具有内界面层与高介电常数介电层的半导体装置，具有半导体基板。硅锗层设置于半导体基板上。硅锗层具有第一硅锗比例。第一栅极结构设置于硅锗层上，以及第一栅极结构包括位于硅锗层上的内界面层。界面层具有第二硅锗比例，与硅锗层的第一硅锗比例基本上相...

本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；第一半导体材料的第一鳍式有源区域，设置在第一区域内，定向为第一方向，其中，第一鳍式有源区域具有沿着第一方向的

一种包括非易失性存储器(NVM)单元的半导体器件。NVM单元包括设置在绝缘层上方的半导体布线，其中，该绝缘层设置在衬底上。NVM单元包括选择晶体管和控制晶体管。选择晶体管包括设置在半导体布线周围的栅极介电层和设置在栅极介电层上的选择栅电...

在制造半导体器件的方法中，在衬底的存储器单元区中形成由保护层覆盖的存储器单元结构。形成掩模图案。掩模图案具有位于第一电路区上方的开口，同时通过掩模图案覆盖存储器单元区和第二电路区。凹进第一电路区中的衬底，同时保护存储器单元区和第二电路区...

本发明的实施例提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括写入端口，该写入端口包括第一反相器和与第一反相器交叉连接的第二反相器，第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，并且第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；以及读...

提供了具有可调功函值的金属栅极结构的半导体器件结构。在一个实例中，半导体器件包括位于衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；其中，第一栅极结构包括具有第一材料的第一栅极介电层，并且第二栅极结构包括具有第二材料的第二栅极介电层，第一材料与第二...

本发明提供了用于在半导体器件结构中切割(例如分割)金属栅极结构的方法。在一些实例中，双层结构可以在替换栅极制造工艺中形成子金属栅极结构。在实例中，半导体器件包括设置在层间介电(ILD)层中的多个金属栅极结构，其中，层间介电(ILD)层设...

方法包括将电子管芯接合至光子管芯。光子管芯包括开口。该方法还包括将适配器附接至光子管芯，其中，该适配器的部分与电子管芯的部分处于相同的水平，形成穿透适配器的通孔，其中，该通孔与开口对准；以及将光学器件附接至适配器。该光学器件被配置为将光...

一种半导体装置包括电感器结构，且所述电感器结构位于衬底上且包括第一金属层、磁性堆叠、聚合物层以及第二金属层。所述第一金属层位于所述衬底之上。所述磁性堆叠位于所述第一金属层之上且具有实质上Z字形的侧壁。所述聚合物层位于所述第一金属层之上且...

方法包括将管芯嵌入在模制材料内；在模制材料和管芯上方形成第一介电层；在第一介电层的远离管芯的上表面上方形成导线；以及在第一介电层和导线上方形成第二介电层。该方法还包括形成穿过第一介电层或第二介电层延伸的第一沟槽开口，其中，第一沟槽开口的...

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括嵌入在模塑材料中的第一管芯，其中，第一管芯的接触焊盘邻近模塑材料的第一侧。半导体器件还包括在模塑材料的第一侧上方的再分布结构、沿第一管芯的侧壁并且在第一管芯和模塑材料之间的第一金属涂层、以及沿模塑...

一种半导体装置包括半导体基板。垫区域(pad region)设置于半导体基板上。微凸块设置于垫区域上。微凸块(micro bump)具有在垫区域上的第一部分及在第一部分上的第二部分。第一部分与第二部分具有不同宽度。第一部分具有第一宽度并...

半导体装置包括金属层、位于金属层上的绝缘层、以及位于金属层上并处于金属层与绝缘层之间的多层扩散阻障层。所述多层扩散阻障层包括含金属氮化物的第一材料层以及含金属氧化物的第二材料层。

本发明实施例提供一种半导体封装包括至少一个集成电路组件、粘胶材料、绝缘包封体、及重布线路结构。所述粘胶材料包封所述至少一个集成电路组件且具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述至少一个集成电路组件被所述粘胶材料的所述第一表面...

半导体装置的制造方法包含蚀刻基底以形成第一半导体条，在第一半导体条的第一沟道区上方形成第一虚设栅极结构，在第一虚设栅极的任一侧上的第一半导体条中蚀刻出第一和第二凹陷，在第一凹陷和第二凹陷中形成金属间掺杂膜，在凹陷附近将金属间掺杂膜的掺杂...

器件和方法，包括在填充设置在半导体衬底上方的开口之前，用于配置衬垫层的轮廓。衬垫层在开口的底部处具有第一厚度，并且在开口的顶部处具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度。在实施例中，填充的开口提供了接触结构。本发明的实施例还涉及具有可配置轮廓...

本公开实施例描述一种于光刻胶层上形成一介电层或一介电质堆叠的方法，同时最小化或避免对光刻胶造成损害。此外，介电层或介电质堆叠可填充高深宽比的开口且可经由蚀刻而移除。介电层或介电质堆叠可经由一共形的低温化学气相沉积工艺或使用多个前驱物及等...

本揭露提供一种半导体装置的内连结构。内连结构包含介层窗、与介层窗顶部具有重叠区域的沟渠，以及与介层窗底部具有重叠区域的第一导电材料层。内连结构也可包括形成于介层窗中的第二导电材料层，以及形成于沟渠中的第三导电材料层。第二导电材料层接触第...

本公开实施例为有关于半导体装置以及制造方法，特别为在沟槽中具有增强的间隙填充层的半导体装置。本公开实施例提供通过使用多步骤沉积和原位处理工艺形成的新颖的间隙填充层。沉积工艺可为通过使用一种或多种辅助气体以及低反应性粘附系数(RSC)分子...

一种使用具有单极的孔隙进行衍射式迭对测量的方法，包括使用第一孔隙板测量组合光栅的X轴衍射。在一些实施例中，第一孔隙板具有第一对辐射透射区域，且第一对辐射透射区域沿着第一直径轴线设置并且被设置在对准第一孔隙板的中心的光轴的相对侧上。在一些...