结型场效应管及其制作方法、半导体芯片技术

本发明专利技术提出了一种结型场效应管及其制作方法、半导体芯片，结型场效应管包括：一第一导电类型衬底；一第二导电类型阱，配置于第一导电类型衬底上；一第一导电类型隔离层，配置于第二导电类型阱上；一源端，配置在第一导电类型隔离层上；一漏端，配置在第一导电类型隔离层上；一第一栅端，配置在第一导电类型隔离层上；一第二栅端，配置在第一导电类型隔离层上，耦接于第一栅端。由于配置有第一导电类型隔离层，使衬底对结型场效应管的干扰会降低到很低。并且，由于不需要在结型场效应管周边设置隔离环，从而可以降低尺寸。另外，由于配置有第三栅端，从而可以降低夹断电压。以及，将第一导电类型隔离层设置成多个子隔离层，可以提高击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
结型场效应管及其制作方法、半导体芯片
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及一种结型场效应管及其制作方法、半导体芯片。
技术介绍
场效应晶体管(FET)是一种使用非常广泛的半导体芯片。FET通常分为结型场效应晶体管(JFET)和金属-氧化物型(MOSFET)场效应晶体管两种。结型场效应管(JFET)是一种利用耗尽层宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极电流的大小的器件。与MOSFET器件类似，JFET也分为N沟沟道和P沟道两种。以N沟道为例，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区即为栅极(G)，N型硅的一端是漏极(D)，另一端是源极(S)。请参见图1，图1是一种现有的N沟道JFET的结构示意图。如图1所示，N沟道JFET包括衬底111(P-sub)、高压N型阱112(HVNwell)、源端113(即源极)、漏端114(即漏极)及栅端115(即栅极)。当JFET周边的N型盆端116(TUB)可能因为栓锁(Latch-up)测试等原因电位低于衬底111时，则衬底111和盆端116的PN二极管正向导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结型场效应管，其特征在于，包括：/n一第一导电类型衬底；/n一第二导电类型阱，配置于所述第一导电类型衬底上；/n一第一导电类型隔离层，配置于所述第二导电类型阱上，所述第一导电类型隔离层为深掺杂的第一导电类型离子层；/n一源端，配置在所述第一导电类型隔离层上；/n一漏端，配置在所述第一导电类型隔离层上；/n一第一栅端，配置在所述第一导电类型隔离层上；/n一第二栅端，配置在所述第一导电类型隔离层上，耦接于所述第一栅端。/n

【技术特征摘要】
1.一种结型场效应管，其特征在于，包括：
一第一导电类型衬底；
一第二导电类型阱，配置于所述第一导电类型衬底上；
一第一导电类型隔离层，配置于所述第二导电类型阱上，所述第一导电类型隔离层为深掺杂的第一导电类型离子层；
一源端，配置在所述第一导电类型隔离层上；
一漏端，配置在所述第一导电类型隔离层上；
一第一栅端，配置在所述第一导电类型隔离层上；
一第二栅端，配置在所述第一导电类型隔离层上，耦接于所述第一栅端。


2.根据权利要求1所述的结型场效应管，其特征在于，所述第二导电类型阱为高压第二导电类型阱。


3.根据权利要求1所述的结型场效应管，其特征在于，还包括：
一第三栅端，位于所述源端与所述漏端间，耦接于所述第一栅端、所述第二栅端。


4.根据权利要求1、2或3所述的结型场效应管，其特征在于，还包括：
所述第一导电类型隔离层包括多个耦接的子隔离层。


5.根据权利要求4所述的结型场效应管，其特征在于，所述结型场效应管为N型沟道场效应管，其中，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。


6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王炜槐，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33