半导体激光芯片失效分析方法技术

本申请公开了一种半导体激光芯片失效分析方法。其中，所述方法包括：去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层；通过显微镜的暗场模式观察所述外延层，分析得出失效部位。由于无需专门设备，仅使用显微镜即可解决激光芯片失效模式分析问题，从而降低了高功率半导体激光芯片失效分析成本；并且，显微镜是常用工具，不像专门设备，操作简单，无需专业技术人员即可操作，降低了高功率半导体激光芯片失效的门槛。并且，通过显微镜的暗场模式来直接观察所述外延层，保持了对失效区域高质量的成像，对推动高功率半导体激光芯片各项性能指标的研究有重要作用。芯片各项性能指标的研究有重要作用。芯片各项性能指标的研究有重要作用。

【技术实现步骤摘要】
半导体激光芯片失效分析方法


[0001]本申请涉及半导体激光
，特别是涉及一种半导体激光芯片失效分析方法。

技术介绍

[0002]高功率半导体激光芯片由于具有体积小、寿命长、波长范围广、光功率密度高和电光转化效率高等一系列优点。在激光泵浦、材料加工、激光显示、医疗美容、激光测距和激光雷达领域都有重要应用，已是光电领域核心基础芯片之一。
[0003]为了不断提高高功率半导体激光芯片光束质量、出光功率和可靠性等各项性能指标，对失效芯片的失效模式分析和失效机理研究是重要的研究课题。
[0004]高功率半导体激光芯片较常见的失效模式是光学灾变损伤(COD)，COD一般主要包括光学灾变镜面损伤(COMD)和光学灾变材料体损伤(COBD)。部分COMD和COBD无法通过芯片外观检查来确认。现有的该种失效分析一般会借助专门失效分析设备进行分析，如微区电致发光图像(EL mapping)、电子束诱导感生电流(EBIC)、光致发光图像(PL)等。然而，这些设备的造价很高，提高了研究高功率半导体激光芯片的成本及研究门槛。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光芯片失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层；通过显微镜的暗场模式观察所述外延层，分析得出失效部位。2.根据权利要求1所述的失效分析方法，其特征在于，所述去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层，包括：将所述衬底进行蚀刻处理。3.根据权利要求2所述的失效分析方法，其特征在于，在所述将所述衬底进行蚀刻处理之前，还包括：将所述衬底进行预处理至预设的厚度。4.根据权利要求3所述的失效分析方法，其特征在于，在所述将所述衬底进行蚀刻处理之前，还包括：对所述预处理后的衬底进行调节至任意位置的厚度均相同。5.根据权利要求4所述的失效分析方法，其特征在于，在所述对所述预处理后的衬底进行调节至任意位置的厚度均相同中，包括：将所述预处理后的衬底的厚度进行分析，获得最小厚度及各处与最小厚度的厚度差；对所述预处理后的衬底存在厚度差的表面处进行研磨、抛光、或研磨和抛光处理，直至所述衬底任意位置的厚度均与最小厚度相同。6.根据权利要求4所述的失效分析方法，其特征在于，在所述对所述预处理后的衬底进行调节至任意位置的厚度均相同中，包括：对所述预处理后的衬底的表面进行平面度检测；根据所述平面度检测的结果，对所述预处理后的衬底的表面进行研...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪卫敏，吴淑娟，何晋国，胡海，
申请(专利权)人：深圳瑞波光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：