横向双扩散晶体管的制造方法技术

本申请提供了一种横向双扩散晶体管的制造方法，包括：在衬底中形成漂移区；在漂移区表面形成栅氧化层和栅极导体层；在源端区域刻蚀栅极导体层和栅氧化层，注入形成体区；以光刻胶为掩模在体区内斜向注入形成第一类型注入区；在栅极导体层和体区表面形成第一阻挡层；经由第一阻挡层在第一类型注入区之间形成第二类型注入区；以及部分刻蚀第一阻挡层，暴露出第二类型注入区和部分第一类型注入区，形成第二阻挡层，以光刻胶为掩模斜向注入形成第一类型注入区，再分步刻蚀第一阻挡层，不仅可以缩小注入区尺寸，减小器件尺寸，有效降低源漏导通电阻，还能节省原料，节约成本，整个制造过程极大地简化了工艺步骤，降低了操作难度。

【技术实现步骤摘要】
横向双扩散晶体管的制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种横向双扩散晶体管的制造方法。
技术介绍
横向双扩散MOS(LateralDouble-DiffusedMOSFET，LDMOS)晶体管作为功率场效应晶体管的一种，因具有热稳定性好、增益高、热阻低等优良特性，得到了广泛应用。衡量LDMOS性能的主要参数有导通电阻和击穿电压，在实际应用中，要求在满足源漏击穿电压off-BV足够高的前提下，尽量降低源漏导通电阻Rdson。通常采用的方法是在不断提高漂移区浓度的同时，通过降低表面电场(Reducesurfaceelectricfield，RESURF)理论，使其能够完全耗尽。另外，器件的尺寸也会影响器件的导通电阻，现有的LDMOS由于制造工艺的影响，尺寸较大，阻抗较高。图1d示出了传统LDMOS的源端区域的截面示意图。如图1d，该LDMOS器件的形成包括：提供衬底101；在衬底101顶部形成漂移区102和；在漂移区102表面上形成栅氧化层111和栅极导体层112，并刻蚀形成开口；经由开口注入离子形成体区103；在开口两侧的栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向双扩散晶体管的制造方法，包括：/n在衬底的顶部形成漂移区；/n在所述漂移区表面形成依次堆叠的栅氧化层和栅极导体层，所述栅极导体层定义出相互隔开的漏端区域和源端区域；/n在所述源端区域经由图案化的光刻胶层刻蚀所述栅极导体层和栅氧化层，形成开口，经由所述开口在所述漂移区中注入离子形成体区；/n以所述光刻胶层为掩模由所述开口分别在所述体区的顶部两端斜向注入离子形成第一类型注入区；/n在所述栅极导体层和所述体区表面形成第一阻挡层；以及/n经由所述第一阻挡层在所述体区两端的所述第一类型注入区之间注入离子形成第二类型注入区。/n

【技术特征摘要】
1.一种横向双扩散晶体管的制造方法，包括：
在衬底的顶部形成漂移区；
在所述漂移区表面形成依次堆叠的栅氧化层和栅极导体层，所述栅极导体层定义出相互隔开的漏端区域和源端区域；
在所述源端区域经由图案化的光刻胶层刻蚀所述栅极导体层和栅氧化层，形成开口，经由所述开口在所述漂移区中注入离子形成体区；
以所述光刻胶层为掩模由所述开口分别在所述体区的顶部两端斜向注入离子形成第一类型注入区；
在所述栅极导体层和所述体区表面形成第一阻挡层；以及
经由所述第一阻挡层在所述体区两端的所述第一类型注入区之间注入离子形成第二类型注入区。


2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一阻挡层在所述体区表面呈凹字形。


3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述形成第二类型注入区之后还包括：
部分刻蚀所述第一阻挡层，暴露出所述第二类型注入区和部分所述第一类型注入区，以形成第二阻挡层。


4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，根据所述光刻胶层的厚度限定所述第一类型注入区在所述体区内的宽度。


5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，斜向注入时，注入方向与所述衬底表面的法线之间的夹角为20-60°。


6.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述第一阻挡层在体区上方的凹口宽度与所述第一类型注入区之间的距离相等，所述第二类型注入区与位于所述体区两端的两个所述第一类型注入区分别邻接。

【专利技术属性】
技术研发人员：韩广涛，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33