【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法和显示装置
本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。
技术介绍
氧化物(Oxide)型薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)凭借其低的工艺温度、高的迁移率、对可见光透明，可以在室温制备大面积优质薄膜并可与现有产线设备兼容、可以制作在柔性衬底上等优点，被认为是最有希望的下一代薄膜晶体管之一。在实际应用中发现，由氧化物半导体材料构成的有源层中存在较多的氧空位，氧空位会对有源层的性能产生影响，导致OxideTFT的整体性能异常。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制备方法和显示装置。第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层和第一电极，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层的材料包括：氧化物半导体材料；所述第一电极为像素电极、公共电极或有机发光二极管的阳极，所述第一电极的材料包括：金属氧化物材料，所...
【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层和第一电极，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层的材料包括：氧化物半导体材料；/n所述第一电极为像素电极、公共电极或有机发光二极管的阳极，所述第一电极的材料包括：金属氧化物材料，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；/n所述氧容纳层位于所述第一电极和所述衬底基板之间，所述氧容纳层配置为在沉积用于构成所述第一电极的金属氧化物材料的过程中容纳被注入的氧离子，以及释放氧离子以填补所述有源层中的氧空位。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层和第一电极，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层的材料包括：氧化物半导体材料；
所述第一电极为像素电极、公共电极或有机发光二极管的阳极，所述第一电极的材料包括：金属氧化物材料，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；
所述氧容纳层位于所述第一电极和所述衬底基板之间，所述氧容纳层配置为在沉积用于构成所述第一电极的金属氧化物材料的过程中容纳被注入的氧离子，以及释放氧离子以填补所述有源层中的氧空位。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：栅极，所述栅极与所述有源层之间设置有栅绝缘层，所述第一电极位于所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧；
所述栅绝缘层为所述氧容纳层。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述栅极位于所述有源层和所述衬底基板之间；
或者，所述栅极位于所述有源层背向所述衬底基板的一侧。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层背向所述衬底基板一侧的源漏电极；
所述第一电极位于所述源漏电极与所述栅绝缘层之间。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层背向所述衬底基板一侧的源漏电极；
所述第一电极位于所述源漏电极背向所述衬底基板的一侧，所述第一电极与所述源漏电极之间设置有第一钝化层；
所述第一钝化层和所述栅绝缘层均为所述氧容纳层。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述金属氧化物材料中的金属材料包括：铟、镓、锌、钨、钼、锡中的一种或多种。
7.根据权利要求1-6中任一所述的显示基板，其特征在于，还包括：第二电极，所述第二电极位于所述第一电极背向所述衬底基板的一侧；
所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；
或者，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；
或者，所述第一电极为有机发光二极管的阳极，所述第二电极为有机发光二极管的阴极。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求1-7中任一所述的显示基板。
9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成薄膜晶体管、形成氧容纳层、形成第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛大鹏，袁广才，许晓春，刘正，李梁梁，董水浪，王利忠，姚念琦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，福州京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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