【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2019年5月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0061196的优先权的权益，其公开内容通过引用全部合并于此。
本公开涉及半导体器件。
技术介绍
许多人使用诸如平板计算机和移动电话的移动电子设备。半导体器件通常用于移动电子设备中。随着对移动电子设备的需求增加，半导体制造工艺必须与时俱进。半导体器件的越来越小的设计提供了封装益处。然而，较小的设计也可能例如因为减小半导体的尺寸而产生性能约束。因此，对半导体设计的改进优选地使得尺寸减小，同时实现最小性能损失、无性能损失或性能改善。在某些情况下，半导体器件的性能问题可归因于电流泄漏。此外，最佳性能通常需要稳定的电力供应。因此，在本领域中需要通过减少电流泄漏来改善半导体器件的性能。
技术实现思路
本公开描述了能够减少电流通过相邻晶体管之间的衬底而泄漏的半导体器件。例如，本专利技术构思的各方面包括具有改善的电性质的三维沟道。根据示例实施例，描述了半导体器件，所...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n衬底；/n有源区，所述有源区从所述衬底突出并在第一方向上延伸；/n多个沟道层，所述多个沟道层设置在所述有源区上，并且在垂直于所述衬底的上表面的方向上彼此间隔开；/n隔离膜，所述隔离膜设置在所述多个沟道层中的最下面的沟道层与所述有源区之间；/n栅电极，所述栅电极围绕所述多个沟道层并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和/n源极/漏极区，所述源极/漏极区设置在所述栅电极的至少一侧并连接到所述多个沟道层中的每个沟道层，/n其中，所述隔离膜设置在比所述源极/漏极区的底表面高的水平高度。/n
【技术特征摘要】
20190524 KR 10-2019-00611961.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
衬底；
有源区，所述有源区从所述衬底突出并在第一方向上延伸；
多个沟道层，所述多个沟道层设置在所述有源区上，并且在垂直于所述衬底的上表面的方向上彼此间隔开；
隔离膜，所述隔离膜设置在所述多个沟道层中的最下面的沟道层与所述有源区之间；
栅电极，所述栅电极围绕所述多个沟道层并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和
源极/漏极区，所述源极/漏极区设置在所述栅电极的至少一侧并连接到所述多个沟道层中的每个沟道层，
其中，所述隔离膜设置在比所述源极/漏极区的底表面高的水平高度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离膜包括：绝缘体区域，所述绝缘体区域设置在所述隔离膜在所述第一方向上的两侧；以及半导体区域，所述半导体区域设置在所述绝缘体区域之间。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括内部间隔物，所述内部间隔物在所述多个沟道层之间设置在所述栅电极在所述第一方向上的两侧，
其中，每个所述绝缘体区域在所述第一方向上的宽度大于每个所述内部间隔物在所述第一方向上的宽度。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述绝缘体区域和所述内部间隔物包含相同的材料。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述内部间隔物中的两个或更多个内部间隔物具有不同的在所述第一方向的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
内部间隔物，所述内部间隔物在所述多个沟道层中的部分沟道层之间设置在所述栅电极在所述第一方向上的两侧。
7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述隔离膜的所述半导体区域包含与所述多个沟道层的半导体材料不同的半导体材料。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述隔离膜的所述半导体区域包含SiGe。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述隔离膜的所述半导体区域包括Ge的含量为35％或更高的SiGe。
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
衬底；
有源区，所述有源区从所述衬底突出并在第一方向上延伸；
多个沟道层，所述多个沟道层设置在所述有源区上，并且在垂直于所述衬底的上表面的方向上彼此间隔开；
隔离膜，所述隔离膜设置在所述多个沟道层中的最下面的沟道层与所述有源区之间；
栅电极，所述栅电极围绕所述多个沟道层并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；...
【专利技术属性】
技术研发人员：李智惠，金彦起，徐东灿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。