【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅氧化物被覆软磁性粉末及其制造方法
本专利技术涉及适于电感器、扼流圈、变压器、电抗器、马达等电气电子部件的压粉磁芯的制造的、具有良好的绝缘性和高磁导率(μ)的硅氧化物被覆软磁性粉末及其制造方法。
技术介绍
目前为止,作为电感器、扼流圈、变压器、电抗器、马达等的磁芯,已知使用了铁粉、含有铁的合金粉末、金属间化合物粉末等软磁性粉末的压粉磁芯。但是,这些使用了含有铁的软磁性粉末的压粉磁芯与使用了铁氧体的压粉磁芯相比,电阻率低,因此在软磁性粉末的表面被覆绝缘性的被膜后实施压缩成型、热处理而制造。作为绝缘性的被覆,目前为止提出了各种方案,作为高绝缘性的被覆,已知硅氧化物被覆。作为采用干法将硅氧化物被覆的软磁性粉末,例如在专利文献1中公开了采用振动溅射装置形成了膜厚5~10nm的SiO2被膜的Fe-Si-Cr-Ni合金粉末。另外,在专利文献2中公开了使用机械融合法将包含79重量%的SiO2的硼硅酸碱玻璃被覆的Fe-Si-Cr系磁性金属粉末。作为采用湿法将硅氧化物被覆的软磁性粉末,例如在专利文献3中公开了使用四乙氧基硅烷的IPA( ...
【技术保护点】
1.硅氧化物被覆软磁性粉末,是在含有20质量%以上的铁的软磁性粉末的表面被覆有硅氧化物的硅氧化物被覆软磁性粉末,其中,所述硅氧化物的被覆层的平均膜厚为1nm以上且30nm以下,由下述(1)式定义的被覆率R为70%以上,压粉密度为4.0g/cm
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180220 JP 2018-0275451.硅氧化物被覆软磁性粉末,是在含有20质量%以上的铁的软磁性粉末的表面被覆有硅氧化物的硅氧化物被覆软磁性粉末,其中,所述硅氧化物的被覆层的平均膜厚为1nm以上且30nm以下,由下述(1)式定义的被覆率R为70%以上,压粉密度为4.0g/cm3以上,
R=Si×100/(Si+M)…(1)
其中,Si为对于所述硅氧化物被覆软磁性粉末通过X射线光电子分光分析法(XPS)测定得到的Si的摩尔分率,M为对于构成所述软磁性粉末的元素中的除氧以外的金属元素和非金属元素通过XPS测定得到的摩尔分率的总和。
2.根据权利要求1所述的硅氧化物被覆软磁性粉末,其中,采用激光衍射式粒度分布测定法得到的体积基准的累计50%粒径D50为1.0μm以上且5.0μm以下。
3.硅氧化物被覆软磁性粉末的制造方法,是在含有20质量%以上的铁的软磁性粉末的表面被覆有硅氧化物的硅氧化物被覆软磁性粉末的制造方法,包括:
将水与有机溶剂混合以准备包含1质量%以上且40质量%以下的水的混合溶剂的工序;
分散工序,在所述混合溶剂中添加含有20质量%以上的铁的软磁性粉末以得...
【专利技术属性】
技术研发人员:田上幸治,矢野拓哉,西泽赖人,
申请(专利权)人:同和电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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