一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法技术

本发明专利技术涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，包括：准备支撑衬底和键合衬底；将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化；对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；将所述键合衬底减薄到需要的厚度；对所述键合衬底进行抛光。采用本申请实施例的一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，使用硅硅键合技术，使用不同电阻率的常规CZ硅衬底材料互相键合制备出硅硅键合片，替代目前的厚膜外延片，取得高质量的满足客户要求的硅衬底片，提高生产效率降低生产成本，得到的高压VDMOS器件的过渡区明显变窄，产品参数的一致性更好。

【技术实现步骤摘要】
一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法
本专利技术涉及半导体芯片制造工艺
，特别是涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法。
技术介绍
常规半导体制造使用多种工艺来在衬底中形成半导体器件。该衬底可以是诸如硅之类的半导电材料的小、薄、圆形的切片的晶片。形成在衬底上的半导体器件可以是分立器件或集成电路。例如，半导体器件可由单个分立功率晶体管组成，或可由许多电气耦合到一起以形成集成电路的晶体管或诸如电阻、电容器等其它电子元件组成。在半导体器件形成之后，测试该晶片并将其切割以分离晶片中的各个管芯。高压VDMOS正在逐步向高耐压，低功耗方向发展，目前工艺是通过厚的外延来实现的。但是对于高阻外延，当外延厚度达到100um之后，制备工艺时间长，单炉工艺时间超过2.5小时，生产效率低，制备成本高，且会导致缺陷多，电阻率一致性差，自掺杂严重，过渡区较宽等问题。从而影响产品性能，且增加了成本。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，提出了本申请。本申请的实施例提供了一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，采用硅硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，其特征在于，包括：/n准备支撑衬底和键合衬底；/n将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化，所述键合衬底位于支撑衬底之上；/n对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；/n将所述键合衬底减薄到需要的厚度；/n对所述键合衬底进行抛光；/n在所述键合衬底上制作器件P+层、有源区、多晶硅栅极以及器件N+层；/n在所述器件N+层上通过刻蚀工艺开出接触孔；/n制作正面金属层，正面金属层覆盖所述接触孔、器件N+层以及和多晶硅栅极；/n制作背面金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，其特征在于，包括：
准备支撑衬底和键合衬底；
将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化，所述键合衬底位于支撑衬底之上；
对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；
将所述键合衬底减薄到需要的厚度；
对所述键合衬底进行抛光；
在所述键合衬底上制作器件P+层、有源区、多晶硅栅极以及器件N+层；
在所述器件N+层上通过刻蚀工艺开出接触孔；
制作正面金属层，正面金属层覆盖所述接触孔、器件N+层以及和多晶硅栅极；
制作背面金属层。


2.根据权利要求1所述的一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，其特征在于，将所述支撑衬底和键合衬底进行键合时，通过清洗工艺在所述支撑衬底和键合衬底表面形成均匀的氧化层作为媒介层。


3.根据权利要求2所述的一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，其特征在于，所述媒介层厚度小于5埃。


4.根据权利要求1所述的一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，其特征在于，所述键合衬底的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰，冯羽，
申请(专利权)人：杭州华芯微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33