强电介质材料、其膜、电容器及它们的制法、强电介质存储器制造技术

本发明专利技术的强电介质材料是在以通式ＡＢＯ↓［３］来表示的复合氧化物的原料液中含有：补偿Ａ部位缺损的Ａ部位补偿成分和补偿Ｂ部位缺损的Ｂ部位补偿成分。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及强电介质材料、强电介质膜及其制造方法、强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器和压电元件
技术介绍
现在作为IC存储器就有强电介质存储器的提案。强电介质存储器具有强电介质膜，一对电极夹住该强电介质膜而构成，由自发极化来保持数据的。有在一个强电介质存储器上不具备单元晶体管，只利用强电介质电容器的、单纯的矩阵型的强电介质存储器。单纯矩阵型的强电介质存储器，因为具有非常简单的结构并可以获得高的集成度，期待着其开发研究。在单纯矩阵型的强电介质存储器中，因为必须对非选择存储器施加工作电压的1/2～1/3的电压，有串音和干扰等的问题。为了防止这样的问题，最好是适用在电阻电压以下(“以下”含义为“等于小于”，下同)中，几乎不带残留极化，而在电阻电压以上(“以上”含义为“大于等于”，下同)的工作电压中是尽量低的电压中饱和残留极化的矩形性的良好的强电介质膜。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以适用在如上所述的单纯矩阵型的强电介质存储器的、具有矩形性良好的磁滞特性的、用于形成强电介质膜的强电介质材料。本专利技术的另一个目的在于提供具有矩形性良好的磁滞特性的强电介质膜及其制造方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种强电介质材料，其特征在于：在以通式ＡＢＯ↓［３］表示的复合氧化物的原料中含有补偿Ａ部位缺损的Ａ部位补偿成分和补偿Ｂ部位缺损的Ｂ部位补偿成分。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：滨田泰彰，木岛健，柄泽润一，大桥幸司，名取荣治，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]