本发明提供一种导电浆料，该导电浆料含有包含银粉和石墨粉的填料、聚合物和溶剂，上述石墨粉通过热重、差热分析法测定的1％减量起始温度为300℃以上且640℃以下。

本发明的课题在于提供即便减小粒径、通过将氧量抑制在较低水平也能够使体积电阻率良好并且碳量也少的含磷铜粉及其制造方法。提供一种含磷铜粉及其相关技术，该含磷铜粉为含有磷的含磷铜粉，其氧量(wt％)与BET比表面积(m

本发明提供一种银粉和银粉的制造方法、以及使用所述银粉的导电浆料，所述银粉能够形成具有优异导电性的导电膜，不会随着时间推移发生凝聚并结块，并且保存稳定性良好。在所述银粉的表面具有烯基琥珀酸酐和/或烯基琥珀酸。

本发明提供一种具有比以往优异的元件寿命的Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光元件(100)的特征在于，依次具有：n型Ⅲ族氮化物半导体层(30)；将势垒层(40a)及比势垒层(40a)带隙小的阱层(40b)依...

本发明的目的是制造一种银微粒分散液，其包含：被作为有机保护剂的辛胺等碳数8～12的胺包覆的平均一次粒径大于100nm且在300nm以下的银微粒(银微粒分散液中的银的含量为30～95质量％)、沸点为150～300℃的极性溶剂(5～70质量...

本发明的课题在于，通过提供在介电损耗小的树脂中良好地分散的金属磁性粉末，从而提供介电损耗小的磁性混合物、进而由该磁性混合物形成的天线以及装有该天线的电子设备。提供一种磁性粉末复合体，其包含：金属磁性粉末；和选自羧酸或者其酐、芳香族羧酸酯...

本发明的课题在于，使用聚亚芳基硫醚树脂而提供高频特性优异、并且机械强度优异的磁性混合物及其关联物。本发明提供涉及具有金属磁性粉末和聚亚芳基硫醚树脂，兼具高频磁特性和机械强度的磁性混合物的技术。

本发明提供耐气候性和导电性得到了显著改善的在纸基材上形成的铜的导电膜。上述课题通过下述的导电膜实现，该导电膜为将纸基材上含有铜粉的涂膜中的铜粒子烧结而成的烧结导电膜与上述基材一起进行加压而形成的导电膜，与厚度方向平行的导电膜截面中铜所占...

本发明的课题在于，使用间同立构聚苯乙烯(SPS)树脂和改性聚苯醚(m‑PPE)树脂之中的至少任一者，提供高频特性优异且机械强度优异的磁性复合物及其相关物。提供一种磁性复合物的相关技术，所述磁性复合物具有：金属磁性粉末；以及，间同立构聚苯...

提供一种经济的粘合材料，其可容易的被印刷到要相互粘合的物品上，并且其可抑制要被相互粘合的物品的粘合部分中的空隙形成，并且提供使用所述粘合材料的粘合方法。在含有铜粉末和醇溶剂的铜糊料的粘合材料中，铜粉末的含量为80‑95重量％，并且醇溶剂...

本发明提供粒径比以往小的氧化亚铜粉末和通过化学还原法制造该氧化亚铜粉末的方法。在将碱溶液和含铜离子的溶液的一方添加于另一方而生成氢氧化铜后添加还原糖等还原剂而使氧化亚铜粒子还原析出的氧化亚铜粉末的制造方法中，在生成氢氧化铜之前向含铜离子...

提供具有比以往优异的元件寿命的第III族氮化物半导体发光元件和其制造方法。本发明的第III族氮化物半导体发光元件(100)的特征在于，依次具有n型半导体层(30)、至少包含Al的发光层(40)、电子阻挡层(50)和p型半导体层(60)，...

将涂银铜粉添加到银担载液中，在由含银层涂覆的铜粉的表面上担载(相对于涂银铜粉的)0.01质量％以上的银，其中，上述涂银铜粉通过雾化法等获得，且通过用含银层涂覆铜粉的表面而得到，该含银层包含(相对于涂银铜粉)5质量％以上的银或银化合物；上...

本发明的一个课题在于，提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性。本发明的另一个课题在于，提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。本发明提供晶圆组...

本发明的目的在于，提供可通过光烧成来形成与基板的密合性和导电性良好的导电膜、同时保存稳定性也良好的导电性糊料，以及使用该糊料的导电膜的制造方法。本发明涉及含有用唑化合物被覆的平均粒径1～100nm的铜微粒、平均粒径0.3～20μm的铜粗...

本发明涉及接合用银片及其制造方法，以及电子部件接合方法。本发明提供一种接合用银片，其是粒径1～250nm的银粒子通过烧结而一体化的银片，具有升温至满足下述(1)式的某个温度范围“TA(℃)以上TB(℃)以下”进行保持时进一步进行烧结的性...

提供能够制造高BHmax的铁氧体系粘结磁体、复合物化时的MFR优异、高p‑iHc的粘结磁体用铁氧体粉末。提供一种粘结磁体用铁氧体粉末，其中，干式激光衍射式测定的平均粒径为5μm以下，比表面积为1.90m

提供改善了器件寿命的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法。所述方法用于制造依次包括以下的第III族氮化物半导体发光器件：n型半导体层，包括阱层(所述阱层至少包含Al)和势垒层的具有量子阱结构的发光层40，和p型半导体层150。该方法...

提供兼具高发光输出和长使用寿命的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，和第III族氮化物半导体发光器件。该方法用于制造第III族氮化物半导体发光器件，其依次包括：n型半导体层；具有由包括AlaGa1‑aN(0.3≤a≤0.8)的阱层...

本发明提供在磁场中成形时，可以制造BHmax的值为2.65MGOe以上的铁氧体系粘结磁体的粘结磁体用铁氧体粉末及其制造方法，以及使用该粘结磁体用铁氧体粉末的铁氧体系粘结磁体。提供压缩密度为3.50g/cm