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同和电子科技有限公司专利技术
同和电子科技有限公司共有286项专利
III族氮化物半导体发光元件及其制造方法技术
提供兼顾高发光输出和优异可靠性的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。基于本发明的III族氮化物半导体发光元件在基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型接触层和p侧反射电极,从前述发光层发出的光的发光中心波...
III族氮化物半导体发光元件及其制造方法技术
提供具有比以往更优异的发光输出的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。本发明的III族氮化物半导体发光元件(100)的发光波长为200~350nm,且依次具有n型半导体层、发光层、AlN引导层、电子阻挡层和p型半导体层,所述发光层是...
III族氮化物半导体发光元件及其制造方法技术
提供一种III族氮化物半导体发光元件及其制造方法,该III族氮化物半导体发光元件可以抑制发光输出的经时变化,并且具有比以往更优异的发光输出。本发明的III族氮化物半导体发光元件(100)的发光波长为200nm~350nm,依次具备n型层...
银粉及其制造方法以及导电浆料技术
本发明提供银粉,所述银粉含有在颗粒内部具有封闭的空隙的银颗粒,以10,000倍观察上述银颗粒的截面时,相对于上述截面的面积的Heywood径为200nm以上的空隙的个数的平均值为0.01个/μm
软磁性粉末、软磁性粉末的热处理方法、软磁性材料、压粉磁芯和压粉磁芯的制造方法技术
一种软磁性粉末,其为由包含Si的Fe合金构成的软磁性粉末,前述软磁性粉末包含0.1~15质量%的Si,距离前述软磁性粉末的颗粒表面1nm的深度处的Si的原子浓度与Fe的原子浓度之比(Si/Fe)为4.5~30。
粘结磁体用铁素体粉末及其制造方法技术
本发明提供通过磁场取向能获得具有高剩余磁化强度Br的粘结磁体的粘结磁体用铁素体粉末及其制造方法。通过将铁、锶、镧和钴的复合氧化物的粉末与氧化铁混合并造粒后,进行烧成,对通过该烧成而得的烧成物进行粗粉碎以得到粗粉碎粉,将该粗粉碎粉粉碎后,...
深紫外发光元件制造技术
提供一种考虑到被照射物体的显色性的深紫外发光元件。根据本发明的深紫外发光元件依次具有由III族氮化物半导体构成的n型半导体层、发光层和p型半导体层,所述深紫外发光元件的发光光谱在200nm以上且350nm以下的波长区域具有一次发光峰波长...
半导体发光元件及其制造方法技术
本发明提供一种能够缓和发光光谱中的多峰从而成为单峰的半导体发光元件。基于本发明的半导体发光元件在基板上依次设有反射层、由至少包含In和P的InGaAsP形成的第一导电型包层、发光中心波长为1000~2200nm的半导体发光层、以及由至少...
半导体光器件的制造方法和半导体光器件的中间体技术
本发明的目的在于,提供能够抑制网纹的半导体光器件的制造方法和半导体光器件的中间体。本发明的半导体光器件的制造方法包括:在InP生长用基板上形成蚀刻阻挡层的工序;以及在前述蚀刻阻挡层上形成半导体层叠体的工序,所述半导体层叠体层叠有多层至少...
粘结磁铁用铁氧体粉末及其制造方法技术
本发明提供可得到具有高矫顽磁力iHc和高剩余磁化强度Br的粘结磁铁的粘结磁铁用铁氧体粉末及其制造方法。粘结磁铁用铁氧体粉末的制造方法具备将铁和锶的复合氧化物、和氧化铁、和助熔剂混合、造粒后进行烧成、粗粉碎得到铁氧体的粗粉的工序,和将铁氧...
硅氧化物被覆软磁性粉末及其制造方法技术
本发明提供绝缘性优异并且可获得高压粉密度的硅氧化物被覆软磁性粉末及其制造方法。通过在包含1质量%以上且40质量%以下的水的水与有机物的混合溶剂中使含有20质量%以上的铁的软磁性粉末分散而成的浆料中添加了烷氧化硅后,添加该烷氧化硅的水解催...
银纳米线墨及其制造方法技术
提供在充分抑制了粗大异物粒子的存在量的银纳米线墨中,配合了提高透明导电膜的导电性的效果高的银纳米线的银纳米线墨。通过对于银纳米线墨中间制品实施采用薄膜回旋法的分散处理,从而将墨中的银纳米线的形态调整为对于线总延长1.0mm以上测定的线的...
Fe-Ni合金粉以及使用其的电感器用成型体和电感器制造技术
提供粒径小、在高频带中能够实现高μ'、并且耐热性良好的Fe‑Ni合金粉。通过在含磷离子的共存下将包含3价Fe离子和Ni离子的酸性水溶液用碱水溶液中和以得到水合氧化物的沉淀物的浆料后,在该浆料中添加硅烷化合物以将硅烷化合物的水解产物被覆于...
Fe-Co合金粉以及使用其的电感器用成型体和电感器制造技术
提供粒径小、在高频带中能够实现高μ'、并且耐热性良好的Fe‑Co合金粉。在含磷离子的共存下将包含3价Fe离子和Co离子的酸性的水溶液用碱水溶液中和以得到水合氧化物的沉淀物的浆料后,向该浆料中添加硅烷化合物以将硅烷化合物的水解产物被覆于水...
硅氧化物被覆铁粉及其制造方法和使用其的电感器用成型体及电感器技术
[课题]提供粒径小、在高频带中能实现高的μ’、并且具有高的绝缘性的硅氧化物被覆铁粉及其制造方法。[解决手段]在使由平均粒径为0.25μm以上且0.80μm以下、并且平均轴比为1.5以下的铁粒子构成的铁粉分散于包含1质量%以上且40质量%...
半导体发光元件及其制造方法技术
提供一种接合型半导体发光元件,该半导体发光元件的发光功率以及正向电压的经时变化少,可靠性优异,并且中心发射波长为1000~2200nm。根据本发明的半导体发光元件(100)具有:导电性支承基板(80);金属层(60),其设于导电性支承基...
球状银粉及其制造方法技术
本发明提供具有与通过以往的湿式还原法制造的球状银粉同等程度的粒径、并且在用于烧成型的导电性糊料的情况下在较低的温度下使银粒子之间充分烧结而能够形成体积电阻率低的导电膜的球状银粉及其制造方法。在向含有银离子的水性反应体系中添加(脯氨酸、酪...
球状银粉制造技术
本发明提供能够在较低温度下烧成的球状银粉。该由球状的银粒子构成的球状银粉在粒子内部具有空隙,在将该银粉埋入树脂后对树脂的表面进行研磨而露出的银粒子的截面的图像中,与空隙的截面的轮廓外接的长方形的面积达到最小时的长方形的长边长度、即长径为...
深紫外发光元件及其制造方法技术
提供一种兼具高的发光输出和优异的可靠性的深紫外发光元件及其制造方法。根据本发明的深紫外发光元件在基板(10)上依次具有n型半导体层(30)、发光层(40)、p型电子阻挡层(60)和p型接触层(70),p型接触层(70)具有超晶格结构,该...
银粉混合物及其制造方法以及导电性糊剂技术
课题:提供适于在具有伸缩性的构件的表面形成导电膜的银粉混合物及其制造法以及使用了该银粉混合物的导电性糊剂。解决手段:将在硝酸银水溶液中添加了铜和铝的盐的1种或2种和乙二胺四乙酸盐的溶液保持60秒以上后,添加包含L‑抗坏血酸、异抗坏血酸和...
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