列的位线。包含电压源以供应在充电操作内所使用的电压。诸如位线钳位晶体管的位线钳位晶体管被耦接至电压源,且经组态以响应于位线控制信号而调节对应位线...
  • 一种内连线结构,包括基底、介电层、第一导电图案与第二导电图案。介电层设置于基底上,且具有开口。第一导电图案设置于开口中。第二导电图案设置于第一导电图案上,且暴露出第一导电图案的露出部分。第一导电图案的露出部分具有缺口。
  • 一种存储装置,包含与绝缘条交替的导电条的多个叠层,绝缘条具有第一和第二侧,且导电条具有相对于绝缘条的第一侧内凹的第一侧壁,其在叠层侧定义出第一内凹区。垂直通道柱设置在叠层之间,垂直通道柱具有设置在相邻叠层上的第一和第二通道膜、及位于第一...
  • 半导体存储器装置包括:一存储器阵列,包括多个存储单元,所述存储单元处于一高阻抗状态或一低阻抗状态的任一者;一参考阵列,包括多个参考单元,所述存储单元与所述参考单元具有相同的阻抗‑温度关系,且所述参考单元处于一中阻抗状态,该中阻抗状态介于...
  • 本发明公开了一种具一存储器结构的半导体元件,存储器结构包括一绝缘层设置于一基板上方;一底电极埋置于绝缘层中;一电阻转换层,设置于底电极上;和一顶电极,设置于电阻转换层上并覆盖电阻转换层。其中,底电极具有一凹陷上表面低于绝缘层的一平坦上表面。
  • 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法。横向扩散金属氧化物半导体晶体管包括基底、深阱区、阱区、隔离结构、栅极、栅介电层、第一掺杂区、第二掺杂区以及导电结构。深阱区配置于基底中。隔离结构配置于基底中,以定义出第一有源区...
  • 一种存储器装置包括N条字线,其中所述字线包括一第i条字线和一第i+1条字线,第i条字线耦接至一第i个存储单元,第i+1条字线耦接至相邻于第i个存储单元的一第i+1个存储单元,第i+1个存储单元是一被写入的存储单元,i是0至N‑2的整数。...
  • 一种存储控制方法,适用于一存储装置,包括:依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一错误更正码(Error Correcting Codes,ECC)控制参数,其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域,该挥发性...
  • 在集成电路上生成数据集的方法、集成电路及其制造方法
    一种在包含可编程电阻式存储单元的集成电路上生成数据集的方法,包含施加形成脉冲到可编程电阻式存储单元集合中的所有成员。形成脉冲具有形成脉冲电平,特色在于,在该集合的第一子集中引发从初始电阻范围到中间电阻范围的电阻变化,而在形成脉冲之后,该...
  • 多层结构与其制造方法及对应其的接触结构
    一种多层结构的制造方法。所述方法包括下列步骤。首先,形成一叠层于一基板上,此一叠层由交替的多个导电层和多个绝缘层所构成,且此叠层包括一多层区及邻接于多层区的一接触区。接着,形成多个第一开口于接触区中。之后,形成一导电连接结构于叠层上及第...
  • 半导体存储器装置,芯片标识符产生方法与制造方法
    本发明公开了一种半导体存储器装置、芯片标识符产生方法与制造方法。其中,半导体存储器装置包括:多个可编程电阻式存储器单元;以及一控制器。该控制器:施加一形成脉冲到这些可编程电阻式存储器单元的一第一群组与一第二群组,该第一群组从一初始电阻范...
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