集成电路封装件及其形成方法技术

本发明专利技术提供了集成电路封装件及其形成方法。方法包括在载体上方形成导电柱。将集成电路管芯附接至载体，集成电路管芯设置为邻近导电柱。在导电柱和集成电路管芯周围形成密封剂。去除载体以暴露导电柱的第一表面和密封剂的第二表面。在第一表面和第二表面上方形成聚合物材料。固化聚合物材料以形成环形结构。环形结构的内边缘在平面图中与第一表面重叠。环形结构的外边缘在平面图中与第二表面重叠。

Integrated Circuit Package and Its Formation Method

The invention provides an integrated circuit package and a forming method thereof. The method includes forming a conductive column above the carrier. The integrated circuit core is attached to the carrier, and the integrated circuit core is set to the adjacent conductive column. A sealant is formed around the conductive column and the core of the integrated circuit. The carrier is removed to expose the first surface of the conductive column and the second surface of the sealant. Polymer materials are formed square on the first and second surfaces. Polymer materials are cured to form a ring structure. The inner edge of the ring structure overlaps with the first surface in the plan. The outer edge of the ring structure overlaps with the second surface in the plan.

【技术实现步骤摘要】
集成电路封装件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及集成电路封装件及其形成方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子装置。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在材料层中形成电子组件和元件来制造半导体器件。在单个半导体晶圆上通常制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来分割单独的管芯。然后在多芯片模块或其他类型的封装中来分别封装单独的管芯。由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，集成密度的这种改进来自最小部件尺寸的反复减小(例如，朝着亚20nm节点缩小半导体工艺节点)，这允许将更多的组件集成到给定区域。随着对微型化、更高的速度和更大的带宽以及更低的功耗和延迟的需求，已经产生了对半导体管芯的更小和更具创造性的封装技术的需求。随着半导体技术进一步发展，堆叠半导体器件(例如，三维集成电路(3DIC))已经作为有效替代出现以进一步减小半导体器件的物理尺寸。在堆叠半导体器件中，在不同的半导体晶圆上制造诸如逻辑、存储器、处理电路等的有源电路。两个或多个半导体晶圆可以安装或堆叠在彼此的顶部以进一步减小半导体器件的形状因数。叠层封装(POP)器件是3DIC的一种类型，其中，管芯被封装并且之后与一个或多个其他封装管芯封装在一起。封装件上芯片(COP)是3DIC的另一张类型，其中，管芯被封装并且之后与一个或多个其他封装管芯封装在一起。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种形成集成电路封装件的方法，包括：在载体上方形成导电柱；将集成电路管芯附接至所述载体，所述集成电路管芯设置为邻近所述导电柱；在所述导电柱和所述集成电路管芯周围形成密封剂；去除所述载体以暴露所述导电柱的第一表面和所述密封剂的第二表面；在所述第一表面和所述第二表面上方形成聚合物材料；以及固化所述聚合物材料以形成环形结构，其中，所述环形结构的内边缘在平面图中与所述第一表面重叠，并且其中，所述环形结构的外边缘在所述平面图中与所述第二表面重叠。本专利技术的另一实施例提供了一种形成集成电路封装件的方法，包括：在载体上方形成导电柱；将集成电路管芯附接至所述载体，所述集成电路管芯设置为邻近所述导电柱；在所述载体上方和所述导电柱周围形成聚合物材料；固化所述聚合物材料以形成环形结构；以及在所述环形结构上方以及所述导电柱和所述集成电路管芯周围形成密封剂。本专利技术的又一实施例提供了一种集成电路封装件结构，包括：集成电路管芯；密封剂，沿着所述集成电路管芯的侧壁延伸，所述密封剂具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；导电柱，延伸穿过所述第一表面和所述第二表面之间的所述密封剂；以及环形结构，设置在所述密封剂的所述第一表面处，所述环形结构在平面图中围绕所述导电柱。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1至图8是根据一些实施例的在集成电路管芯的制造期间的各个处理步骤的截面图。图9至图15、图16A、图16B、图17、图18A、图18B、图19A、图19B、图20A和图20B是根据一些实施例的在集成电路封装件的制造期间的各个处理步骤的截面图。图21至图24、图25A、图25B和图26是根据一些实施例的在集成电路封装件的制造期间的各个处理步骤的截面图。图27是根据一些实施例的示出形成集成电路封装件的方法的流程图。图28是根据一些实施例的示出形成集成电路封装件的方法的流程图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。将参照上下文中的实施例来描述实施例，即集成电路封装件，诸如集成扇出(InFO)封装件和包括InFO封装件的PoP封装件。然而，其他实施例也可以应用于其他电连接组件，包括但不限于组件封装、处理衬底、中介层等中或用于任何类型的集成电路或电组件的连接封装或安装组合的叠层封装件组件、管芯至管芯组件、管芯至管芯组件、晶圆至晶圆组件、管芯至衬底组件。本文描述的各个实施例允许在延伸穿过InFO封装件的密封剂(诸如例如模塑料)的通孔周围形成保护环。在一些实施例中，保护环允许改进附接至通孔的连接件(诸如例如焊料凸块)的轮廓。在一些实施例中，保护环还允许在实施集成电路封装件的可靠性测试时和/或集成电路封装件的正常运行期间防止或消除密封剂与通孔的分层，底部填充物与连接件的分层，密封剂和/或底部填充物中的裂缝的形成，密封剂和底部填充物之间的裂缝的传播，以及由通孔和相应的连接件形成的接头中的裂缝的形成。本文描述的各个实施例还允许减少制造步骤的数量以及形成集成电路封装件的制造成本。图1至图8是根据一些实施例的在集成电路管芯的制造期间的各个处理步骤的截面图。参照图1，示出了工件100的部分，工件100具有由划线103(也称为分割线或分割街)分隔开的管芯区101。如下面更详细描述的，将沿着划线103分割工件100以形成单独的集成电路管芯(诸如图3中示出的集成电路管芯801)。在一些实施例中，工件100包括衬底105、位于衬底105上的一个或多个有源和/或无源器件107以及位于衬底105上方的一个或多个金属化层109。在一些实施例中，衬底105可以由硅形成，但是它也可以由其他III族、IV族和/或V族元素形成，诸如硅、锗、镓、砷和它们的组合。衬底105也可以是绝缘体上硅(SOI)的形式。SOI衬底可以包括形成在绝缘体层(形成在硅衬底上，例如，掩埋氧化物等)上方的半导体材料层(例如，硅、锗等)。此外，可以使用的其他衬底包括多层衬底、梯度衬底、混合取向衬底、它们的任何组合等。在一些实施例中，一个或多个有源和/或无源器件107可以包括诸如晶体管、电容器、电阻器、二极管、光电二极管、熔丝等的各个n型金属氧化物半导体(NMOS)器件和/或p型金属氧化物半导体(PMOS)器件。一个或多个金属化层109可以包括形成在衬底105上方的层间介电层(ILD)/金属间介电层(IMD)。例如，ILD/IMD可以通过本领域已知的任何合适的方法(诸如旋涂方法、化学气相沉积(CVD)、等离子体增本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成集成电路封装件的方法，包括：在载体上方形成导电柱；将集成电路管芯附接至所述载体，所述集成电路管芯设置为邻近所述导电柱；在所述导电柱和所述集成电路管芯周围形成密封剂；去除所述载体以暴露所述导电柱的第一表面和所述密封剂的第二表面；在所述第一表面和所述第二表面上方形成聚合物材料；以及固化所述聚合物材料以形成环形结构，其中，所述环形结构的内边缘在平面图中与所述第一表面重叠，并且其中，所述环形结构的外边缘在所述平面图中与所述第二表面重叠。

【技术特征摘要】
2017.06.30 US 62/527,506;2017.10.02 US 15/722,6551.一种形成集成电路封装件的方法，包括：在载体上方形成导电柱；将集成电路管芯附接至所述载体，所述集成电路管芯设置为邻近所述导电柱；在所述导电柱和所述集成电路管芯周围形成密封剂；去除所述载体以暴露所述导电柱的第一表面和所述密封剂的第二表面；在所述第一表面和所述第二表面上方形成聚合物材料；以及固化所述聚合物材料以形成环形结构，其中，所述环形结构的内边缘在平面图中与所述第一表面重叠，并且其中，所述环形结构的外边缘在所述平面图中与所述第二表面重叠。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物材料包括可UV固化聚合物材料。3.根据权利要求2所述的方法，其中，固化所述聚合物材料包括将所述聚合物材料暴露于UV光。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物材料包括可热固化聚合物材料。5.根据权利要求4所述的方法，其中，固化所述聚合物材料包括对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，郑礼辉，蔡柏豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71