一种高功率隧道结级联半导体激光器巴条以及单管制造技术

本申请提供一种高功率隧道结级联半导体激光器巴条及单管，该激光器巴条包括：第一型衬底；多个激光器单元，包括外延层、绝缘层和第二型欧姆接触电极，设于第一型衬底上沿第一方向排列相邻之间设有隔离槽，外延层包括多个发光单元、隧道结和设于发光单元上的第二型欧姆接触层；第二型欧姆接触层沿第一方向的宽度小于发光单元，第二型欧姆接触电极覆盖第二型欧姆接触层上的电流注入区，绝缘层覆盖除电流注入区以外的外延层表面。通过上述方式，在第二型欧姆接触层上制作台面，限制大脉冲电流横向扩展，以及特殊设计芯片表面介质膜结构，提高隔离槽内耐击穿电压的同时，降低在高功率输出下激光芯片慢轴发散角出现旁峰的风险，提高光束质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请主要涉及半导体，特别是涉及一种高功率隧道结级联半导体激光器巴条以及单管。

技术介绍

1、激光雷达可以高准确度、高精度地获取目标的距离、速度等信息或者实现目标成像，在测绘或导航等领域具有重要作用；其中半导体激光器是核心部件，为了更高精度地获取更远距离的目标，激光雷达要求使用更高功率和更小近场光斑的激光芯片，一般采用隧道结级联半导体激光器。

2、隧道结级联半导体激光器，是一种用隧道结把多个激光器发光单元串联起来的激光器，其每一个发光单元都有1-2v的开启电压，串联的发光单元越多，芯片开启电压就会越高，芯片的工作电压就会更高，可达到几十伏特；随着激光功率密度需求越来越高，即要求激光芯片近场光斑尺寸越来越小的同时，激光脉冲宽度越来越窄、脉冲幅度越来越大，一方面激光芯片工作电压越来越高，原来的绝缘膜有可能出现因击穿导致激光芯片失效的现象；另一方面因隧道结级联半导体激光器隔离槽的深蚀刻形成的折射率波导，在高幅度、窄脉冲注入下，单个芯片输出极高的峰值功率的同时，激光器内产生大量高阶模式，又因平均功率较低，激光器热透镜效应不明显，导致输出的激光束可能出现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，所述绝缘层还覆盖所述隔离槽。

3.根据权利要求2所述的高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，所述隔离槽对应的部分所述绝缘层的厚度，大于除所述电流注入区以外的所述外延层对应的部分所述绝缘层的厚度。

4.根据权利要求2所述的高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，所述绝缘层的折射率低于所述外延层的折射率。

5.根据权利要求2所述的高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，所述绝缘层包括：

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【技术特征摘要】

1.一种高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，所述绝缘层还覆盖所述隔离槽。

3.根据权利要求2所述的高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，所述隔离槽对应的部分所述绝缘层的厚度，大于除所述电流注入区以外的所述外延层对应的部分所述绝缘层的厚度。

4.根据权利要求2所述的高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，所述绝缘层的折射率低于所述外延层的折射率。

5.根据权利要求2所述的高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，所述绝缘层包括：

6.根据权利要求5所述的高功率隧道结级联半导体激光器巴条，其特征在于，所述第一绝缘膜的厚度小于或等于所述隔离槽的深度，所述第一绝缘膜厚度为一百纳米到几十微米，所述第二绝缘膜层的厚度为十纳米至几百纳米。

【专利技术属性】
技术研发人员：汪卫敏，苏小强，居安，何晋国，胡海，于占涛，
申请(专利权)人：深圳瑞波光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：

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