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苏州纳芯微电子股份有限公司专利技术
苏州纳芯微电子股份有限公司共有166项专利
隔离电源芯片制造技术
本发明提供了一种隔离电源芯片,包括平面变压器,所述隔离电源芯片包括发射端和接收端,所述平面变压器包括位于发射端的原边线圈以及位于接收端的副边线圈所述平面变压器还包括设置于原边线圈和副边线圈之间的绝缘栅,所述原边线圈和副边线圈分别位于两个...
一种隔离电源电路及其控制方法技术
本发明提供了一种隔离电源电路,所述隔离电源电路包括发射端和接收端,所述发射端与电压源相连接且谐振电路及栅极分压电路;所述栅极分压电路包括:第一分压支路,所述第一分压支路一端连接于第一电感和第一mos管的输入端之间,所述第一分压支路包括相...
一种压力传感器校准设备制造技术
本发明提供一种压力传感器校准设备,包括:依序设置的上料工位、常温检测工位、至少一个低温箱、低温检测工位、至少一个高温箱、高温检测工位、至少一个降温箱、复测工位、打标工位以及下料工位,所述常温检测工位、所述低温检测工位、所示高温检测工位以...
一种检测组件及压力传感器校准设备制造技术
本发明提供一种检测组件及其压力传感器校准设备,检测组件适用于校准至少两种压力传感器,其特征在于,该检测组件包括:第一检测站,用于校准第一压力传感器,该第一检测站包括第一探针组件,第一载具组件以及第一密封组件;以及第二检测站,用于校准第二...
一种压力传感器及制备方法技术
本发明提供一种压力传感器及制备方法,该压力传感器包括自下而上叠至的硅衬底、粘结层、检测电路及硅膜结构,其中,该粘结层中设置空腔,检测电路设置于该硅膜结构朝向该硅衬底的一侧。本发明提供的压力传感器能够克服检测电路暴露环境中造成传感器的稳定...
接线端子组件及其电表和控制方法技术
本发明提供了一种接线端子组件及其电表和控制方法,接线端子组件包括用以与电线电性连接的端子,所述接线端子组件还包括PCB板、贴附于PCB板上且与端子相对应的温度传感器;所述接线端子组件还包括有设置于温度传感器和端子之间的导热绝缘垫片。导热...
温度值传输装置及其方法制造方法及图纸
本发明提供一种温度值传输装置及其方法,所述温度值传输装置包括:温度传感器、控制器以及连接所述温度传感器和控制器的数据线、地线,所述温度传感器、控制器、数据线和地线共同构成一个回路,其中,所述温度传感器用于获取温度值,所述数据线用于传输脉...
一种压力传感器的封装结构制造技术
本实用新型公开了一种压力传感器的封装结构,包括外壳、敏感元件、调理芯片以及封装基板,敏感元件和调理芯片分别通过粘接剂固定到封装基板上,并通过键合引线实现敏感元件、调理芯片以及封装基板之间的信号互联;外壳通过外壳粘接剂粘接到封装基板上,且...
差压传感器的封装结构制造技术
本实用新型公开了一种新型的差压传感器的封装结构,包括调理芯片、敏感元件、金属引线框架和封装壳体,还包括处于非同一平行面上的参考压力进压口和待测压力进压口以及设置在封装壳体上的圆柱;调理芯片和敏感元件通过软态胶粘接固定在封装壳体上后分别通...
用于DPF尾气处理系统的压差传感器技术方案
本实用新型公开了一种用于DPF尾气处理系统的压差传感器,包括压力测量单元、电路后处理单元、壳体结构单元和密封单元;所述压力测量单元设置在壳体结构单元内,电路后处理单元设置在压力测量单元上,密封单元设置在压力测量单元的底部。本实用新型通过...
MEMS SOI晶圆以及MEMS传感器制造技术
本实用新型公开了一种MEMS SOI晶圆以及MEMS传感器,该晶圆结构包括基底、介质层、器件层以及空腔:所述空腔位于基底中,空腔中形成有支撑结构,且支撑结构的深度与空腔的深度相同,所述介质层位于基底和器件层之间。其制备方法包括:基底的准...
电容式数字隔离芯片及其调制解调方法技术
本发明公开了一种电容式数字隔离芯片及其调制解调方法,包括调制电路、差分高压电容和解调电路,所述调制电路将边沿调制与刷新电路整合在一个差分通道内,其输出整合了输入信号的边沿信号及刷新电路产生的刷新信号;所述差分高压电容用于实现调制电路与解...
一种MEMS岛-梁-膜装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种MEMS岛‑梁‑膜装置,包括支撑结构、粘接层和器件层,所述支撑结构和器件层之间通过粘接层粘接在一起;所述支撑结构的中间位置设置有背腔和空腔;所述背腔贯穿支撑结构到空腔内,并与空腔相互连通;所述空腔从支撑结构的上表面向...
一种用于DPF尾气处理系统的压差传感器技术方案
本发明公开了一种用于DPF尾气处理系统的压差传感器,包括压力测量单元、电路后处理单元、壳体结构单元和密封单元;所述压力测量单元设置在壳体结构单元内,电路后处理单元设置在压力测量单元上,密封单元设置在压力测量单元的底部。本发明通过双电容分...
一种用于传感器调理芯片的单线测试方法技术
本发明公开了一种用于传感器调理芯片的单线测试方法,包括以下步骤:(1)在被测试芯片的电源上驱动一个异常电压,芯片内部检测到电压异常,进入测试模式;(2)测试过程中主设备在通信线上驱动一对时间很短的高低电平构成一个边沿,然后释放总线;(3...
MEMS SOI晶圆和制备方法以及MEMS传感器和制备方法技术
本发明公开了一种MEMS SOI晶圆和制备方法以及MEMS传感器及其制备方法,该晶圆结构包括基底、介质层、器件层以及空腔:所述空腔位于基底中,空腔中形成有支撑结构,且支撑结构的深度与空腔的深度相同,所述介质层位于基底和器件层之间。其制备...
一种MEMS岛-梁-膜装置及其制备方法制造方法及图纸
本发明公开了一种MEMS岛‑梁‑膜装置,包括支撑结构、粘接层和器件层,所述支撑结构和器件层之间通过粘接层粘接在一起;所述支撑结构的中间位置设置有背腔和空腔;所述背腔贯穿支撑结构到空腔内,并与空腔相互连通;所述空腔从支撑结构的上表面向下延...
利用自加热校准带隙基准电压温漂的集成电路制造技术
本实用新型公开了一种利用自加热校准带隙基准电压温漂的集成电路,包括带隙基准、模数转换器、第一、二、三、四开关;所述带隙基准分别通过第一、二开关与模数转换器连接,所述第三、四开关的一端连接至模数转换器,第三开关的另一端接VIP端,第四开关...
利用自加热校准带隙基准电压温漂的集成电路及其方法技术
本发明公开了一种利用自加热校准带隙基准电压温漂的集成电路及其方法,包括带隙基准、模数转换器、第一、二、三、四开关;所述带隙基准分别通过第一、二开关与模数转换器连接,所述第三、四开关的一端连接至模数转换器,第三开关的另一端接VIP端,第四...
用于加速度计的错误诊断检测方法技术
本发明提供了一种用于加速度计的错误诊断检测方法,利用非正交轴(完全非正交或部分非正交)之间的冗余信息实现对加速度计中失效轴进行实时的自动检测,并报告诊断信息的自诊断检测处理方法,达到保证数据可信度、提高检测效率和降低成本的目的。
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