一种半导体集成电路装置，它设有由非易失性半导体存储装置（存储单元）１００在多个行和多个列上格子状排列形成的存储单元阵列。非易失性半导体存储装置包括在半导体基片１０上隔着第一栅绝缘层１２形成的字栅１４、在半导体基片１０内形成的构成源区或漏...

本发明的固体发光元件目的在于防止起因于电极形成区域的投影像的不均。其是具备通过通入电流而发光的固体发光元件芯片（１２）和用于向该固体发光元件芯片（１２）通入电流的电极（１６）、且前述电极（１６）被配置在前述固体发光元件芯片（１２）的出射...

一种半导体装置，将第１半导体芯片（３０）搭载在插接件（１０）的第１面（１２）上，使通孔（２０）和第１电极（３４）重叠，在第１半导体芯片（３０）上叠放着第２半导体芯片（４０）。第１导线（３６），配置在第２面（１６）侧，与第１电极（３４）和...

一种表面处理方法，包括：第一步骤，其中表面处理装置１和放置其上的基片１０在处于基片１０的正表面１０２与表面处理装置１面对的状态被输送至减压室的内部，以使多个凹入部分３２（封闭空间）减压；第二步骤，其中通过使用在凹入部分３２内部的负压和大...

表面处理装置１构造为当对基片１０的背面１０１执行表面处理时保持基片１０。所述表面处理装置１包括：至少一个封闭空间，每个封闭空间都由凹入部分３２和基片１０的正面１０２限定；以及Ｏ形环２（接触部分），适于与基片１０的正面１０２密封，以与Ｏ形...

一种用于制造半导体器件的设备（１０Ａ），包括用于在容纳部分（１２）的顶面上接收上半导体组件（３０）的容纳部分（１２）。容纳部分具有限制上半导体组件（３０）在平行于上半导体组件（３０）顶面的方向运动的作用。容纳部分（１２）为适合于接收上半...

一种半导体器件，包括半导体芯片（１０），搭载有半导体芯片（１０）的布线基板（２０），设置在布线基板（２０）上的多个外部端子（４０）。多个外部端子（４０），包括至少一个第一外部端子（４２），两个以上的第二外部端子（４４）、（４５）、（４６...

本发明提供一种备有在利用热压接等进行安装时、不会破坏有源面下部的半导体元件的凸起电极的半导体器件及其制造方法。当与衬底电极（５）接触的凸起电极（８）的面积比孔部（４）的底面的面积相对地大时，凸起电极（８）的下表面与聚酰亚胺层（３）的接触...

一种半导体装置，包括：第１半导体封装（１００），其包括具有第１焊盘（１２）的第１基板（１０）和具有第２焊盘（３２）的第２基板（３０）；第２半导体封装（２００），其被搭载在第１半导体封装（１００）上；和焊锡（６０），其被设置在第１以及第２...

本发明提供一种具有优良结晶品质的强电介质膜的制造方法，及根据此制造方法获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法包括：形成强电介质初始核层（５４）的步骤，其利用第一强电介质原料的溶液，通过水热电极沉积法沉积在电极；使第二强电介质原料...

本发明的强电介质材料是在以通式ＡＢＯ↓［３］来表示的复合氧化物的原料液中含有：补偿Ａ部位缺损的Ａ部位补偿成分和补偿Ｂ部位缺损的Ｂ部位补偿成分。

本发明提供一种半导体装置，包括：形成多条引线（２２）的基板（２０）、和在基板（２０）上按照具有多个电极（１４）的面与基板（２０）相面对那样搭载的半导体芯片（１０）。各个引线（２２）包括：与任何一个电极（１４）接合的第１部分（２４）、和从...

本发明提供了电光装置用基板的制造方法，通过具备在基板上顺序叠层成为电容的下部电极的下部导电层，成为电容的电介质膜的中间层以及成为电容的上部电极的上部导电层的同时，用与上部导电层的构成材料相比较，对于预定种类的腐蚀剂的腐蚀速率低的材料形成...

固定于预定电势的第一公共电极形成在振动板上。具有第一厚度的第一压电层层叠在第一公共电极上。由外部提供驱动信号的驱动电极层叠在第一压电层上。具有比第一厚度更厚的第二厚度的第二压电层层叠在所述驱动电极上。被固定于所述预定电势的第二公共电极层...

半导体芯片（１０），包括具有相互反向朝向且平行的第１以及第２面（１４、１６），和连接第１以及第２面（１４、１６）的周边的多个侧面（２１～２４）的半导体基板（１２）。多个侧面（２１～２４）的至少一个是对第１以及第２面（１４、１６）倾斜的面...

本发明能够提供一种可靠性和安装性良好的半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置。其中：将具有凹部（１２）的焊头（１０）以在所述凹部（１２）内配置半导体芯片（２０）的状态朝向布线基板（３０）压下，由所述凹部（１２）的底面（１４）挤压所...

本发明提供一种高质量的交差点型强电介质存储器。该交差点型强电介质存储器（１００），将第１存储器单元阵列（３０）与第２存储器单元阵列（６０），通过介入第１层间绝缘层（２０）与第２层间绝缘层（５０）而层叠。第１存储器单元阵列（３０）包括：形...

本发明其目的在于在凹凸部分中以比感光性树脂的膜厚浅的深度除去感光性树脂，在凹凸部分以外的部分中不残留感光性树脂地制造电光装置用基板。在电光装置用基板的制造工序中，首先，如图５（ａ）所示，向第２基板１２０上边涂敷感光性树脂１３２。接着，为...

本发明提供一种半导体装置的绝缘膜形成方法及半导体装置，其可以只在配线间的细微的间隙形成配线间绝缘膜，制造过程中不受绝缘膜产生的气体、水分的吸收及放出的影响，能控制材料、电力、ＰＦＣ的使用。在由液体材料的涂布形成的配线间绝缘膜（４）（ＳＯ...

本发明可藉助简易制造工序得到具有良好的光散射效果的反射层。本发明的曝光用掩模７ａ用于将膜体５１的被加工区域５１１制作成为粗糙面的曝光处理中。此曝光用掩模７ａ具有第一区域７１和第二区域７２。其中第一区域７１用作使射向被加工区域５１１的周边...