半导体发光元件及其制造方法技术

提供一种接合型半导体发光元件，该半导体发光元件的发光功率以及正向电压的经时变化少，可靠性优异，并且中心发射波长为1000～2200nm。根据本发明专利技术的半导体发光元件(100)具有：导电性支承基板(80)；金属层(60)，其设于导电性支承基板(10)上且包含反射金属；半导体层叠体(30)，其设于金属反射层(60)上，是将至少含有In和P的InGaAsP系III‑V族化合物半导体层多层层叠而成的；n型InGaAs接触层(20A)，其设于半导体层叠体(30)上；以及n侧电极(93)，其设于n型InGaAs接触层(20A)上，其中，从半导体层叠体(30)发射的光的中心发射波长为1000～2200nm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光元件及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体光发光元件及其制造方法，尤其涉及一种中心发射波长为1000～2200nm的接合型半导体发光元件及其制造方法。
技术介绍
在现有技术中，已知一种以波长750nm以上的红外区域为发射波长的红外发光的半导体发光元件，并且广泛用于传感器、气体分析、监视摄像机等用途。在将这种半导体发光元件的中心发射波长设为1000nm～2200nm的近红外区域的情况下，通常使用含有In和P的InGaAsP系III-V族半导体作为发光层。在现有技术中，在使InP层等InGaAsP系III-V族半导体层外延生长的情况下，为了使生长用基板与含有In和P的InGaAsP系III-V族半导体层晶格匹配，InP基板被用作生长用基板。例如，专利文献1公开了一种InGaAsP-InP系半导体发光元件，其在n型InP基板上依次设有活性层、p型包层、p型InGaAs层、p型InGaAsP欧姆接触层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平6-112531号公报<br>
技术实现思路
<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，具有：/n导电性支承基板；/n金属层，其设于该导电性支承基板上且包含反射金属；/n半导体层叠体，其设于该金属层上，是将至少含有In和P的InGaAsP系III-V族化合物半导体层多层层叠而成的；/nn型InGaAs接触层，其设于所述半导体层叠体上；以及，/nn侧电极，其设于该n型InGaAs接触层上，/n其中，从所述半导体层叠体发射的光的中心发射波长为1000～2200nm。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 JP 2017-2465941.一种半导体发光元件，其特征在于，具有：
导电性支承基板；
金属层，其设于该导电性支承基板上且包含反射金属；
半导体层叠体，其设于该金属层上，是将至少含有In和P的InGaAsP系III-V族化合物半导体层多层层叠而成的；
n型InGaAs接触层，其设于所述半导体层叠体上；以及，
n侧电极，其设于该n型InGaAs接触层上，
其中，从所述半导体层叠体发射的光的中心发射波长为1000～2200nm。


2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述n型InGaAs接触层的In组成比为0.47以上且0.60以下。


3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中，所述n侧电极含有Au以及Ge，或者含有Ti、Pt以及Au。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光元件，其中，所述半导体层叠体从所述金属层侧起依次包含p型包层、活性层以及n型包层。


5.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：
第1工序，在n型InP生长用基板上形成具备n侧电极形成区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本淳平，生田哲也，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP