本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括嵌入在模塑材料中的第一管芯，其中，第一管芯的接触焊盘邻近模塑材料的第一侧。半导体器件还包括在模塑材料的第一侧上方的再分布结构、沿第一管芯的侧壁并且在第一管芯和模塑材料之间的第一金属涂层、以及沿模塑...

一种半导体装置包括半导体基板。垫区域(pad region)设置于半导体基板上。微凸块设置于垫区域上。微凸块(micro bump)具有在垫区域上的第一部分及在第一部分上的第二部分。第一部分与第二部分具有不同宽度。第一部分具有第一宽度并...

半导体装置包括金属层、位于金属层上的绝缘层、以及位于金属层上并处于金属层与绝缘层之间的多层扩散阻障层。所述多层扩散阻障层包括含金属氮化物的第一材料层以及含金属氧化物的第二材料层。

本发明实施例提供一种半导体封装包括至少一个集成电路组件、粘胶材料、绝缘包封体、及重布线路结构。所述粘胶材料包封所述至少一个集成电路组件且具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述至少一个集成电路组件被所述粘胶材料的所述第一表面...

半导体装置的制造方法包含蚀刻基底以形成第一半导体条，在第一半导体条的第一沟道区上方形成第一虚设栅极结构，在第一虚设栅极的任一侧上的第一半导体条中蚀刻出第一和第二凹陷，在第一凹陷和第二凹陷中形成金属间掺杂膜，在凹陷附近将金属间掺杂膜的掺杂...

器件和方法，包括在填充设置在半导体衬底上方的开口之前，用于配置衬垫层的轮廓。衬垫层在开口的底部处具有第一厚度，并且在开口的顶部处具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度。在实施例中，填充的开口提供了接触结构。本发明的实施例还涉及具有可配置轮廓...

本公开实施例描述一种于光刻胶层上形成一介电层或一介电质堆叠的方法，同时最小化或避免对光刻胶造成损害。此外，介电层或介电质堆叠可填充高深宽比的开口且可经由蚀刻而移除。介电层或介电质堆叠可经由一共形的低温化学气相沉积工艺或使用多个前驱物及等...

本揭露提供一种半导体装置的内连结构。内连结构包含介层窗、与介层窗顶部具有重叠区域的沟渠，以及与介层窗底部具有重叠区域的第一导电材料层。内连结构也可包括形成于介层窗中的第二导电材料层，以及形成于沟渠中的第三导电材料层。第二导电材料层接触第...

本公开实施例为有关于半导体装置以及制造方法，特别为在沟槽中具有增强的间隙填充层的半导体装置。本公开实施例提供通过使用多步骤沉积和原位处理工艺形成的新颖的间隙填充层。沉积工艺可为通过使用一种或多种辅助气体以及低反应性粘附系数(RSC)分子...

一种使用具有单极的孔隙进行衍射式迭对测量的方法，包括使用第一孔隙板测量组合光栅的X轴衍射。在一些实施例中，第一孔隙板具有第一对辐射透射区域，且第一对辐射透射区域沿着第一直径轴线设置并且被设置在对准第一孔隙板的中心的光轴的相对侧上。在一些...

方法包括在载体上方形成再分布结构，再分布结构具有位于再分布结构的远离载体的表面上的导电部件；在再分布结构的表面上方形成导电柱；将管芯附接至再分布结构的邻近导电柱的表面，其中，管芯的管芯连接件电连接至再分布结构的导电部件；以及通过导电接头...

为了防止在半导体管芯接合至其它衬底之后在半导体管芯的拐角处出现裂缝，邻近半导体管芯的拐角形成开口，并且用缓冲材料填充和过填充开口，其中，缓冲材料的物理特性介于半导体管芯和邻近缓冲材料放置的底部填充材料的物理特性之间。本发明实施例涉及一种...

本发明的实施例提供了一种方法，包括：在载体上方形成离型膜；通过管芯附接膜将器件附接在离型膜上方；将器件包封在包封材料中；在包封材料上进行平坦化以暴露器件；将器件和包封材料与载体分离；蚀刻管芯附接膜以暴露器件的背面；以及在器件的背面上施加...

提供了一种用于形成集成电路(IC)封装件的方法。在一些实施例中，形成包括划线、第一IC管芯、第二IC管芯和钝化层的半导体工件。所述划线分离第一和第二IC管芯，并且钝化层覆盖第一和第二IC管芯。第一IC管芯包括电路和电耦合到电路的焊盘结构...

一种散热装置包括：集成电路管芯，具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；管芯堆叠，位于所述集成电路管芯的所述第一侧上；虚拟半导体特征，位于所述集成电路管芯的所述第一侧上，所述虚拟半导体特征横向环绕所述管芯堆叠，所述虚拟半导体特征与所述管芯...

本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。方法包括在载体上方形成导电柱。将集成电路管芯附接至载体，集成电路管芯设置为邻近导电柱。在导电柱和集成电路管芯周围形成密封剂。去除载体以暴露导电柱的第一表面和密封剂的第二表面。在第一表面和第二表面上...

提供芯片封装结构的制造方法，此方法包含在载体基底上方形成第一介电层，第一介电层是连续的介电层且具有开口。此方法包含在第一介电层上方和在开口中形成第一布线层，第一介电层和第一布线层一起形成重分布结构，且重分布结构具有第一表面和第二表面。此...

提供内连线结构与其形成方法。方法包括形成开口于介电层与蚀刻停止层中，其中开口只部分地延伸穿过蚀刻停止层。方法亦包括产生真空环境于装置周围。在产生真空环境于装置周围之后，方法包括蚀刻穿过蚀刻停止层，以延伸开口并露出第一导电结构。方法亦包括...

本发明实施例的方法提供基板，其具有栅极结构于基板的第一侧上；形成凹陷，且凹陷与栅极结构相邻；以及形成具有掺杂的第一半导体层于凹陷中，第一半导体层为非顺应性，且第一半导体层衬垫凹陷并自凹陷底部延伸至凹陷顶部。此方法亦包括形成具有掺杂的第二...

一种形成鳍式晶体管的方法包括形成鳍片于基板上、以氧化层以及保护层至少覆盖上述鳍片的上部。上述保护层形成于上述氧化层之上。上述方法亦包括使用离子布植工艺至少掺杂上述鳍片的上部。上述保护层在上述离子布植工艺的过程中至少防止对于上述鳍片的上部...