【技术实现步骤摘要】
一种压力传感器及制备方法
本专利技术涉及一种压力传感器及其制备方法，属于微电子机械
MEMS(微电子机械系统)压力传感器是利用半导体工艺，如薄膜生长、离子注入、金属溅射、干法刻蚀、湿法腐蚀、晶圆键合工艺、减薄、研磨抛光等工艺，将感应压力的敏感膜等机械结构以及检测电路加工到半导体衬底上而形成的，其具有将看不到摸不着的压力信号转变为易识别、易处理的电学信号的特性，广泛应用于消费类电子、医疗电子、汽车电子、工业控制、石油化工等领域。目前常见的MEMS压力传感器结构主要有两种，一种是通过各向异性湿法腐蚀工艺和硅-玻璃阳极键合工艺形成具有倒梯形空腔的MEMS压力传感器结构，简称传统结构；另一种是通过高温硅硅键合工艺形成预埋空腔上或预埋空腔绝缘层上硅结构，简称CavitySOI或C-SOI结构。图1所示传统结构压力传感器10，包括硅衬底1、位于硅衬底1上的膜结构2、位于膜结构2表面上的检测电路5、位于硅衬底1内的倒梯形空腔3以及位于硅衬底1下方的玻璃基底4。这种传统结构的MEMS压力传感器的劣势在于，独特的倒梯形空腔结构3以...
【技术保护点】
1.一种压力传感器，其特征在于，/n该压力传感器包括自下而上叠至的硅衬底、粘结层、检测电路及硅膜结构，/n其中，该粘结层中设置空腔，检测电路设置于该硅膜结构朝向该硅衬底的一侧。/n
【技术特征摘要】
1.一种压力传感器，其特征在于，
该压力传感器包括自下而上叠至的硅衬底、粘结层、检测电路及硅膜结构，
其中，该粘结层中设置空腔，检测电路设置于该硅膜结构朝向该硅衬底的一侧。
2.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，该粘结层为致密二氧化硅层。
3.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，该空腔的深度为1-2μm。
4.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，该硅膜结构上设置镂空部，该检测电路的焊垫自该镂空部部中露出。
5.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，该硅膜结构中设置贯孔，该硅膜结构远离该硅衬底的一侧设置引线焊垫，其中，该贯孔的底端对应该检测电路的焊垫，该贯孔的顶端对应该引线焊垫。
6.如权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，该贯孔中还填充导电材料，该导电材料电性连接该引线焊垫与该检测电...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑新文，盛云，
申请(专利权)人：苏州纳芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。