深圳瑞波光电子有限公司专利技术

深圳瑞波光电子有限公司共有60项专利

  • 本申请提供一种光源装置,其中,光源装置包括:多个发光元件及基板
  • 本申请提供一种半导体激光器件自动化目检的分拣装置。其中,该分拣装置用于分拣管座,分拣装置包括:检验机构,用于采集管座的第一像素信息,并将第一像素信息与预设像素信息进行比对,基于对比结果确定管座是否合格;底座,设置有检验区及放置区,检验区...
  • 本实用新型公开了一种芯片缺陷的检测系统。该检测系统包括运动控制模块、图像采集模块和检测设备,其中,运动控制模块用于将至少一个待检测芯片移动至预设位置;图像采集模块设置于运动控制模块一侧,用于采集待检测芯片的图像;检测设备分别与运动控制模...
  • 本申请公开了一种半导体激光器和电子设备。该半导体激光器包括衬底、多个半导体激光单元、第一电极和第二电极,多个半导体激光单元、第一电极和第二电极设置于衬底上,多个半导体激光单元以串联形式电连接,多个半导体激光单元包括首端激光单元和末端激光...
  • 本申请公开了一种半导体激光芯片及制备方法,属于半导体技术领域。半导体激光芯片包括N型衬底以及设置于N型衬底上的外延层;外延层包括依次层叠设置在N型衬底上的过渡层、N型下包层、下波导层、有源层、上波导层、P型上包层以及帽层,帽层以及N型衬...
  • 本申请公开了一种激光治疗设备,属于医疗设备技术领域。激光治疗设备包括激光器、支架、第一反射镜以及第二反射镜。其中,第一反射镜安装在支架上,第二反射镜与第一反射镜相对设置,第二反射镜滑动设置在支架上。本申请提供的激光治疗设备,通过第二反射...
  • 本申请公开了一种半导体激光器件的谐振腔面钝化膜、制作方法及器件,该谐振腔面钝化膜包括:钝化层和保护层。钝化层直接覆盖在半导体激光器件的谐振腔面;保护层,覆盖在所述钝化层上,钝化层和保护层在同一含硫的化合物溶液中制作形成,保护层的材料为宽...
  • 本实用新型公开了一种散热装置和散热设备,涉及芯片散热技术领域。一种散热装置,包括:均温板,均温板的第一侧面与激光芯片组件连接,激光芯片组件将产生的热量传递到均温板;其中,均温板的厚度为0.35mm
  • 本申请涉及半导体激光芯片领域,分开了一种半导体激光器的测试系统和测试方法。该测试系统包括半导体激光芯片、第一积分球、偏振分束器和第二积分球,半导体激光芯片产生的第一光束经第一积分球中测试出光束的光功率,第二光束通过第一积分球的通孔经偏振...
  • 本发明公开了一种测试方法、系统、电子设备及存储介质,应用于半导体激光器件,测试方法包括:对半导体激光器件上电;在上电后的至少一时段对半导体激光器件进行检测,以得到对应至少一时段的至少一检测数据;其中,至少一时段根据半导体激光器件的热传导...
  • 本实用新型涉及半导体激光器芯片测试技术领域,特别是涉及一种激光器的测试下料装置。该激光器的测试下料装置包括第一夹座、弹性夹持件、第二夹座和夹孔;所述弹性夹持件第一端一体成型于所述第一夹座,所述第二夹座与所述弹性夹持件第二端一体成型,所述...
  • 本申请公开了一种半导体激光芯片组件的测试装置,该测试装置包括:芯片载台,用于放置待测试的半导体激光芯片组件;给电电极,用于为所述待测试的半导体激光芯片组件提供测试信号;传动机构,设置在所述芯片载台的一侧,且所述给电电极设置在所述传动机构...
  • 本发明涉及半导体激光技术领域,特别是涉及半导体激光芯片外延器件及激光器。其中所述半导体激光芯片外延器件,包括:中间层;分别位于所述中间层的相背两侧且与所述中间层堆叠排列的第一包层和第二包层;其中,所述中间层,包括量子阱层;所述第二包层,...
  • 本申请公开了一种半导体激光芯片组件的测试装置,该测试装置包括:芯片载台,用于放置待测试的半导体激光芯片组件;给电电极,用于为所述待测试的半导体激光芯片组件提供测试信号;传动机构,设置在所述芯片载台的一侧,且所述给电电极设置在所述传动机构...
  • 本申请公开了一种半导体激光芯片失效分析方法。其中,所述方法包括:去除半导体激光芯片的衬底,直至露出所述半导体激光芯片的外延层;通过显微镜的暗场模式观察所述外延层,分析得出失效部位。由于无需专门设备,仅使用显微镜即可解决激光芯片失效模式分...
  • 本申请公开了一种芯片检测装置。该芯片检测装置包括:承载件,用于承载待测芯片的底面;检测组件,用于从待测芯片的底面和顶面的一侧获取待测芯片的各待测面的影像;反射件,设置于待测芯片的一侧,用于将待测芯片的侧面的影像反射至检测组件。通过检测组...
  • 本申请公开了一种激光雷达及其激光器。激光器包括衬底和设置于衬底上的外延结构和保护层,其中保护层覆盖于外延结构上,以用于屏蔽外延结构工作时产生的自发辐射。通过在外延结构的非出光侧设置保护层,以屏蔽外延结构工作时非出光侧所产生的自发辐射,本...
  • 本申请公开了一种芯片检测装置。该芯片检测装置包括:承载件,用于承载待测芯片的底面;检测组件,用于从待测芯片的底面和顶面的一侧获取待测芯片的各待测面的影像;反射件,设置于待测芯片的一侧,用于将待测芯片的侧面的影像反射至检测组件。通过检测组...
  • 本申请公开了一种高功率脉冲半导体激光器单管以及半导体激光器巴条,该激光器巴条包括:第一型衬底、设置于第一型衬底上的多个激光器单元,激光器单元包括外延层、绝缘膜、电流注入区以及第二型欧姆接触电极;电流注入区设置于外延层上,第二型欧姆接触电...
  • 本申请公开了半导体激光器巴条及其制造方法、电子设备。该半导体激光器巴条包括:衬底,第一绝缘层、多个半导体激光器单元和连接层。第一绝缘层,设置于衬底上;多个半导体激光器单元设置于第一绝缘层远离衬底的表面上,每个半导体激光器单元设有第一电极...