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本发明涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，包括：准备支撑衬底和键合衬底；将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化；对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；将所述键合衬底减薄到需要的厚度；对所述键合衬底...
该专利属于杭州华芯微科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州华芯微科技有限公司授权不得商用。

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