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半导体激光芯片失效分析方法技术
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文档序号:33532392
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本申请公开了一种半导体激光芯片失效分析方法。其中,所述方法包括:去除半导体激光芯片的衬底,直至露出所述半导体激光芯片的外延层;通过显微镜的暗场模式观察所述外延层,分析得出失效部位。由于无需专门设备,仅使用显微镜即可解决激光芯片失效模式分析问...
该专利属于深圳瑞波光电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳瑞波光电子有限公司授权不得商用。
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