一种艺术品展示屏及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种艺术品展示屏及其制作方法，该方法包括：在所述衬底基板上沉积缓冲层、半导体有源层、栅极绝缘层、栅极层以及层间介质层，接着对所述显示面板的边缘区域的所述层间介质层进行蚀刻处理，以形成围绕所述显示面板的像素区域的第一凹槽，接着在所述第一凹槽的底面形成第二凹槽，接着在所述第一凹槽和所述第二凹槽中沉积金属材料以形成一金属凸块，接着在所述金属凸块的上表面形成第三凹槽；接着在所述层间介质层上形成平坦化层，接着在所述平坦化层上形成阳极层、发光层和阴极层。

【技术实现步骤摘要】
一种艺术品展示屏及其制作方法
本专利技术涉及半导体封装
，尤其是涉及一种艺术品展示屏及其制作方法。
技术介绍
现有的艺术品展示屏通常采用有机发光二极管显示板作为其主体部分，所述有机发光二极管显示面板具有自发光、快速响应、宽视角以及制作简单等优点。现有的有机发光二极管显示面板的制备过程中，通过是在基板上依次形成缓冲层、半导体有源层、栅极绝缘层、栅极、层间介质层、源漏极、平坦化层以及有机发光二极管单元。现有的艺术品展示屏在使用过程中容易产生开裂进而使其损坏的现象。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种艺术品展示屏及其制作方法。为实现上述目的，本专利技术提出的一种艺术品展示屏的制作方法，所述艺术品展示屏包括一显示面板，所述显示面板的制作方法包括以下步骤：(1)提供一衬底基板，在所述衬底基板上沉积缓冲层。(2)接着在所述缓冲层上沉积半导体有源层，所述半导体有源层包括间隔设置的多个半导体有源单元，每个所述半导体有源单元的两端分别设置有源极接触区和漏极接触区。(3)接着在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种艺术品展示屏的制作方法，其特征在于：所述艺术品展示屏包括一显示面板，所述显示面板的制作方法包括以下步骤：/n(1)提供一衬底基板，在所述衬底基板上沉积缓冲层；/n(2)接着在所述缓冲层上沉积半导体有源层，所述半导体有源层包括间隔设置的多个半导体有源单元，每个所述半导体有源单元的两端分别设置有源极接触区和漏极接触区；/n(3)接着在所述半导体有源层上沉积栅极绝缘层；/n(4)接着在所述栅极绝缘层上沉积栅极层，所述栅极层包括间隔设置的多个栅极单元，其中多个所述半导体有源单元与多个所述栅极单元分别一一对应；/n(5)接着在所述栅极层上沉积层间介质层，接着在所述层间介质层中形成对应所述源极接触...

【技术特征摘要】
1.一种艺术品展示屏的制作方法，其特征在于：所述艺术品展示屏包括一显示面板，所述显示面板的制作方法包括以下步骤：
(1)提供一衬底基板，在所述衬底基板上沉积缓冲层；
(2)接着在所述缓冲层上沉积半导体有源层，所述半导体有源层包括间隔设置的多个半导体有源单元，每个所述半导体有源单元的两端分别设置有源极接触区和漏极接触区；
(3)接着在所述半导体有源层上沉积栅极绝缘层；
(4)接着在所述栅极绝缘层上沉积栅极层，所述栅极层包括间隔设置的多个栅极单元，其中多个所述半导体有源单元与多个所述栅极单元分别一一对应；
(5)接着在所述栅极层上沉积层间介质层，接着在所述层间介质层中形成对应所述源极接触区的源极接触孔，并在所述层间介质层中形成对应所述漏极接触区的漏极接触孔；
(6)接着在所述层间介质层上沉积源漏极材料层，使得部分的所述源漏极材料层嵌入到所述源极接触孔中和所述漏极接触孔中，对所述源漏极材料层进行图案化处理，以形成间隔设置的源电极和漏电极，其中，所述源电极通过所述源极接触孔与所述源极接触区相接触，所述漏电极通过所述漏极接触孔与所述漏极接触区相接触，以形成多个薄膜晶体管单元；
(7)接着对所述显示面板的边缘区域的所述层间介质层进行蚀刻处理，以形成围绕所述显示面板的像素区域的第一凹槽，接着对所述第一凹槽的底面进行进一步的刻蚀处理，以在所述第一凹槽的底面形成第二凹槽，其中所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度；
(8)接着在所述第一凹槽和所述第二凹槽中沉积金属材料以形成一金属凸块，其中，所述金属凸块填满所述第二凹槽，且所述金属凸块的侧壁与所述第一凹槽的侧面之间具有间隙，且所述金属凸块高于所述层间介质层；
(9)接着对所述金属凸块的上表面进行刻蚀处理，以在所述金属凸块的上表面形成第三凹槽；
(10)接着在所述层间介质层上形成平坦化层，所述平坦化层覆盖所述层间介质层、所述源电极、所述漏电极以及所述金属凸块，且所述平坦化层的一部分嵌入所述所述间隙和所述第三凹槽中；
(11)接着在所述平坦化层上形成多个第一开孔，其中，每个第一开孔暴露相应的每个所述薄膜晶体管单元的所述漏电极，接着在每个所述第一开孔中形成阳极层，所述阳极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙波，
申请(专利权)人：淄博职业学院，
类型：发明
国别省市：山东;37