本发明涉及半导体功率器件技术领域，提供了一种横向双扩散晶体管的制造方法，利用多次离子注入(斜向角度注入)在衬底上的注入区及注入区之间的交叠区形成第一掺杂类型的漂移区，该漂移区的掺杂浓度以该交叠区的中心沿沟道方向向两端呈梯度递减变化(线性...

本申请提供了一种横向双扩散晶体管的制造方法，包括：在衬底中形成漂移区；在漂移区表面形成栅氧化层和栅极导体层；在源端区域刻蚀栅极导体层和栅氧化层，注入形成体区；以光刻胶为掩模在体区内斜向注入形成第一类型注入区；在栅极导体层和体区表面形成第...

本专利申请公开了一种LDMOS器件及其制造方法，该制造方法包括：在衬底上方形成外延层，在外延层中注入形成漂移区与阱区；在部分阱区上方形成栅极结构；在外延层上方形成具有第一开口的第一掩模，经第一开口斜角注入形成反型区，反型区在漂移区中与漏...

本发明提供一种寄生式LDMOS器件及其制作方法，其中，所述寄生式LDMOS器件包括：衬底、形成于所述衬底上的外延层、形成于所述外延层中的LDMOS器件和肖特基二极管。通过设计一种肖特基二极管的接入可控的结构，使得肖特基二极管的电流只在需...

本发明公开了一种BIFRED变换器及其控制方法及应用其的LED驱动电路，交流输入经整流电路后得到所述变换器的输入电压，所述变换器所述变换器包括第一电感、输入二极管、功率管、储能电容、变压器、输出二极管和控制电路，所述第一电感和所述输入二...

本发明提出一种供电电路及供电方法，输入电压给第一电容充电，第一电容电压为供电电源；当输入电压下降到第一阈值时，所述第一电容充电；当第一电容电压上升到第二阈值时，或者，当输入电压上升到第三阈值时，所述第一电容充电截止。根据第一电容充电截止...

本发明提出一种PoE系统中受电设备阻抗检测方法及检测电路，在第一时间内，在受电设备的高、低电位端之间给定随时间变化的电压源，并检测流经所述受电设备的电流，根据在不同时刻检测得到的电流值和给定的电压值，计算所述受电设备端口等效的电阻值和电...

本发明公开了一种开关电路的控制电路、控制方法及开关电路，由基准电压通过反馈补偿输出补偿电压；获取所述开关电路的电感电流的表征电压，并对该表征电压进行按照一个调整参数进行比例调整，输出调整电压；获取所述补偿电压以及所述调整电压，对二者进行...

本发明公开了一种开关电路的控制方法、控制电路及开关电路，开关电路工作在迟滞控制模式或恒导通时间控制模式；当开关电路工作在迟滞控制模式下，当主开关管的导通时间减小到第一导通时间时，则恒导通控制模式的主开关管设定导通时间由第二导通时间减小，...

本发明提出一种开关电路的控制电路及控制方法，所述控制电路包括第一模块和第二模块，所述第一模块和所述第二模块协同控制所述开关电路；所述第一模块为开关电路的控制环路，所述第二模块为开关电路提供辅助控制；所述开关电路的第一开关管导通时间达到阈...

本发明公开了一种开关电源的控制电路、控制方法及开关电源，根据开关电源的拓扑结构构建与输入电压和/或输出电压相关联的斜坡电压信号，再与导通时间段或关断时间段内采样到的电感电流信号相运算，由此可构建获得一个开关周期内的电感电流信息；并且根据...

本发明公开了一种电感电流检测电路、检测方法及功率转换器，根据功率转换器的拓扑结构构建与输入电压和/或输出电压相关联的斜坡电压信号，该斜坡电压信号表征在主开关管导通(或关断)时间段的上升(或下降)的电感电流大小，然后再与在主开关管关断(或...

本发明提出了一种结型场效应管及其制作方法、半导体芯片，结型场效应管包括：一第一导电类型衬底；一第二导电类型阱，配置于第一导电类型衬底上；一第一导电类型隔离层，配置于第二导电类型阱上；一源端，配置在第一导电类型隔离层上；一漏端，配置在第一...

本发明提出了一种多次可编程存储单元，包括：第一衬底；第一阱，配置于第一衬底上；第二阱，配置于第一阱上；第一电极区，配置于第二阱上；第二电极区，配置于第二阱上；第一栅极，配置于第二阱上，位于第一电极区、第二电极区之间；第三电极区，配置于第...

本实用新型公开了一种可控硅调光驱动电路，包括：电流调节电路，包括调整管；交流输入经可控硅调光器和整流桥得到输入电压对负载供电，所述电流调节电路的两端分别与输入电压的高低电位端连接；第一控制器，与所述调整管的控制端连接；通过调节调整管的控...

本实用新型公开了一种BIFRED变换器及应用其的LED驱动电路，交流输入经整流电路后得到所述变换器的输入电压，所述变换器包括第一电感、输入二极管、功率管、储能电容、变压器和输出二极管，所述第一电感和所述输入二极管串联后形成串联电路，所述...

本实用新型公开了一种BIFRED变换器及应用其的LED驱动电路，交流输入经整流电路后得到所述变换器的输入电压，所述变换器包括第一电感、输入二极管、功率管、储能电容、变压器和输出二极管，所述第一电感和所述输入二极管串联后形成串联电路，所述...

本实用新型提出一种自举电容充电电路，所述充电电路包括单向导通电路和限流电路，所述单向导通电路和限流电路串联；供电电压通过所述充电电路给自举电容充电，限流电路对自举电容充电电流限流。本实用新型避免自举电容充电电流流过单向导通电路中的体二极...

公开了一种可控硅型静电放电器件及集成电路，该可控硅型静电放电器件以传统LDMOS‑SCR器件为基础，将漏端的N阱区拆分为与该N阱区中的第二P掺杂区和第二N掺杂区相匹配的第一N阱区和第二N阱区，提高了N阱区的寄生电阻，使其在ESD放电电流...

本实用新型是一种引线框架，包括框架本体，所述框架本体包括至少一个焊片区域和至少一个引脚区域，所述焊片区域和所述引脚区域彼此分离，所述焊片区域上设有供芯片焊接的焊接区以及供压抓按压的抓压域，其中所述抓压区突出于所述焊接区之外，且突出所述焊...