校准片及其制造方法技术

本申请公开了一种校准片及其制造方法，该校准片包括硅片和位于所述硅片上的颗粒状的凸起图案，凸起图案在硅片上的投影为圆形，凸起图案在硅片上的投影圆的直径为预设目标尺寸的2倍，凸起图案的高度为预设目标尺寸的1.3倍，凸起图案与硅片一体成型；或者，凸起图案为氧化物材料制成。本申请提供的校准片，包括硅片和位于硅片上的颗粒状的凸起图案，能够使颗粒量测仪稳定准确地读出颗粒尺寸，能够对颗粒量测仪进行每周/每月的周期性尺寸校准。

【技术实现步骤摘要】
校准片及其制造方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种校准片及其制造方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，生产产品所需的相关工艺设备的颗粒控制极为重要。若颗粒控制有问题就会影响半导体产品良率。因此，要避免各工艺设备的颗粒(particle)问题并进行管理，需要利用颗粒(particle)量测仪进行周期性的监控。但是设备制造商提供的颗粒监测标准片是沉积有各尺寸的PSL或二氧化硅的裸晶圆，长时间保管会有污染问题，通过清洗也无法再次使用。且各种尺寸的标准片单价都约为0.3亿元的高价。如果要对各部分的设备进行尺寸校准的话，须购买13个标准片(3.9亿)，使用中若产生污染问题，就需要进行定期购买等对策，设备维护费用支出较大。以往技术是使用从制造商购买的标准片，每片约$40，000，非常贵。各尺寸的原尺寸标准片总共需要购买13种。现有技术的标准片在进行长时间保管时若发生污染就不能用了，还要重新购买，产生较多的维护管理费用。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种校准片及其制造方法。为了对披露的实施例的一些方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种校准片，其特征在于，包括硅片和位于所述硅片上的颗粒状的凸起图案。/n

【技术特征摘要】
1.一种校准片，其特征在于，包括硅片和位于所述硅片上的颗粒状的凸起图案。


2.根据权利要求1所述的校准片，其特征在于，所述凸起图案在所述硅片上的投影为圆形，所述圆形的直径为预设目标尺寸的2倍，所述凸起图案的高度为所述预设目标尺寸的1.3倍。


3.根据权利要求1所述的校准片，其特征在于，所述凸起图案与所述硅片一体成型；或者，所述凸起图案为氧化物材料制成。


4.一种校准片的制造方法，其特征在于，包括：
提供一硅片；
在该硅片上依次沉积氧化物层、硬掩模材料层、氮氧化硅层；
刻蚀所述氧化物层、所述硬掩模材料层和所述氮氧化硅层，在所述硅片上形成颗粒状的凸起图案。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述氧化物层、所述硬掩模材料层和所述氮氧化硅层，在所述硅片上形成颗粒状的凸起图案，包括：
掩模刻蚀所述氮氧化硅层和所述硬掩模材料层至所述氧化物层顶面，形成第一圆柱体；该第一圆柱体包括硬掩模材料层和位于硬掩模材料层上的氮氧化硅层；
掩模刻蚀所述氧化物层和所述硅片，刻蚀至所述硅片内形成硅突起层，去除所述硬掩模材料层与所述氮氧化硅层，得到第二圆柱体；该第二圆柱体包括所述硅突起层和位于所述硅突起层上的氧化物层；
去除第二圆柱体的氧化物层；
湿法刻蚀所述硅突起层，形成颗粒状的凸起图案。

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【专利技术属性】
技术研发人员：金炳喆，金德容，曲扬，白国斌，于飞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11