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描述了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；有源区，所述有源区从所述衬底突出并在第一方向上延伸；多个沟道层，所述多个沟道层设置在所述有源区上，并且在垂直于所述衬底的上表面的方向上彼此间隔开；隔离膜，所述隔离膜设置在所述多个沟道层中的最下...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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