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本发明提出了一种结型场效应管及其制作方法、半导体芯片，结型场效应管包括：一第一导电类型衬底；一第二导电类型阱，配置于第一导电类型衬底上；一第一导电类型隔离层，配置于第二导电类型阱上；一源端，配置在第一导电类型隔离层上；一漏端，配置在第一导电...
该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。

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