【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种与nand闪存及其他类型的存储器中的存储器内搜索以及适合于大量搜索字的存储器内搜索系统的实施相关的技术。
技术介绍
1、存储器内搜索系统将输入数据集应用于存储器阵列中，所述存储器阵列比较输入数据集与被储存数据，且输出指示匹配或不匹配的结果。在基于nand快闪的存储器内搜索系统中，输入数据集可应用于耦接至储存被储存数据字的nand字符串的字线。nand字符串的输出指示输入数据集是否匹配被储存数据，且可经由位线应用于页缓冲器。
2、当待进行存储器内搜索的输入数据集的长度超过可在单个周期中存取的存储器单元的数目时，例如在超过可用于将存储器储存在nand字符串中的存储器单元的数目的nand字符串实施例中，输入数据划分为多个搜索字，且被储存数据分布在多个数据单元组，例如多个nand字符串上。这些多个数据单元组可全部连接至同一感测放大器电路，例如在多个nand字符串连接至单个全局位线的情况下，所述单个全局位线连接至页缓冲器的一个单元。依次将多个搜索字应用于对应数据集，且累积匹配结果。多个搜索字中的单个不匹配可导致整个输入数据集的不匹配。
3、然而，nand闪存及其他类型的存储器技术可能是不完善的，导致数据单元组中的一个或多个数据单元储存不正确数据。这会造成完全匹配的储存数据集由于存储器中的缺陷而被判定为不匹配的情况。在划分为多个搜索字的大输入数据集的情况下，错误判定搜索可能增加。
4、因此，需要提供可提高用于极大数据集的数据处理的效率的包括优化的存储器内搜索的技术。
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1、本公开提供一种可扩展以支持极大输入数据集的存储器内搜索(in-memorysearching，ims)技术。
2、本公开提供一种存储器，其包括存储器单元阵列及可操作地耦接至存储器单元阵列的页缓冲器。举例而言，存储器可配置为页缓冲器的3dnand阵列，所述页缓冲器包括耦接至位线的页缓冲器单元。搜索字输入可操作地耦接至存储器单元阵列，例如搜索字缓冲器耦接至3d nand阵列的字线。提供电路，例如字符串选择栅极或其他译码电路以将阵列中的被选定存储器单元组连接至页缓冲器。页缓冲器感测电路用于将匹配感测信号施加至多个储存元件中的储存元件，例如锁存器或正反器。匹配感测信号指示在搜索字输入上的输入搜索字是否匹配阵列中的被选定存储器单元组中的储存数据字。使用页缓冲器的多个储存元件中的储存元件以在多个被储存数据字及一个或多个输入搜索字的序列上累积通过感测电路输出的匹配感测信号的逻辑电路。可提供缓存器以储存阈值，可提供逻辑以基于阈值及累积的匹配感测信号指示被储存数据字的匹配。通过此方式，可避免由于在序列的部分中使用的存储器单元的故障而指示的不匹配。可视需要进一步处理在由阈值建立的错误容限内指示为匹配的被储存数据字，以处置存储器阵列中的错误。
3、在本公开中所提供的一种方法中，使用多个储存元件中的储存元件的逻辑电路实施移位寄存器以累积匹配感测信号。
4、在本公开中所提供的另一方法中，使用多个储存元件中的储存元件的逻辑电路实施计数器以累积匹配感测信号。
5、可在一些实施中应用的本公开中所提供的技术的方面包括在存储器单元阵列中执行例如读取及编程操作的存储器操作的控制器。控制器可使用亦用于在存储器操作中在页缓冲器中累积匹配感测信号的多个储存元件。
6、本公开所提供的技术提供用于存储器内搜索的方法，包括：将多个被储存数据字储存在存储器单元组中，例如nand字符串中的单元，存储器单元阵列中的单元；依次将输入搜索字应用于阵列中的多个存储器单元组，例如通过将输入搜索字应用于nand阵列的字线；依次将各存储器单元组中的被储存数据字的匹配感测信号施加至多个储存元件中的储存元件，例如页缓冲器单元的储存元件，匹配感测信号指示输入搜索字是否匹配被储存数据字；使用多个储存元件中的储存元件以在序列上累积匹配感测信号；以及依据阈值及匹配感测信号在序列上累积的结果而响应指示匹配或不匹配。
7、在审阅以下附图、实施方式以及权利要求范围之后可见本公开技术的其他方面及优势。
8、附图说明
9、图1为包括经配置用于使用搜索字序列的ims的存储器的集成电路的简化方块图，其中存储器内匹配累加器逻辑在页缓冲器中；
10、图2为经配置用于ims的3d非易失性nand架构的简化电路图，其中存储器内匹配累加器逻辑用于页缓冲器的个别页缓冲器单元；
11、图3为针对划分为依次应用的五个输入搜索字的输入数据集可使用如本公开中所提供的ims系统产生的匹配及不匹配条件的图示；
12、图4为存储器内匹配累加器逻辑的页缓冲器单元的简化电路图，适合用于如图2所示的系统；
13、图5示出基于移位寄存器的累加器逻辑的操作，其可使用如图4所示的页缓冲器单元的页缓冲器单元的储存元件来实施；
14、图6示出基于计数器的累加器逻辑的操作，其可使用如图4所示的页缓冲器单元的页缓冲器单元的储存元件来实施。
15、图7示出基于计数器的累加器逻辑的逻辑，其使用例如参考图4所示的页缓冲器单元的储存元件来实施。
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1.一种存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其中所述存储器单元阵列包括NAND字符串阵列，所述NAND字符串阵列中的各NAND字符串包括串联连接的存储器单元组，且其中将所述被选定存储器单元组连接至所述页缓冲器的所述电路以选择一个NAND字符串。
3.根据权利要求1所述的存储器，包括多个位线，所述多个位线将所述存储器单元阵列连接至所述页缓冲器，且所述页缓冲器包括的所述多个储存元件及所述感测电路用于所述多个位线中的各位线，所述感测电路用于个别将所述匹配感测信号施加至所述多个储存元件中的所述储存元件；以及
4.根据权利要求3所述的存储器，其中所述多个储存元件包括用于所述多个位线中的各位线的四个或大于四个储存元件。
5.根据权利要求1所述的存储器，其中使用所述多个储存元件中的所述储存元件的所述逻辑电路实施移位寄存器以累积所述匹配感测信号。
6.根据权利要求1所述的存储器，其中使用所述多个储存元件中的所述储存元件的所述逻辑电路实施计数器以累积所述匹配感测信号。
7.根据权利要求1所述的存储器，包括控制器，其
8.根据权利要求1所述的存储器，包括储存阈值的缓存器及基于所述阈值指示被储存数据字的匹配的逻辑。
9.一种存储器，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的存储器，其中页缓冲器单元的所述多个储存元件包括四个或大于四个储存元件。
11.根据权利要求9所述的存储器，其中使用所述多个储存元件中的所述储存元件的所述逻辑电路实施移位寄存器以累积所述匹配感测信号。
12.根据权利要求9所述的存储器，其中使用所述多个储存元件中的所述储存元件的所述逻辑电路实施计数器以累积所述匹配感测信号。
13.根据权利要求9所述的存储器，包括控制器，其中所述控制器用于在所述存储器单元阵列中执行存储器操作，并且所述控制器使用所述页缓冲器单元中的所述多个储存元件以执行所述存储器操作。
14.根据权利要求9所述的存储器，包括储存阈值的缓存器及基于所述阈值指示被储存数据字的匹配的逻辑。
15.一种用于存储器内搜索的存储器操作方法，其特征在于，包括：
16.根据权利要求15所述的用于存储器内搜索的存储器操作方法，其中所述存储器单元阵列包括NAND字符串阵列。
17.根据权利要求15所述的用于存储器内搜索的存储器操作方法，其中所述存储器单元阵列包括将所述存储器单元阵列连接至页缓冲器的位线，且所述页缓冲器包括用于多个所述位线中的各位线的感测电路的多个页缓冲器单元，所述多个页缓冲器单元中的页缓冲器单元包括所述多个储存元件，所述方法包括将对应匹配感测信号并行地施加至所述多个页缓冲器单元。
18.根据权利要求15所述的用于存储器内搜索的存储器操作方法，包括将所述多个储存元件配置为移位寄存器以在所述序列上累积所述匹配感测信号。
19.根据权利要求15所述的用于存储器内搜索的存储器操作方法，包括将所述多个储存元件配置为计数器以在所述序列上累积所述匹配感测信号。
20.根据权利要求15所述的用于存储器内搜索的存储器操作方法，包括使用用于存储器操作的所述多个储存元件在所述存储器单元阵列中执行所述存储器操作。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其中所述存储器单元阵列包括nand字符串阵列，所述nand字符串阵列中的各nand字符串包括串联连接的存储器单元组，且其中将所述被选定存储器单元组连接至所述页缓冲器的所述电路以选择一个nand字符串。
3.根据权利要求1所述的存储器，包括多个位线，所述多个位线将所述存储器单元阵列连接至所述页缓冲器，且所述页缓冲器包括的所述多个储存元件及所述感测电路用于所述多个位线中的各位线，所述感测电路用于个别将所述匹配感测信号施加至所述多个储存元件中的所述储存元件；以及
4.根据权利要求3所述的存储器，其中所述多个储存元件包括用于所述多个位线中的各位线的四个或大于四个储存元件。
5.根据权利要求1所述的存储器，其中使用所述多个储存元件中的所述储存元件的所述逻辑电路实施移位寄存器以累积所述匹配感测信号。
6.根据权利要求1所述的存储器，其中使用所述多个储存元件中的所述储存元件的所述逻辑电路实施计数器以累积所述匹配感测信号。
7.根据权利要求1所述的存储器，包括控制器，其中所述控制器用于在所述存储器单元阵列中执行存储器操作，并且所述控制器使用所述页缓冲器中的所述多个储存元件以执行所述存储器操作。
8.根据权利要求1所述的存储器，包括储存阈值的缓存器及基于所述阈值指示被储存数据字的匹配的逻辑。
9.一种存储器，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的存储器，其中页缓冲器单元的所述多个储存元件包括四个或大于四个储存元件。
11.根据权利要求9所述的存储器，其中使用所述多个储存元件中的所述储存元件的所...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪硕男，张峨源，洪继宇，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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